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IR推出新車用40V至200V車用MOSFET系列

發(fā)布時間:2011-09-21 來源:佳工機(jī)電網(wǎng)

產(chǎn)品特性:

  • 電壓范圍從40V至200V
  • 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),材料環(huán)保不含鉛
  • 在5000次溫度循環(huán)時的最大導(dǎo)通電阻變化不到10%

應(yīng)用范圍:

  • 電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、集成式起動發(fā)電機(jī)泵和電機(jī)控制
  • 內(nèi)燃機(jī)和混合動力汽車平臺上的其它重載應(yīng)用


IR近日推出車用MOSFET系列,可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻(Rds(on)) ,包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī)(ISA)泵和電機(jī)控制,以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應(yīng)用。

全新溝道HEXFET功率MOSFET系列采用多款表面貼裝器件(SMD)封裝,電壓范圍從40V至200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級驅(qū)動MOSFET都為IR車用塑料封裝MOSFET產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)。基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻在40V下最大為1.25毫歐,60V下最大為2.1毫歐,75V下為2.6毫歐,100V下為4.0毫歐。在D2Pak-7P封裝中許多器件的最大額定電流達(dá)240A。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR全新車用溝道MOSFET系列可在下一代汽車應(yīng)用,包括集成式起動發(fā)電機(jī)和電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)應(yīng)用中實現(xiàn)基準(zhǔn)性能。”

所有IR車用MOSFET產(chǎn)品都遵循IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念,并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及100%自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1, 000次溫度循環(huán)測試后,導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過20%。然而,經(jīng)過延長測試后,IR的新款A(yù)U物料單在5,000次溫度循環(huán)時的最大導(dǎo)通電阻變化不到10%,體現(xiàn)了該物料單的高強(qiáng)度和耐用性。

新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),所采用的材料環(huán)保,不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。 

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