新聞事件：

• 拓鋒參展第75屆中國電子展

行業(yè)影響：

• 拓鋒強(qiáng)調(diào)技術(shù)與誠信，為客戶提供更多價值
• 本土分立半導(dǎo)體廠商走向品牌之路

深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售半導(dǎo)體分立器件，產(chǎn)品包括BJT、MOSFET、LDO、二極管、三端穩(wěn)壓器等，雖然沒有自己的工廠，但拓鋒依靠自己的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)信息積累，通過從大陸、臺灣、香港、日本等地區(qū)的晶圓廠購買芯片，委托國內(nèi)封裝廠進(jìn)行封裝，并通過自己專業(yè)的銷售團(tuán)隊服務(wù)珠三角地區(qū)客戶，力圖打造本土分立半導(dǎo)體的領(lǐng)先品牌。拓鋒的業(yè)務(wù)模式非常類似集成電路領(lǐng)域的無晶圓設(shè)計公司（Fabless），也許有工程師朋友會質(zhì)疑分立半導(dǎo)體相比集成電路對設(shè)計要求不高，而全靠制造工藝，而事實上分立半導(dǎo)體在器件技術(shù)參數(shù)、質(zhì)量控制、應(yīng)用選型方面，同樣需要深厚的技術(shù)積累和豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗。

圖：拓鋒半導(dǎo)體展臺

在拓鋒半導(dǎo)體的展臺，電子元件技術(shù)網(wǎng)有幸采訪到拓鋒半導(dǎo)體總經(jīng)理林有親先生。林老在半導(dǎo)體器件物理和集成電路制造、電路設(shè)計領(lǐng)域有三十多年的從業(yè)經(jīng)驗，先后在中科院物理研究所、航天九院771研究所擔(dān)任技術(shù)骨干，并在退休后創(chuàng)建了拓鋒半導(dǎo)體。林有親表示，拓鋒半導(dǎo)體一直強(qiáng)調(diào)技術(shù)和誠信的企業(yè)方針，并將產(chǎn)品質(zhì)量和客戶服務(wù)放在首位。

本次參展拓鋒主打MOSFET系列產(chǎn)品，林有親介紹，拓鋒的TRENCH MOSFET產(chǎn)品線包括SI23XX系列、AO34XX系列、2SK3018系列、BSS138、XP151A等，產(chǎn)品按VISHAY公司和ALPHA§OMEGA等公司的同型號電參數(shù)規(guī)格測試，確保產(chǎn)品規(guī)格和品質(zhì)。此外，拓鋒許多產(chǎn)品都采用了8英寸晶圓廠的產(chǎn)品，相比以往AO的6英寸晶圓的電參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)具備更低的漏電流和導(dǎo)通電阻RDS(on)，性能更優(yōu)。

拓鋒半導(dǎo)體總經(jīng)理林有親

目前拓鋒MOSFET產(chǎn)品的客戶主要主要以數(shù)碼類為主，比如MP3/MP4/MP5硬盤播放器、數(shù)碼相框、數(shù)碼相機(jī)、液晶驅(qū)動、移動DVD、網(wǎng)絡(luò)播放器、DVD解碼板、筆記本電腦、手機(jī)、DV攝像機(jī)等、電子書、車載DVD等應(yīng)用，主要還是面向低功率市場。林有親表示，未來會繼續(xù)拓展MOSFET產(chǎn)品線，并向中高壓、大電流領(lǐng)域滲透。林總舉例說，比如我們有做電動小飛機(jī)的客戶，由于馬達(dá)功率較高，要求MOSFET電流達(dá)到30A，而針對許多電機(jī)、馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用也需要電流達(dá)到幾安到幾十安培，使用較大導(dǎo)通電流的MOSFET有助于減少并聯(lián)的MOSFET的數(shù)量并增加設(shè)計余量。對于目前熱門的電動自行車應(yīng)用，通常需要MOSFET電流達(dá)到70安培以上，電壓達(dá)到100V以上。林總透露，拓鋒目前也在準(zhǔn)備進(jìn)入LED市場。

受益于中國電子制造業(yè)的快速發(fā)展，國內(nèi)分立半導(dǎo)體廠商進(jìn)步很快，不過相比國際領(lǐng)先廠商還是有一定差距。“在高端領(lǐng)域還是國際廠商的天下，不過在中低端的應(yīng)用中國內(nèi)廠商的產(chǎn)品已經(jīng)與國外大廠不相上下，我們的產(chǎn)品完全按照Vishay等國際大廠的電參標(biāo)準(zhǔn)，只有在一些二級參數(shù)方面略有差距，” 林有親表示，“比如漏電流要求在100nA以下的產(chǎn)品，也許Vishay能做到50nA，但我們也能做到80nA，相比來說我們產(chǎn)品的性價比具備更大的優(yōu)勢。”

隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，分立半導(dǎo)體也在不斷經(jīng)歷技術(shù)變革，從VDMOS到TRENCH MOS，MOSFET的導(dǎo)通電流得以不斷提升，不斷改善的工藝讓MOSFET向高輸出、高密度、高頻率、高效率發(fā)展；新型QFN、BGA、SO-8、Direct FET等封裝技術(shù)也讓MOSFET體積不斷縮小，散熱性能不斷提高；而新型低VCEsat的BJT也有望在中功率應(yīng)用中挑戰(zhàn)MOSFET的地位。本土廠商在分立半導(dǎo)體領(lǐng)域起步較晚，需要不斷提升技術(shù)和品質(zhì)，并努力創(chuàng)新，才能在競爭中不斷前進(jìn)。