現(xiàn)代電子設(shè)備在很大程度上依靠DC-DC變換器為其提供電源。在很多計算機，網(wǎng)絡(luò)和電信應(yīng)用中，對電流的要求已經(jīng)超過了100A。要達到這樣的輸出能力，需要多只MOSFET并聯(lián)的多相式變換器才能實現(xiàn)，這樣就帶來了嚴(yán)重的布板擁擠以及功耗等問題。

使情況變糟的就是持續(xù)減小尺寸的趨勢。設(shè)計者發(fā)現(xiàn)越來越難以應(yīng)付同時來自兩個方面的要求：減小電路板面積和改善散熱。在改進目前器件的熱特性的過程中，標(biāo)準(zhǔn)的SO8封裝成為一個很大的障礙------它們很難加裝散熱器，只能單面散熱，所以大部分熱不得不通過PCB板散掉。

然而，國際整流器公司的一項新的技術(shù)，即DirectFET，證明在載流能力和運行效率方面比標(biāo)準(zhǔn)的SO8封裝顯著提高。DirectFET是一項主要為板級功率應(yīng)用而設(shè)計的表貼封裝技術(shù)。它消除了器件封裝中我們不期望的，高電感和阻抗，引起器件熱特性和電特性方面問題的一些因素。由于可以雙面散熱，使用DirectFET器件可以使大電流DC-DC變換器的電流密度增加一倍而系統(tǒng)成本顯著降低。

圖1顯示DirectFET封裝用于MOSFET芯片。硅片被裝入銅外殼，封裝的底部是經(jīng)特殊設(shè)計的芯片，源極和漏極是可以直接焊到PCB板的表貼焊盤。硅片上適當(dāng)?shù)拟g化使源極和漏極絕緣，在器件被焊到PCB板上時它也起到阻焊膜的作用，防止短路。此鈍化層也保護了管腳防止門極區(qū)域污染及潮氣。銅殼從芯片的另一側(cè)引出漏極到線路板側(cè)。此封裝省掉了傳統(tǒng)的管腳框架和引線鍵合，而這正是封裝阻抗的主要根源。同時它還省掉了使大多數(shù)SMT封裝的熱性能受到制約的塑料封裝。 
 
圖1. DirectFET MOSFET 焊接到PCB板上的刨面圖

傳統(tǒng)的MOSFET使用引線鍵合來實現(xiàn)硅片和管腳框架之間的電連接，而DirectFET，將接觸面的數(shù)目和傳導(dǎo)路徑的長度減到最小從而減小了傳導(dǎo)損耗。

圖3顯示在目前使用的SMT器件中DirectFET封裝提供了最優(yōu)良的封裝阻抗(DFPR)。

 
 
圖2. SO-8, Cu-strap SO-8 和 DirectFET電流通路比較

 
圖3. 幾種SO-8尺寸表貼封裝DFPR值的比較

與典型的含鉛的小型封裝相比，DirectFET的熱阻顯著降低。在DirectFET封裝里，結(jié)到電路板之間的熱阻材料只有上面的金屬和安裝用的焊錫。SO-8的結(jié)到PCB的熱阻(Rthj-pcb)大約是20°C/Wmax ，而同樣尺寸的DirectFET封裝只有不到1°C/W 。

DirectFET封裝的頂部金屬漏極連接為芯片的結(jié)和頂部封裝之間提供了一條較低的熱阻抗路徑使結(jié)到殼的熱阻只有3°C/W 。這就使得器件的散熱方法與以往有很大不同，可以用強迫風(fēng)冷或?qū)岬奶畛浣橘|(zhì)將熱傳到一個適當(dāng)接地的散熱器上。圖4舉例說明了這些概念。

 
圖４ DirectFET頂部散熱的例子

如果用散熱器加冷卻氣流，DirectFET從封裝頂部散掉的熱量是SO8的兩倍半，有效的頂部散熱意味器件散發(fā)出的熱量可以被帶離線路板，增加器件安全工作的電流值。

最先使用DirectFET封裝的器件是20 V和30V的同步降壓變換器芯片組，用做調(diào)整管和同步管（表1）。 
 
表1. DirectFET產(chǎn)品參數(shù)

同步管IRF6603的R 的典型值是2mOhm，對于SO8來說這是最好的了。比較IRF7822和IRF6603，我們可以看到R降低了40%，這是由于此封裝里較低的DFPR值和較大的芯片尺寸。

