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SICK推出新一代方型電感式接近開關IQ08/10/12
新一代IQ 系列方型電感式接近開關，提供IQ08，IQ10 以及IQ12 三種規(guī)格，在產品性能上繼續(xù)延續(xù)上一代產品的優(yōu)點，還引入了多項技術以提高產品穩(wěn)定性和可靠性應對惡劣環(huán)境應用。
2013-05-16
接近開關
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SICK推出電容式接近開關CM12
CM12電容式接近開關針對各種非金屬測量應用進行了優(yōu)化，其外殼尺寸為直徑12mm，但檢測距離卻能達8mm，節(jié)省了安裝空間之余還拓寬了其應用范圍。
2013-05-16
電容
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無線集抄技術前景一片光明
微處理器芯片作為智能化電能表的“心臟”，近幾年隨著應用范圍的擴大，其技術水平也在不斷地提升，極大地促進了智能抄表的應用。隨著無線通信技術在自動抄表系統(tǒng)及智能電網中的應用，無線抄表技術得到很好的發(fā)展。
2013-05-16
無線集抄
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智能電表發(fā)展態(tài)勢強勁
智能電表作為新一代電能表，除了具備電能計量的基本功能外，還擁有用電信息存儲、遠程采集、信息交互等功能。相較于原有的卡式表和機械式表，智能電表使用戶購電更方便、用電更明白、生活更低碳。各種優(yōu)勢使智能電表受到我國社會各界的熱捧。
2013-05-16
智能電表
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高性能電解電容器是LED長壽命的保障
LED是一種壽命極長的電光源，其使用壽命可以達到10萬小時。但是，在實際應用中，LED的壽命并不能達到理想的長度，有的甚至使用不到一年就已經損壞。究其原因，鋁電解電容器是導致LED驅動電路壽命達不到要求的關鍵元素。如果能做出長壽命電解電容器，使電解電容器的壽命與LED壽命基本相同。那么，電...
2013-05-16
電解電容
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安森美推出降低30%開關損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關損耗達30%，因而提供更高能效，并轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。
2013-05-16
安森美 IGBT 開關損耗
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今年Q2起多數(shù)半導體元件價格將會上升
半導體元件價格連續(xù)兩年放緩之后，半導體元件的長期前景有望好轉，未來四年的復合年度增長率(CAGR)預計達到5.7%。其增長將來自無線市場的消費支出增加，以及醫(yī)療、能源和公共基礎設施等領域對于新產品的需求。
2013-05-16
半導體 市場 平板電腦
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新型帶擴展功能功率因數(shù)控制器 參數(shù)可視化存儲及處理
TDK新推出兩款BR7000系列新型功率因數(shù)控制器。其中BR7000-T控制器專為應用于快速投切操作的EPCOS動態(tài)晶閘管模塊而設計，而TDK新產品BR7000-I控制器配置了RS485接口，通過RS485接口與PC機連接，實現(xiàn)嵌入網絡、控制器耦合以及數(shù)據讀取。
2013-05-16
控制器 BR7000 功率因數(shù) TDK
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電源轉換新時代的來臨：IR開始商業(yè)裝運GaN器件
IR在業(yè)內率先商業(yè)付運可大幅提高現(xiàn)有電源轉換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術，氮化鎵技術平臺能夠將客戶的電源應用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 電源轉換
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