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新型元器件應(yīng)用和系統(tǒng)測試技術(shù)應(yīng)對電磁兼容設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在即將于4月9日在深圳會展中心牡丹廳舉行的第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會上,村田、太陽誘電、3-test(蘇州泰思特)的專家將與聽眾朋友們分享EMI和EMC的設(shè)計(jì)和測試難點(diǎn)和最新解決方案,此外,特邀嘉賓陶顯芳老師將分享降低EMI能量、提高EMC指標(biāo)的經(jīng)驗(yàn)。
2010-03-18
元器件 電磁兼容 研討會 村田 太陽誘電 3-test EMI EMC
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2009全球被動元件供應(yīng)商Top25排名出爐
市場調(diào)研機(jī)構(gòu)水清木華日前公布了2009年全球被動元件供應(yīng)商營業(yè)額排名。包括村田、TDK、EPCOS、太陽誘電、三星電機(jī)、華新科、KEMET、國巨、KOA、風(fēng)華高科、宇陽科技等多家知名公司順利躋身25強(qiáng)……
2010-03-18
元件 被動元件
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密勒積極推動焊接領(lǐng)域步入環(huán)保健康之路
作為國際知名的百年企業(yè)、測試以及電夾行業(yè)的佼佼者,密勒電氣自挺進(jìn)焊接領(lǐng)域,于今年重磅出擊,創(chuàng)新性地提出“環(huán)保焊接、健康焊接”的潮流概念。
2010-03-17
密勒 焊接 環(huán)保 無鉛焊接 RoHS WEEE HJNEWS
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REACH法規(guī)新增15種SVHC物質(zhì)
2009年12月7日,ECHA成員國委員會達(dá)成一致意見,將另外15種物質(zhì)列入REACH高度關(guān)注物質(zhì)(SVHC)候選清單。預(yù)計(jì)ECHA將在2010年1月份正式采納此決定,并將這15種物質(zhì)正式列入SVHC候選清單,屆時SVHC候選清單將增至30種物質(zhì)。
2010-03-17
REACH 法規(guī) 15種 SVHC物質(zhì) 測試標(biāo)準(zhǔn)
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LED路燈是否應(yīng)該廣泛推廣成熱話題
東莞國際會展大酒店舉行的“2010年中國道路照明論壇”會議上,記者發(fā)現(xiàn),大約有80%的演講報(bào)告與LED路燈有關(guān)。2010年“十城萬盞”工作也進(jìn)入了重要的實(shí)施階段,21個試點(diǎn)城市之外的地方政府仍然十分積極的申請加入試點(diǎn)城市……
2010-03-17
LED LED路燈 道路照明
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上海光宇睿芯:打造本土分立器件巨頭
上海光宇睿芯微電子有限公司(Sino-IC)日前在深圳舉行了新產(chǎn)品發(fā)布會,除了發(fā)布了一系列新的產(chǎn)品線,還介紹了公司產(chǎn)品市場策略的變化。Sino-IC總裁劉健朝透露:“在2009年,我們還是一家以過壓保護(hù)器件為主的廠商,從今年起我們將產(chǎn)品線擴(kuò)展到各種分立器件,我們的最終目標(biāo)是打造成像On Semi、Visha...
2010-03-17
Sino-IC LED 傳感器
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電子信息產(chǎn)業(yè):加快調(diào)整 搶占高端
電子信息產(chǎn)業(yè)是受國際金融危機(jī)影響較大的行業(yè),通過貫徹落實(shí)產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃,正逐步復(fù)蘇,走向新的發(fā)展征程。溫家寶總理在政府工作報(bào)告中指出,大力發(fā)展信息網(wǎng)絡(luò)和高端制造業(yè),加快物聯(lián)網(wǎng)的研發(fā)應(yīng)用,這些都為電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指明了方向。
2010-03-17
電子信息業(yè) 結(jié)構(gòu) 軟件服務(wù)業(yè) 新興產(chǎn)業(yè)
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RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
RS Components宣布,通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2010-03-16
RS 三洋半導(dǎo)體 MOSFET IGBT 晶體管
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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術(shù)革命
GaN技術(shù)平臺開創(chuàng)行業(yè)先河,是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù),經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝,完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施,可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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