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晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊的特點(diǎn)

發(fā)布時(shí)間:2010-05-17 來(lái)源:21IC

中心議題:
  • 電容補(bǔ)償裝置的投切開(kāi)關(guān)方式和特點(diǎn)
  • 晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊的內(nèi)部功能
解決方案:
  • 過(guò)零觸發(fā)模塊
  • 抑制過(guò)電壓阻容吸收裝置
  • 保持晶閘管芯片良好的散熱

目前,國(guó)內(nèi)的無(wú)功補(bǔ)償產(chǎn)品控制器普遍采用交流接觸器或可控硅作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)控制電容器的通斷。

無(wú)功補(bǔ)償是電力系統(tǒng)運(yùn)行的基本要求。為了在電力系統(tǒng)運(yùn)行中進(jìn)行無(wú)功平衡,必須對(duì)各種電力負(fù)荷所需的無(wú)功功率進(jìn)行補(bǔ)償。無(wú)功補(bǔ)償?shù)姆椒ㄓ姓{(diào)相機(jī)補(bǔ)償和電容器組補(bǔ)償?shù)?,其中最為有效和易于?shí)施的是在靠近負(fù)荷點(diǎn)的地方進(jìn)行就地?zé)o功補(bǔ)償。由于無(wú)功補(bǔ)償掛接在電網(wǎng)上主要是通過(guò)自動(dòng)投入和切除電力電容器來(lái)達(dá)到補(bǔ)償效果,因此,控制電容器投切的開(kāi)關(guān)元件性能對(duì)整個(gè)裝置的質(zhì)量和穩(wěn)定性起著非常關(guān)鍵的作用。

1電容補(bǔ)償裝置的投切開(kāi)關(guān)方式和特點(diǎn)

電容式補(bǔ)償裝置的投切開(kāi)關(guān)主要有交流普通接觸器、帶預(yù)設(shè)電阻的專(zhuān)用接觸器和晶閘管電子開(kāi)關(guān)等方式。

1.1普通交流接觸器

交流接觸器的價(jià)格低、通用性強(qiáng),但在用于電容器投切時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大的浪涌和脈沖過(guò)電壓,有時(shí)可能導(dǎo)致絕緣擊穿或接觸器觸頭燒損,容易造成接觸器損壞,從而影響補(bǔ)償裝置的使用。

1.2電容投切專(zhuān)用接觸器

電容投切專(zhuān)用接觸器是在普通交流接觸器的主觸頭上加裝了限流阻抗器件,這種改進(jìn)在電容器投切不頻繁時(shí)能起到一定作用,但其抑制電容器涌流的效果并不理想。當(dāng)電流較大時(shí),其限流電阻和主觸頭也常被燒損,特別是在無(wú)功負(fù)荷波動(dòng)大和電容器投切頻繁的情況下,實(shí)際使用壽命往往僅為一年左右。因此,這種專(zhuān)用接觸器只適用于符合基本平穩(wěn)、三相電壓基本平衡的理想工作條件。

1.3晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊

晶閘管電子開(kāi)關(guān)充分利用了電壓過(guò)零觸發(fā)、電流過(guò)零切除、開(kāi)關(guān)無(wú)觸點(diǎn)、響應(yīng)速度快等晶閘管特性,可使電容上的電壓從零快速上升到額定工作電壓。而在斷開(kāi)時(shí),晶閘管上的電流過(guò)零切除.可實(shí)現(xiàn)電容器投入無(wú)涌流、切除無(wú)過(guò)壓、投切無(wú)電弧的快速動(dòng)態(tài)補(bǔ)償功能,故能較好地解決電容器投切時(shí)產(chǎn)生的暫態(tài)沖擊問(wèn)題。但是,晶閘管在導(dǎo)通狀態(tài)下存在較大的管壓降(1V左右),故在工作時(shí),應(yīng)考慮消耗功率和其產(chǎn)生和散發(fā)的大量熱量,而這會(huì)使運(yùn)行和維護(hù)的成本加大。

1.4接觸器與晶閘管控制補(bǔ)償設(shè)備的性能比較

利用接觸器控制補(bǔ)償設(shè)備與用晶閘管控制方法來(lái)補(bǔ)償設(shè)備的性能比較如表1所列。


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2晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊的內(nèi)部功能

晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊主要包括反并聯(lián)晶閘管、過(guò)零檢測(cè)觸發(fā)模塊、抑制過(guò)電壓的阻容吸收裝置和散熱裝置。

