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測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

發(fā)布時(shí)間:2022-10-11 來源:羅姆半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里,將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解,其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。


本文的關(guān)鍵要點(diǎn)


?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測(cè)量,在開關(guān)速度較快時(shí),觀察到的波形會(huì)發(fā)生明顯變化。

?受測(cè)量時(shí)所裝的延長電纜的影響,觀察到的波形會(huì)與真正的原始波形完全不同。

?在觀測(cè)波形時(shí),需要時(shí)刻注意觀察到的波形是否是真正的原始波形。


SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里,將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解,其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。


測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓:一般測(cè)量方法


電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開關(guān)器件大多都配有用來冷卻的散熱器,在測(cè)量器件引腳間的電壓時(shí),通常是無法將電壓探頭等直接安裝到器件引腳上的。因此,有時(shí)會(huì)將延長電纜焊接到器件的引腳上,并在產(chǎn)品外殼外部連接電壓探頭進(jìn)行測(cè)量。


圖1為在ROHM評(píng)估板(P02SCT3040KR-EVK-001)上安裝散熱器并將電壓探頭與延長電纜連接進(jìn)行測(cè)量時(shí)的示例。其中,將連接電壓探頭用的延長電纜(長約12cm)焊接到被測(cè)器件(DUT)的引腳上,并將延長電纜絞合以抑制輻射噪聲的影響。使用這種測(cè)量方法,實(shí)施圖2所示的橋式結(jié)構(gòu)下的雙脈沖測(cè)試,并觀察波形。


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圖1. 將電壓探頭與延長電纜連接來測(cè)量柵-源電壓


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圖2. 雙脈沖測(cè)試電路


在雙脈沖測(cè)試電路的高邊(HS)和低邊(LS)安裝ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR,并使HS開關(guān)、LS始終OFF(柵極電壓=0V)。圖1所示的延長電纜已經(jīng)直接焊接在HS的柵極引腳和源極引腳上。


圖3為測(cè)量到的柵-源電壓波形。當(dāng)外置柵極電阻RG_EXT為10Ω時(shí),延長電纜并沒有太大的影響,但當(dāng)將RG_EXT設(shè)置為3.3Ω并提高開關(guān)速度時(shí),就會(huì)因電壓和電壓的變化而誘發(fā)噪聲和電路的高頻工作,導(dǎo)致測(cè)量到的波形發(fā)生了顯著變化。在該示例中,受測(cè)量用的延長電纜的影響,測(cè)量儀器中顯示的頻段范圍發(fā)生了變化,由于附加了額外的阻抗而導(dǎo)致觀察到的波形與真正的原始波形完全不同。


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導(dǎo)通波形

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關(guān)斷波形

圖3. 安裝延長電纜測(cè)量到的柵-源電壓波形。與真正的原始波形完全不同。


需要注意的是,必須始終留意觀察到的波形是否是真正的原始波形,或者觀察到的波形是否由于某些影響因素而與原始波形不同。為此,不僅要知道如何進(jìn)行準(zhǔn)確的觀察,還要知道影響觀察的因素。


圖4是該測(cè)量所用的電壓差分探頭的等效電路(*1、*2)。通常,電壓探頭的頻率特性設(shè)置包括探頭的頭部。然而,如果在DUT的測(cè)量引腳上安裝延長電纜的話,在觀察幾十ns的高速開關(guān)波形時(shí),會(huì)在雜散電感LEXT和電壓探頭主體的輸入電容C之間引發(fā)諧振現(xiàn)象,從而產(chǎn)生疊加在原始電壓波形上的高頻電壓振鈴,這可能會(huì)導(dǎo)致觀察到的浪涌比實(shí)際的浪涌更大。


5.jpg

圖4. 電壓差分探頭的等效電路


*1. 參考資料:“ABCs of Probes” Application Note(No. EA 60W-6053-14)Tektronix, 2016年1月;“WaveLink Medium Bandwidth(8-13GHz)Differential Probe” Operator’s Manual(924243-00)TELEDYNE LECROY, 2014年5月


*2. 參考資料:“WaveLink Medium Bandwidth(8-13GHz) Differential Probe” Operator’s Manual(924243-00)TELEDYNE LECROY, 2014年5月



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