產(chǎn)品特性：

• 采用STripFET VI DeepGATE技術(shù)
• 極低的導(dǎo)通功耗與有效芯片尺寸比

應(yīng)用范圍：

• 汽車設(shè)備及其他應(yīng)用的電源和驅(qū)動(dòng)器

汽車系統(tǒng)半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）推出9款全新汽車級(jí)功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大STripFET™ VI DeepGATE™功率MOSFET產(chǎn)品組合，為新一代汽車實(shí)現(xiàn)能效、尺寸及成本優(yōu)勢(shì)。

高能效電氣系統(tǒng)對(duì)于汽車制造商日益重要。從車窗升降機(jī)、雨刷器、暖氣鼓風(fēng)機(jī)，到引擎控制模塊、起動(dòng)機(jī)-交流發(fā)電機(jī)、能源恢復(fù)系統(tǒng)，這些均由電氣系統(tǒng)管理，而混合動(dòng)力汽車則更需要高效的能源管理系統(tǒng)，以最大限度地延長(zhǎng)汽車的續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體的新款功率MOSFET能夠?qū)㈦姎庀到y(tǒng)驅(qū)動(dòng)器和控制器的正常功耗降至最低，從而提升電氣系統(tǒng)的能效；同時(shí)還可減少電路產(chǎn)生的熱量，實(shí)現(xiàn)更小、更輕的裝置設(shè)備。

全新符合AEC-Q101的30V和40V功率器件采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的STripFET VI DeepGATE技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通功耗與有效芯片尺寸比。這兩款產(chǎn)品擁有3.0 mΩ至12.5 mΩ的低導(dǎo)通功耗，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DPAK或D2PAK兩種貼裝功率封裝，占用更小的電路板空間。全新功率MOSFETS系列包括邏輯電平和標(biāo)準(zhǔn)電平兩款型號(hào)。

為保證新產(chǎn)品達(dá)到汽車應(yīng)用要求的可靠性和穩(wěn)健性，按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的測(cè)試條件，所有器件在晶圓制程和成品階段均經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試。除汽車設(shè)備以外，新系列產(chǎn)品還可提高其它應(yīng)用的電源和驅(qū)動(dòng)器的能效。

主要特性：

30V和40V擊穿電壓
額定輸出電流 44A至80A
標(biāo)準(zhǔn)閥壓驅(qū)動(dòng)
邏輯電平控制
-55°C至175°C 工作溫度范圍
通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證