中心論題：

• 柵極電阻影響IGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化
• 減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關(guān)損耗，但要注意快速的導(dǎo)通關(guān)斷所帶來(lái)的電壓尖峰和電磁干擾
• 保護(hù)IGBT的續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響，并限制柵極阻抗的最小值
• 柵極電阻的計(jì)算和最終確定

解決方案：

• 測(cè)試和衡量最終系統(tǒng)是確定柵極電阻最終最優(yōu)值的唯一途徑，最優(yōu)的柵極電阻值一般介于IGBT數(shù)據(jù)表中所列的值和其兩倍之間
• 柵極電阻建議使用并聯(lián)形式，并必須具有一定的峰值功率
• 用軟關(guān)斷電路減小短路時(shí)的電壓尖峰，通過(guò)縮短?hào)艠O電阻電路和IGBT模塊之間的連線或用比最小值大的柵極電阻來(lái)衰減柵極振蕩

用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓（VG(on)），IGBT導(dǎo)通，負(fù)輸出電壓為-5 …-8…-15V時(shí)，IGBT關(guān)斷。IGBT的動(dòng)態(tài)性能可通過(guò)柵極電阻值來(lái)調(diào)節(jié)。柵極電阻影響IGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，從電磁干擾EMI到電壓和電流的變化率。因此柵極電阻必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化。

每個(gè)IGBT開關(guān)特性的設(shè)定可受外部電阻RG的影響。由于IGBT的輸入電容在開關(guān)期間是變化的，必須被充放電，柵極電阻通過(guò)限制導(dǎo)通和關(guān)斷期間柵極電流（IG）脈沖的幅值來(lái)決定充放電多長(zhǎng)時(shí)間（見圖1）。由于柵極峰值電流的增加，導(dǎo)通和關(guān)斷的時(shí)間將會(huì)縮短且開關(guān)損耗也將會(huì)減少。減小RG(on)和RG(off)的阻值會(huì)增大柵極峰值電流。當(dāng)減小柵極電阻的阻值時(shí)，需要考慮的是當(dāng)大電流被過(guò)快地切換時(shí)所產(chǎn)生的電流隨時(shí)間變化特性di/dt。電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰。這一效果可在圖2所示的IGBT關(guān)斷時(shí)波形圖中觀察到。圖中的陰影部分顯示了關(guān)斷損耗的相對(duì)值。集電極-發(fā)射極電壓上的瞬間電壓尖峰可能會(huì)損壞IGBT，特別是在短路關(guān)斷操作的情況下，因?yàn)閐i/dt比較大?？赏ㄟ^(guò)增加?xùn)艠O電阻的值來(lái)減小Vstray。因此，消除了由于過(guò)電壓而帶來(lái)的IGBT被損毀的風(fēng)險(xiǎn)?？焖俚膶?dǎo)通和關(guān)斷會(huì)分別帶來(lái)較高的dv/dt和di/dt，因此會(huì)產(chǎn)生更多的電磁干擾（EMI），從而可能導(dǎo)致電路故障。表1顯示不同的柵極電阻值對(duì)di/dt的影響。

圖1 導(dǎo)通、關(guān)斷/柵極電流



圖2 IGBT關(guān)斷

表1 變化率/特性


保護(hù)IGBT的續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響，并限制柵極阻抗的最小值。這意味著IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度只能提高到一個(gè)與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過(guò)電壓應(yīng)力，而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大，也增大了續(xù)流二極管的過(guò)壓極限。通過(guò)使用特殊設(shè)計(jì)和優(yōu)化的帶軟恢復(fù)功能的CAL（可控軸向壽命）二極管，使得反向峰值電流小，從而使橋路中IGBT的導(dǎo)通電流小。

柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)是一種典型的設(shè)計(jì)，采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET，如圖3所示。兩個(gè)MOSFET的柵極由相同的信號(hào)驅(qū)動(dòng)。當(dāng)信號(hào)為高電平時(shí)，N通道 MOSFET導(dǎo)通，當(dāng)信號(hào)為低電平時(shí)，P通道MOSFET導(dǎo)通，從而產(chǎn)生一個(gè)兩晶體管推挽輸出配置。MOSFET的輸出級(jí)可有一路或兩路輸出。根據(jù)輸出級(jí)有一路還是兩路輸出，可實(shí)現(xiàn)具有一個(gè)或兩個(gè)柵極電阻（導(dǎo)通，關(guān)斷）的用于對(duì)稱或不對(duì)稱柵極控制的解決方案。

