【導讀】什么是倒裝共晶LED技術？與傳統(tǒng)的分裝技術有什么差別？倒裝共晶技術起源于何時，至今發(fā)展狀況如何？帶著這些疑問我們來詳談倒裝共晶LED技術。

 

近期，媒體多有報道關于倒裝共晶Flip Chip及其延伸免封裝的ELC、CSP、POD技術，大有革“傳統(tǒng)封裝”之命的趨勢。實際上，倒裝共晶技術在半導體行業(yè)由來已久，Philips Lumileds于2006年首次引入LED領域，其后倒裝共晶技術不斷發(fā)展，并且向芯片級封裝滲透，產生了免封裝的概念。

 

倒裝結構，光從藍寶石襯底取出，不必從電流擴散層取出，不透光的電流擴散層可以加厚，增加電流密度。晶粒底部采用錫(Sn)或金錫(Au-Sn)等合金作接觸面鍍層，晶?？?a target="_blank" style="text-decoration:none;" >焊接于鍍有金或銀的基板上。當基板被加熱至適合的共晶溫度時，金或銀元素滲透到金錫合金層，共晶層固化并將LED焊于基板上，打破從芯片到基板的散熱系統(tǒng)中的熱瓶頸，提升LED壽命。倒裝共晶LED技術改善了金線虛焊、耐大電流能力不足、封裝硅膠熱脹冷縮造成金線斷裂、制程中金線影響良率等問題。

 

大電流驅動優(yōu)異的散熱特性在大功率器件才能表現(xiàn)出其優(yōu)勢。Droop效應的存在，隨著電流的加大，LED出光效率就會下降，并且下降得厲害。大功率器件主要應用于路燈、隧道燈以及工礦燈等高功率領域，對光效均有較高的要求，如1-3W的器件，電流可通1000mA。實際為了光效的需求，大多使用范圍在350mA。此外，LED驅動電源基于轉換效率和成本的考慮，傾向于小電流和高電壓，這與倒裝共晶代表的大電流、低電壓驅動方式背道相向。目前，倒裝共晶技術涉及昂貴生產設備和材料使得其成本偏高，性價比優(yōu)勢體現(xiàn)不出來。倒裝LED技術問世市場已久，但受限于諸多原因，遲遲無法普及。

 

目前市場上，倒裝共晶的產品以國際大廠為主，CREE XLamp XT-E、Philips　 Lumileds LUXEON-T系列器件，臺灣新世紀光電推出了AT。國星光電自2010以來，一直從事于倒裝共晶技術的研究，批量生產的陶瓷共晶3535器件已經達到了140lm/w水平，成為國內少數(shù)幾個掌握該技術的企業(yè)。

 

市場競爭越來越激烈，倒裝共晶LED技術備受照明市場關注，隨著大批LED廠商涌入倒裝LED技術領域，在成本和技術方面，將加快其在半導體照明應用領域的發(fā)展。