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“3英寸品僅為7萬(wàn)日元左右”——用于功率元件的SiC底板不斷降價(jià)
功率元件用SiC底板不僅品質(zhì)不斷提高,價(jià)格也在不斷下降。雖然從事SiC功率元件的廠商增多帶來(lái)了需求擴(kuò)大,但降價(jià)的主要原因在于提供好品質(zhì)底板的廠商增多,“開(kāi)始出現(xiàn)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)”(多家底板廠商)。
2010-01-08
功率元件 SiC 底板
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全球傳感器技術(shù)呈現(xiàn)快速發(fā)展的趨勢(shì)
隨著我們國(guó)家經(jīng)濟(jì)實(shí)力和科技能力的進(jìn)一步提高,市場(chǎng)對(duì)于高科技含量的傳感器需求越來(lái)越大,很多高、新、精和特殊行業(yè)仍有待開(kāi)發(fā)。作為現(xiàn)代科技的前沿技術(shù),傳感器被認(rèn)為是現(xiàn)代信息技術(shù)的三大支柱之一,也是國(guó)內(nèi)外公認(rèn)的最具有發(fā)展前途的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)。
2010-01-08
傳感器 自動(dòng)化 無(wú)線傳感器
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2010年半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)熱點(diǎn)分析
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli公司的預(yù)測(cè),中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2010年大力反彈。電子和半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2010年取得兩位數(shù)的增長(zhǎng)速度,增幅將達(dá)到17.8%。
2010-01-08
半導(dǎo)體 芯片 物聯(lián)網(wǎng) 應(yīng)用市場(chǎng) 熱點(diǎn)
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Avago推出新系列5mm藍(lán)光和綠光高亮度高性能直插型LED燈
每一只HLMP-Cxxx系列LED都采用先進(jìn)的光學(xué)級(jí)環(huán)氧樹(shù)脂制作,帶來(lái)卓越的耐高溫和耐高濕度特性,封裝所使用的環(huán)氧樹(shù)脂也具備高度紫外線阻隔能力,可以降低長(zhǎng)時(shí)間曝光在直接陽(yáng)光照射下所造成的劣化影響。
2010-01-08
Avago 新系列 藍(lán)光綠光 高亮度 直插型LED燈
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H/HZ系列:Vishay新一代超高精度Bulk Metal?箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列,在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)
2010-01-08
Vishay 箔電阻 新標(biāo)準(zhǔn)
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夏普與意法半導(dǎo)體合資生產(chǎn)太陽(yáng)能電池
夏普計(jì)劃借此擴(kuò)展清潔能源業(yè)務(wù),降低生產(chǎn)成本。夏普和意大利公用事業(yè)公司Enel曾在2008年宣布,打算與一家歐洲制造商合作生產(chǎn)薄膜太陽(yáng)能電池,但未指明是哪家公司。
2010-01-07
夏普 意法半導(dǎo)體 合資 太陽(yáng)能電池
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OmniVision Technologies推出14.6百萬(wàn)像素圖像傳感器
領(lǐng)先的高級(jí)數(shù)字成像解決方案開(kāi)發(fā)商O(píng)mniVision Technologies, Inc.今天推出了14.6百萬(wàn)像素圖像傳感器,能夠提供高分辨率的靜止攝影和在每秒60幀完整的1080p高清晰度的動(dòng)態(tài)影像。最新用于數(shù)碼相機(jī)/攝像機(jī)(DSC/DVC)的全新OV14810和用于移動(dòng)應(yīng)用OV14825皆是第一個(gè)傳感器實(shí)現(xiàn)為主流的消費(fèi)電子產(chǎn)品提供最...
2010-01-07
OmniVision 圖像傳感器 OV14810
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電阻市場(chǎng)發(fā)展前景向好 2010年需求強(qiáng)勁
業(yè)內(nèi)廠家認(rèn)為,2010年電阻市場(chǎng)發(fā)展前景向好,需求強(qiáng)勁,預(yù)計(jì)2010年電阻市場(chǎng)空間仍將不斷擴(kuò)大,年增長(zhǎng)速度將保持在20%左右。
2010-01-07
電阻 電子設(shè)備 元器件 3G 高清市場(chǎng)
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SiB455EDK:Vishay 推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品,使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù),在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝,將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了一半。
2010-01-06
SiB455EDK Vishay P溝道 第三代 TrenchFET 功率MOSFET
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