產(chǎn)品特性：

• 在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻僅有0.27Ω
• 柵電荷只有65nC，品質(zhì)因數(shù)僅為17.75
• 可處理72A的脈沖電流和18A的連續(xù)電流

應(yīng)用范圍：

• LCD TV、PC機、服務(wù)器、通信系統(tǒng)和焊接機器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。

新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的額定電壓，在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻僅有0.27Ω。低RDS(on)意味著更低的傳導損耗，從而為各種電子系統(tǒng)中的功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PMW)應(yīng)用節(jié)約能量，這些應(yīng)用包括LCD TV、PC機、服務(wù)器、通信系統(tǒng)和焊接機器。

除了低導通電阻，這些器件的柵電荷只有65nC。柵電荷與導通電阻的乘積是評價用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM)，這些器件的品質(zhì)因數(shù)只有17.75。

為提高操作的可靠性，器件經(jīng)過了100%的雪崩測試，可承受高單脈沖(EAS)和反復(EAR)雪崩能量。器件可處理72A的脈沖電流和18A的連續(xù)電流。所有這三款器件均具有有效的輸出電容規(guī)格。與前一代500V功率MOSFET相比，新器件在跨導和反向恢復特性上也有所改進。

SiHP18N50C和SiHF18N50C可提供無鉛端子，采用TO-220和FULLPAK封裝。SiHG20N50C提供無鉛的TO-247封裝。新器件現(xiàn)可提供樣品，將于2009年第三季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。