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實現兆瓦級太陽能與風力發(fā)電變流器小型化和高效化
搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊” 開始發(fā)售

發(fā)布時間:2012-05-10 來源:三菱電機

MPD系列IGBT模塊的產品特性:「MPD系列IGBT模塊」
  • 搭載第6代IGBT芯片,有助電力轉換設備小型化和高效化
  • 確保與現有機型互相兼容,可更換
MPD系列IGBT模塊的應用范圍:
  • 兆瓦級太陽能發(fā)電系統(tǒng)和風力發(fā)電系統(tǒng)的功率調節(jié)器等電力轉換設備

為實現低碳社會,有效利用可再生能源的太陽能發(fā)電和風力發(fā)電等兆瓦級大規(guī)模發(fā)電系統(tǒng)的建設正在不斷增加,對功率調節(jié)器等電力轉換設備的小型化和高效化要求也日益提高。如果你想要實現發(fā)電系統(tǒng)進一步小型化、高效化,一定要了解搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊”。

三菱電機株式會社定于5月31日開始發(fā)售MPD系列※1IGBT模塊的3種新產品,這些產品搭載了第6代IGBT※2  芯片,用于兆瓦級太陽能發(fā)電系統(tǒng)和風力發(fā)電系統(tǒng)的功率調節(jié)器等電力轉換設備。

本產品在2012年的PCIM Europe展 (5月8~10日在德國紐倫堡舉行)上展出。
※1  Mega Power Dual:大容量雙元件功率模塊
※2  Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極晶體
                
MPD系列IGBT模塊新產品的特點


1.搭載第6代IGBT芯片,有助電力轉換設備小型化和高效化
  • 采用第6代CSTBT※3,集電極與發(fā)射極之間的飽和電壓比以前第5代※4降低約15%
  • 柵電容比以前※4降低約30~50%
  • 最高結溫為175℃,比以前※4提高25℃,有助電力轉換設備小型化
      ※3  Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor:載流子存儲式絕緣柵雙極性晶體管
      ※4  第5世代IGBT模塊「CM900DUC-24NF」「CM1400DUC-24NF」「CM1000DUC-34NF」

2.確保與現有機型互相兼容,可更換
  • 在外形、端子排列等方面,確保與之前第5代※4互相兼容
  • 絕緣耐壓為4000V,比以前※4提高14%~60%

MPD系列IGBT模塊的
環(huán)??紤]
符合歐盟成員國限制6種特定有害物質的RoHS※5指令。
※5  Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

MPD系列IGBT模塊的發(fā)售概要

             MPD系列IGBT模塊的發(fā)售概要

MPD系列IGBT模塊的銷售目標


為實現低碳社會,有效利用可再生能源的太陽能發(fā)電和風力發(fā)電等兆瓦級大規(guī)模發(fā)電系統(tǒng)的建設正在不斷增加,這同時也對功率調節(jié)器等電力轉換設備的小型化和高效化提出更高要求。

2002年,作為處理兆瓦級電力的IGBT模塊,本公司推出了以耐壓1200V、額定電流容量900A產品為首的3種MPD系列機型。本次,為滿足發(fā)電系統(tǒng)進一步小型化、高效化的需求,本公司推出搭載第6代IGBT芯片的3種MPD系列新機型。

此外,該新產品不僅有助發(fā)電系統(tǒng)小型化和高效化,對工業(yè)機器的大容量變壓器和不間斷電源設備(UPS)等的小型化和高效化也有幫助。

MPD系列IGBT模塊的主要規(guī)格
  MPD系列IGBT模塊的主要規(guī)格

商標 :CSTBTTM是三菱電機株式會社的注冊商標。

制作工廠:三菱電機株式會社 功率器件制作所  
〒819-0192 福岡縣福岡市西區(qū)今宿東一丁目1番1號

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