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拓展串聯(lián)疊加高壓變頻器應(yīng)用領(lǐng)域的研究
眾所周知，高壓大功率風(fēng)機(jī)、水泵采用變頻調(diào)速的方法，在方便的調(diào)整工況的同時(shí)，還可以收到顯著的節(jié)能效果，其直接經(jīng)濟(jì)效益很明顯，宏觀經(jīng)濟(jì)效益及社會(huì)效益則更加巨大。
2012-02-22
串聯(lián)疊加 高壓 變頻器 機(jī)電設(shè)備
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挑戰(zhàn)對(duì)離線LED拓?fù)涞倪x擇
在考慮使用LED驅(qū)動(dòng)器將AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為用于LED負(fù)載的恒定電流源的拓?fù)鋾r(shí)，將LED應(yīng)用分為三種功率水平是有幫助的：（1）低功率應(yīng)用。要求輸入低于20W，例如燈條、R燈和白熾燈的替換品；（2）中等功率應(yīng)用。輸入最高為50W，例如天花板筒燈和L燈；（3）高功率應(yīng)用。要求輸入高于 50W，例如標(biāo)牌燈或街燈。
2012-02-22
LED驅(qū)動(dòng) PSR反激 QR拓?fù)?nbsp; LLC拓?fù)?/p>
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高頻MOS驅(qū)動(dòng)電路仿真波形實(shí)驗(yàn)波
開(kāi)關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用已越來(lái)越普及。MOSFET由于開(kāi)關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開(kāi)關(guān)電源最常用的功率開(kāi)關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開(kāi)關(guān)電源工作的可靠性及性能指標(biāo)。
2012-02-22
高頻 MOSt 驅(qū)動(dòng)電路 仿真波形
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)
TSV 3D IC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術(shù)發(fā)展速度可說(shuō)是相當(dāng)緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年?yáng)|芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術(shù)加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開(kāi)TSV 3D IC實(shí)用...
2012-02-22
TSV 3D IC 半導(dǎo)體
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PCB背板設(shè)計(jì)及檢測(cè)要點(diǎn)
背板一直是PCB制造業(yè)中具有專(zhuān)業(yè)化性質(zhì)的產(chǎn)品。其設(shè)計(jì)參數(shù)與其它大多數(shù)電路板有很大不同，生產(chǎn)中需要滿(mǎn)足一些苛刻的要求，噪聲容限和信號(hào)完整性方面也要求背板設(shè)計(jì)遵從特有的設(shè)計(jì)規(guī)則。背板的這些特點(diǎn)導(dǎo)致其在設(shè)備規(guī)范和設(shè)備加工等制造要求上存在巨大差異。
2012-02-21
PCB 背板
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常見(jiàn)軟起動(dòng)器的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用比較
由于旁路運(yùn)行軟起動(dòng)器的替代性，使得軟起動(dòng)器在工程應(yīng)用中得到了普及。本文比較三種軟起動(dòng)器：在線型、旁路型、內(nèi)置旁路型的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用，發(fā)現(xiàn)在線型軟起動(dòng)器應(yīng)該被旁路型軟起動(dòng)器所淘汰，而旁路型軟起動(dòng)器又應(yīng)該被內(nèi)置旁路型軟起動(dòng)器所淘汰。
2012-02-21
軟起動(dòng)器 晶閘管在線運(yùn)行軟起動(dòng)器 旁路型軟起動(dòng)器 內(nèi)置旁路型軟起動(dòng)器
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高壓變頻器的散熱與通風(fēng)設(shè)計(jì)
高壓變頻器在正常工作時(shí)，熱量來(lái)源主要是隔離變壓器、電抗器、功率單元、控制系統(tǒng)等，其中作為主電路電子開(kāi)關(guān)的功率器件的散熱、功率單元的散熱設(shè)計(jì)、及功率柜的散熱與通風(fēng)設(shè)計(jì)最為重要。
2012-02-21
高壓變頻器 散熱 通風(fēng)
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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，擴(kuò)大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級(jí)的微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
STGIPN3H60 STGIPN3H60A ST SLLIMM 微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來(lái)在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降...
2012-02-21
EXB841 IGBT驅(qū)動(dòng) 保護(hù)電路
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
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