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2010年LED突現(xiàn)短缺 全年可能嚴(yán)重供應(yīng)不足
iSuppli公司警告，2010年全球LED供應(yīng)面臨短缺，而且年底時(shí)可能嚴(yán)重供應(yīng)不足，除非這種需求旺盛的器件產(chǎn)能得到提升。
2010-03-11
LED 平板電視 屏幕液晶
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手機(jī)電池修復(fù)儀的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
當(dāng)代社會(huì)發(fā)展的需要，幾乎人人都在使用手機(jī)，手機(jī)已經(jīng)成為我們離不開(kāi)的一項(xiàng)生活用品。而人們?cè)陬l繁的使用中，逐漸發(fā)現(xiàn)手機(jī)電池并不能達(dá)到我們的使用要求，經(jīng)常在使用一段時(shí)間后就出現(xiàn)充不進(jìn)去電，放電時(shí)間變短的情況。本文主要介紹一種手機(jī)電池修復(fù)儀的設(shè)計(jì)與應(yīng)用。
2010-03-11
電池修復(fù)儀 手機(jī)電池 脈沖信號(hào)
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音頻放大器的額定功率
關(guān)于音頻放大器額定功率的定義，目前已有多種標(biāo)準(zhǔn)。美國(guó)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)(FTC)針對(duì)家庭音頻放大器額定功率建立了公平合理的廣告國(guó)際慣例，詳情請(qǐng)參見(jiàn)FTC文檔63FR37233，16CFR，Chapter1，Part432的描述。另一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)為美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)制定的SE-101-A。本文主要介紹音頻放大器的額定功率
2010-03-11
音頻放大器 FTC PMPO
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匯聚產(chǎn)業(yè)精英 LED產(chǎn)業(yè)高峰會(huì)議將于3月在天津東麗召開(kāi)
匯聚產(chǎn)業(yè)精英 LED產(chǎn)業(yè)高峰會(huì)議將于3月在天津東麗召開(kāi)
2010-03-10
匯聚產(chǎn)業(yè)精英 LED產(chǎn)業(yè)高峰會(huì)議將于3月在天津東麗召開(kāi)
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2015年全球3D電視出貨量將達(dá)7800萬(wàn)臺(tái)
iSuppli公司預(yù)測(cè)，全球3D電視出貨量到2015年將從2010年的420萬(wàn)臺(tái)猛增至7800萬(wàn)臺(tái)，復(fù)合年增長(zhǎng)率為80%。2015年3D電視的營(yíng)業(yè)收入將從2010年的74億美元增長(zhǎng)到643億美元，增長(zhǎng)近八倍。
2010-03-10
3D電視 消費(fèi)電子 出貨量 營(yíng)業(yè)收入
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分析師紛紛提高2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)
Semiconductor International 全球1月半導(dǎo)體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測(cè)。為什么如此迫不及待，值得思考。
2010-03-10
半導(dǎo)體 iSuppli Gartner 電子產(chǎn)業(yè)
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FAN3988：飛兆推出帶有檢測(cè)功能的過(guò)壓保護(hù)器件
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor) 為手機(jī)和手持移動(dòng)產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供一款帶有高集成度過(guò)電壓保護(hù)(OVP)和USB/充電器檢測(cè)功能的器件FAN3988。
2010-03-10
FAN3988 飛兆 保護(hù)器件 MOSFET
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聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)將劇增
In-Stat預(yù)計(jì)，2010年，在所有售出的數(shù)字電視中，大約40%將具備聯(lián)網(wǎng)功能。到2013年，全球使用中的這類聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子設(shè)備將達(dá)5億臺(tái)。在2008年至2013年間，此類產(chǎn)品的銷售額年均復(fù)合增長(zhǎng)率接近64%。
2010-03-10
聯(lián)網(wǎng) 消費(fèi)電子 市場(chǎng) 劇增
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恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管
這些晶體管稱為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開(kāi)導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開(kāi)關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時(shí)實(shí)現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開(kāi)關(guān)晶體管使開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)時(shí)間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...
2010-03-10
恩智浦 新一代 高效率 低VCEsat 晶體管
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