2.1過(guò)零觸發(fā)模塊

由于切除的電容器上一般都有剩余電壓,而電容器兩端的電壓不能突變,因此,當(dāng)系統(tǒng)電壓和電容器殘壓的差值較大時(shí),觸發(fā)晶閘管會(huì)產(chǎn)生很大的沖擊電流,而可能直接損壞晶閘管。為了實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置快速響應(yīng),同時(shí)又保證投切無(wú)沖擊電流,因此需要檢測(cè)電容器電壓和電網(wǎng)電壓。只有當(dāng)兩者大小相等、極性相同時(shí),才能瞬時(shí)投入電容。因此需要加裝過(guò)零觸發(fā)模塊。目前,從晶閘管兩端取得過(guò)零信號(hào)的典型觸發(fā)電路是MOC3083。MOC3083芯片內(nèi)部有過(guò)零觸發(fā)判斷電路,它是為220V電網(wǎng)電壓設(shè)計(jì)的專(zhuān)門(mén)芯片,其芯片的雙向可控硅耐壓為800V。在4、6兩端電壓低于12V時(shí),如果輸入觸發(fā)電流,其內(nèi)部的雙向可控硅導(dǎo)通。圖1所示是用在380V電網(wǎng)的TSC電路上串聯(lián)兩只MOC3083的過(guò)零觸發(fā)模塊的內(nèi)部電路圖。



事實(shí)上,在非過(guò)零觸發(fā)時(shí),其電流沖擊往往能達(dá)到穩(wěn)定值的3倍以上,而當(dāng)過(guò)零觸發(fā)時(shí),其電流沖擊一般僅為穩(wěn)定值的1.5倍,而其電容電壓沖擊僅為穩(wěn)定值的1.15倍。

2.2抑制過(guò)電壓阻容吸收裝置

模塊過(guò)壓保護(hù)一般也可采用阻容吸收法。對(duì)于持續(xù)時(shí)間較短,能量不大的過(guò)電壓,一般可在模塊兩端并聯(lián)阻容吸收電路,用吸收電容把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯起來(lái)。而用吸收電阻不但可以防止電路振蕩,還可限制晶閘管導(dǎo)通時(shí)電容放電所產(chǎn)生的開(kāi)通損耗和di/dt值。并聯(lián)在晶閘管開(kāi)關(guān)模塊的RC值可參考表2。



需要說(shuō)明的是,阻容吸收電路中的電容應(yīng)采用交流電容器,其輸入電壓為380V時(shí),應(yīng)采用630V,輸入電壓為220V時(shí),則可采用500V的電容耐壓。

2.3散熱裝置

晶閘管開(kāi)關(guān)模塊在運(yùn)行過(guò)程中,其晶閘管芯片的結(jié)溫將升高。為了使結(jié)溫維持在125℃最高額定值以下,必須使用散熱器。而且,散熱條件的好壞,也直接影響模塊的安全、穩(wěn)定和可靠運(yùn)行。目前,散熱方法有水冷、風(fēng)冷(強(qiáng)迫和自然風(fēng)冷)和熱管冷卻等方法。這里簡(jiǎn)要介紹風(fēng)冷散熱器的選擇方法。[page]

晶閘管開(kāi)關(guān)模塊的主電路由二個(gè)反并聯(lián)晶閘管組成。根據(jù)模塊內(nèi)單個(gè)晶閘管的通態(tài)平均電流IT(AV)、通態(tài)峰值電壓VRM、模塊接觸熱RTHCH、以及平均功率(PT(AV)=0.85VRMIT(AV),即可計(jì)算出散熱裝置的熱阻RTHCA:


式中:TVJ為晶閘管的最高結(jié)溫(125℃),RTHJC為結(jié)到散熱板的熱阻。

求出散熱器熱阻RTHCA后,再選定相應(yīng)的散熱器的型號(hào)規(guī)格(DXC-450DXC-616DXC-573),事實(shí)上,散熱器的熱阻應(yīng)比計(jì)算的熱阻小,即:




若一個(gè)散熱器上裝有幾個(gè)模塊,則可將∑PT(AV)=nPT(AV)代人式(3),并求出∑PT(AV),然后再選定散熱器。根據(jù)可選散熱器的熱阻值(或散熱器的熱阻曲線(xiàn))即可選定合適的散熱器長(zhǎng)度。

在無(wú)功補(bǔ)償實(shí)際應(yīng)用中,可將晶閘管電子開(kāi)關(guān)模塊用在TSC低壓無(wú)功補(bǔ)償以替代接觸器,這樣,就可以在開(kāi)關(guān)電壓過(guò)零時(shí)投入補(bǔ)償電容量,從而避免了沖擊電流的產(chǎn)生和瞬間電網(wǎng)電壓的波動(dòng)。圖2所示是其工作波形圖。



通過(guò)對(duì)低壓無(wú)功補(bǔ)償裝置兩種投切開(kāi)關(guān)的分析與比較,可以看出,晶閘管電子無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)不但具有過(guò)零投切涌流小、無(wú)過(guò)電壓等優(yōu)點(diǎn),而且可以解決工作時(shí)的散熱問(wèn)題。在實(shí)際工作中,其操作壽命幾乎是無(wú)限的,可以頻繁投切,而且投切時(shí)刻可以精確控制,因此,能實(shí)現(xiàn)無(wú)過(guò)渡過(guò)程的平穩(wěn)投入和切除,其動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間僅為0.01~0.02s,因而是電容投切比較理想的開(kāi)關(guān)。
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