- 兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷
- 品質(zhì)因數(shù)降低了40%
- 最佳的反向恢復(fù)特性di/dt和dv/dt
- 將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗減少20%
- 擊穿電壓范圍(-500V 至1000V)
- 電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用
相比SuperFET™ MOSFET器件,SupreMOS™600V超級(jí)結(jié)MOSFET在相同RDS(ON)下提供了更低的柵級(jí)電荷,并且具有出色的開關(guān)性能,能夠?qū)㈤_關(guān)和傳導(dǎo)損耗減少20%,從而提高效率。另外,SupreMOS™器件具有較低的輸入和輸出電容,能夠提高輕負(fù)載條件下的效率。這些特性可讓電源滿足能源之星規(guī)范中適用于臺(tái)式電腦的80 PLUS 金(Gold) 級(jí)別和用于服務(wù)器的白金(Platinum)級(jí)別的要求。
SupreMOS™器件是飛兆半導(dǎo)體全面之MOSFET產(chǎn)品系列的一部分,為設(shè)計(jì)人員帶來寬闊的擊穿電壓范圍(-500V 至1000V)、先進(jìn)封裝和業(yè)界領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(FOM),為各種電能轉(zhuǎn)換環(huán)境提供所需的高效功率管理功能。
價(jià)格(訂購(gòu)1000個(gè),每個(gè)):
FCP22N60N 1.60美元
FCPF22N60N 1.60美元
FCA22N60N 1.80美元
FCP16N60N 1.50美元
FCPF16N60NT 1.50美元
供貨: 現(xiàn)提供樣品
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