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IDT新型4M系列振蕩器可替代傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器

發(fā)布時間:2012-05-18

產(chǎn)品特性:
  • 利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術(shù)
  • 可在-40℃至85℃的廣泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)運(yùn)行
  • 以更低的成本實現(xiàn)更高的頻率而無需損耗關(guān)鍵性能
  • 可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1皮秒的相位抖動運(yùn)行
適用范圍:
  • 高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布,已推出全球首款針對高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用的CrystalFree壓電MEMS(pMEMS)LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1皮秒的相位抖動運(yùn)行,使其成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器(XO)的理想替代。

IDT的4M系列高性能LVDS/LVPECL振蕩器利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術(shù),讓IDT能夠迅速在出廠時編程所需的輸出頻率,無需微調(diào)昂貴的晶體。此外,由于pMEMS的本征諧振頻率遠(yuǎn)高于石英晶體,4M振蕩器能夠以更低的成本實現(xiàn)更高的頻率而無需損耗關(guān)鍵性能。4M系列是IDT廣泛MEMS-based器件組合的首款產(chǎn)品,將為客戶提供便利、精確和低抖動的計時參考。

IDT公司副總裁兼計時與同步部門總經(jīng)理Fred Zust表示:“作為計時領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,我們的客戶一直期望IDT的pMEMS技術(shù)能夠擴(kuò)展至通信這樣的高性能應(yīng)用,通信是40億美元頻率控制市場的重要細(xì)分市場。IDT專利的pMEMS諧振器技術(shù)將壓電材料的強(qiáng)機(jī)電耦合與單晶硅的穩(wěn)定性和低阻尼相結(jié)合,允許我們憑借無與倫比的性能和可靠性實現(xiàn)便利且具有成本效益的XO替代。這些產(chǎn)品與我們屢獲殊榮的固態(tài)振蕩器相得益彰,可提供完整的頻率控制產(chǎn)品組合,從而在不斷增加的細(xì)分市場中替代石英器件。”

IDT的4M振蕩器可在-40℃至85℃的廣泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)以±50 ppm的頻率精度運(yùn)行。器件支持低壓差分信號(LVDS)和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯(LVPECL),頻率高達(dá)625 MHz,可滿足大多數(shù)通信、網(wǎng)絡(luò)和高性能計算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。除了7.0 x 5.0 mm(7050)尺寸,IDT的pMEMS振蕩器還提供5.0 x 3.2 mm(5032)小型標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝,可節(jié)省成本并在高密度的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒎庋b尺寸降至最低。經(jīng)過設(shè)計,它們與傳統(tǒng)的XO管腳兼容,使其成為理想的升級替代解決方案。

IDT的4M振蕩器已向合格客戶提供樣品,并提供基于頻率、電壓、輸出類型和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的多種配置。
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