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SiA***DJ:Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2008-05-28

產(chǎn)品特性:Vishay 新型SC-70 小型封裝Siliconix 功率 MOSFET

  • 電壓介于 8 V 至 30 V 之間
  • 4.5 V 時(shí)導(dǎo)通電阻值低至 0.011 ?
  • PowerPAK SC-70小型封裝
  • 符合 RoHS 規(guī)范

應(yīng)用范圍:

  • 手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)
  • MP3 播放器、筆記本電腦、便攜式HDD
  • 微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)等便攜設(shè)備

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

新產(chǎn)品包括用于不同應(yīng)用的各種配置及額定電壓,除了 n 通道及 p 通道的互補(bǔ)對(duì)外,還包括 n 通道及 p 通道的單路、單路帶肖特基二極管的及雙路的器件。器件的電壓介于 8 V 至 30 V 之間,在 4.5 V 時(shí)導(dǎo)通電阻值低至 0.011 ?。

隨著便攜設(shè)備的體積越來(lái)越小,以及它們功能的不斷增加,其可用電路板空間會(huì)極大減少。設(shè)計(jì)人員需要設(shè)計(jì)體積更小的解決方案,同時(shí)維持較低的功耗,從而盡可能延長(zhǎng)電池在充電間隔期間的使用時(shí)間。

為了滿足此需求,PowerPAK SC-70 將 SC-70 封裝的超小尺寸與較大 TSOP-6 所對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電阻相結(jié)合。上述解決方案可在實(shí)現(xiàn)極低的功耗,而封裝尺寸是 TSOP-6 的一半且厚度比 TSOP-6 薄 27%。除有助于節(jié)能外,PowerPAK SC-70 還是 100% 無(wú)鉛、無(wú)鹵素且符合 RoHS 規(guī)范的封裝,可滿足國(guó)際法規(guī)關(guān)于消除有害物質(zhì)的要求。

Vishay Siliconix PowerPAK SC-70 MOSFET 的典型應(yīng)用將包括為手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器、筆記本電腦、便攜式 HDD 及微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)等便攜設(shè)備負(fù)載開關(guān)及電池充電。

目前推出的器件包括SiA413DJ,它是業(yè)內(nèi)首款采用此封裝尺寸的 12V 單路 p 通道器件。SiA913DJ 及 SiA912DJ分別是首款 12V 雙路 p 及 n 通道 MOSFET,而 SiA511DJ是首款 12V n 通道及 p 通道互補(bǔ)對(duì)。

采用 SC-70 封裝尺寸的多款器件在導(dǎo)通電阻方面刷新紀(jì)錄。新型 SiA421DJ在 4.5 V 時(shí)額定電阻為 0.056 ?,在 30V 單路 p 通道類別中的導(dǎo)通電阻最低。SiA914DJ的導(dǎo)通電阻為 0.053 ?,是業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的 20 V雙路 p 通道 MOSFET。新產(chǎn)品中的兩款為單板、低壓降(VF)肖特基二極管。SiA810DJ的額定電阻為 0.053 Ω,是導(dǎo)通電阻最低的 20 V 單路 n 通道帶肖特基二極管的器件,而 SiA811DJ的額定電阻為 0.094Ω,是導(dǎo)通電阻最低的 20 V 單路 p 通道帶肖特基二極管的器件。

該SiA413DJ 和SIA411DJ的額定導(dǎo)通電阻低至1.5V VGS,可實(shí)現(xiàn)較低功耗,降低了對(duì)電平相移電路的需要,從而節(jié)省了電路板空間。之前推出的采用 PowerPAK SC-70 封裝的器件包括 SiA414DJ、SiA417DJ和SiA419DJ,額定導(dǎo)通電阻低至1.2V VGS。另外,額定電阻為 0.011 Ω 的 SiA414DJ和額定電阻為 0.023 Ω 的 SiA417DJ是采用此封裝類型的首款器件,其額定擊穿電壓為 8V。

目前,15 款新型功率 MOSFET 的樣品和量產(chǎn)批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。

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