圖3 RG(on)/RG(off)的連接

柵極電阻的計(jì)算
對(duì)于低開關(guān)損耗，無(wú)IGBT模塊振蕩，低二極管反向恢復(fù)峰值電流和最大dv/dt限制，柵極電阻必須體現(xiàn)出最佳的開關(guān)特性。通常在應(yīng)用中，額定電流大的IGBT模塊將采用較小的柵極電阻驅(qū)動(dòng)；同樣的，額定電流小的IGBT模塊，將需要較大的柵極電阻。也就是說(shuō)，IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給的電阻值必須為每個(gè)設(shè)計(jì)而優(yōu)化。IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中指定了柵極電阻值。然而，最優(yōu)的柵極電阻值一般介于IGBT數(shù)據(jù)表中所列的值和其兩倍之間。IGBT數(shù)據(jù)表中所指定的值是最小值；在指定條件下，兩倍于額定電流可被安全地關(guān)斷。在實(shí)際中，由于測(cè)試電路和各個(gè)應(yīng)用參數(shù)的差異，IGBT數(shù)據(jù)表中的柵極電阻值往往不一定是最佳值。上面提到的大概的電阻值（即兩倍的數(shù)據(jù)表值），可被作為優(yōu)化的起點(diǎn)，以相應(yīng)地減少柵級(jí)電阻值。確定最終最優(yōu)值的唯一途徑是測(cè)試和衡量最終系統(tǒng)。使應(yīng)用中的寄生電感最小很重要。這對(duì)于保持IGBT的關(guān)斷過(guò)電壓在數(shù)據(jù)表的指定范圍內(nèi)是必要的，特別是在短路情況下。柵極電阻決定柵極峰值電流IGM。增大柵極峰值電流將減少導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間以及開關(guān)損耗。柵級(jí)峰值電流的最大值和柵級(jí)電阻的最小值分別由驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)的性能決定。
 
設(shè)計(jì)、布局和疑難解答
為了能夠經(jīng)受住應(yīng)用中出現(xiàn)的大負(fù)載，柵極電阻必須滿足一定的性能要求并具有一定的特性。由于柵級(jí)電阻上的大負(fù)載，建議使用電阻并聯(lián)的形式。這將產(chǎn)生一個(gè)冗余，如果一個(gè)柵極電阻損壞，系統(tǒng)可臨時(shí)運(yùn)行，但開關(guān)損耗較大。選擇錯(cuò)誤的柵極電阻，可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題和不希望的結(jié)果。所選的柵極電阻值太大，將導(dǎo)致?lián)p耗過(guò)大，應(yīng)減小柵極電阻值。應(yīng)銘記整個(gè)應(yīng)用中的開關(guān)性能。過(guò)高的柵極電阻值可能會(huì)導(dǎo)致IGBT在開關(guān)期間在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行在線性模式下，最終導(dǎo)致柵極振蕩。然而，萬(wàn)一電阻的功耗和峰值功率能力不夠，或者使用了非防浪涌電阻，都會(huì)導(dǎo)致柵極電阻過(guò)熱或燒毀。運(yùn)行期間，柵極電阻不得不承受連續(xù)的脈沖流。因此，柵極電阻必須具有一定的峰值功率能力。使用非常小的柵極電阻，會(huì)帶來(lái)更高的dv/dt或di/dt，但也可能會(huì)導(dǎo)致EMI噪聲。

應(yīng)用（直流環(huán)節(jié)）中的電感過(guò)大或者使用的關(guān)斷柵級(jí)電阻小，將導(dǎo)致更大的di/dt，從而產(chǎn)生過(guò)大的IGBT電壓尖峰。因此應(yīng)盡量減小電感或者增大關(guān)斷柵級(jí)電阻值。為減小短路時(shí)的電壓尖峰，可使用軟關(guān)斷電路，它可以更緩慢地關(guān)斷IGBT。柵極電阻電路和IGBT模塊之間的距離應(yīng)盡可能短。如果柵極電阻和IGBT模塊之間的連線過(guò)長(zhǎng)，將會(huì)在柵極-發(fā)射極的通道上產(chǎn)生較大的電感。結(jié)合IGBT的輸入電容，該線路電感將形成一個(gè)振蕩LC電路。可簡(jiǎn)單地通過(guò)縮短連線或者用比最小值(RG(min)≥2√(Lwire/Cies))大的柵極電阻來(lái)衰減這種振蕩。