在一個12V輸入，1.3V輸出，工作頻率300kHZ的同步降壓變換器中，我們將IRF6603/IRF6604和IRF7822/IRF7811W這兩對管子做以比較，它們使用的硅片技術(shù)是相同的。負載電流增加時，此變換器電路板的溫度不得超過105°C。當(dāng)電流達到18A時，這是SO8封裝在無冷卻氣流的條件下能夠承受的大電流，IRF6603的結(jié)溫要低50°C。比較DirectFET和SO-8在靜止空氣無散熱器條件下的效率曲線，在18A時前者的效率要高出3%。 

 

 

圖5. 采用DirectFET和SO-8封裝的30V器件在一個12V輸入， 1.3V輸出，工作頻率300kHZ的降壓變換器中，在多種負載條件下的比較。

如果加裝散熱器和200LFM的冷卻氣流可以達到每相35A電流。雙面散熱的好處顯而易見。

以一個每相30A的多相變換器為例，要滿足這個電流，用最好的單面散熱的SO8封裝MOSFET，比如標(biāo)準(zhǔn)的SO-8，無底的SO-8和無鉛的SO-8，每相要用五只，而雙面散熱的DirectFET 只需兩只。比較結(jié)果元件數(shù)減少了60%。

由于DirectFET的結(jié)殼熱阻低，所以用導(dǎo)熱墊將熱量從器件傳遞到系統(tǒng)底盤的做法很有效。這種結(jié)構(gòu)，大量的熱從器件的頂部被帶走，DirectFET器件就可以布置在線路板上一個較小的區(qū)域內(nèi)。

確實，我們最期望將DirectFET器件安裝更緊湊以使它們傳到PCB板上的熱量最少。只要DirectFET器件上面的導(dǎo)熱墊的熱阻不大于9°C/W，那么器件頂部的結(jié)到環(huán)境的熱阻將始終比器件底部的結(jié)到環(huán)境的熱阻值的一半還要低，器件的頂部自然就成了主要的導(dǎo)熱途徑。

為了計算方便，假設(shè)單面冷卻的器件被限制在0.5 in2 的PCB板內(nèi)，我們知道設(shè)計者往往用到1in2 以盡可能增加SO8的輸出電流。DirectFET器件布置在最小的管腳尺寸內(nèi)。下表給出了論證結(jié)果，表明在大電流DC-DC變換器中，雙面散熱的DirectFET的電流密度能比單面散熱的SO8的增加一倍。

 
表2. 在30A/相的變換器中用單面散熱的SO-8封裝MOSFET，比如標(biāo)準(zhǔn)的 SO-8，無底的SO-8和無鉛的SO-8和用雙面散熱的DirectFET的電流密度比較封裝節(jié)省系統(tǒng)總成本

采用單面冷卻的SO-8方案，設(shè)計者考慮散熱問題時有一些可選的方法：當(dāng)每相的電流值達到上限時，他們可以增加相數(shù)，而依目前的技術(shù)，超過4相是不現(xiàn)實的。而且增加了成本和所占空間。也可考慮熱管，加風(fēng)扇增大冷卻氣流，更大尺寸的線路板或更多的覆銅。這些方案都將增加系統(tǒng)成本。DirectFET給設(shè)計者一個新的選擇，既能夠滿足電路性能，外形尺寸和預(yù)算要求，同時省掉50%或更多上面討論的用于標(biāo)準(zhǔn)的或其它派生的SO-8封裝可選散熱方案中的花費。DirectFET MOSFET容易布版和并聯(lián)，可以簡化布局減小PCB板寄生損耗（見圖六） 
 
圖6.DirectFET的布板和并聯(lián)

DirectFET封裝還可以減小有害的電感，這對于大電流，多項式應(yīng)用中的高頻DC-DC電源變換電路很重要。

DirectFET高僅0.7mm,而SO-8是1.75mm，這對于象筆記本電腦和服務(wù)器這樣對空間有限制的這方面應(yīng)用很有優(yōu)勢。DirectFET器件已通過大量的可靠性實驗，包括功率循環(huán)實驗，可以信賴它同標(biāo)準(zhǔn)SO-8一樣可靠。這種器件適合
現(xiàn)有的大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)備和裝配工藝。它是大電流DC-DC變換器完美的解決方案。