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SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源
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STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源
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STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源
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STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源
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