【導(dǎo)讀】Fairchild的 40V PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品在動(dòng)力操控應(yīng)用中提供了更好的電力控制功能及更高效率，器件具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗，因此非常適合于電力操控系統(tǒng)、懸架控制及動(dòng)力傳動(dòng)管理應(yīng)用。
汽車動(dòng)力操控(Power Steering)系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案。Fairchild 的40V N 信道 PowerTrench®MOSFET 產(chǎn)品可協(xié)助設(shè)計(jì)者應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。
FDB9403 采用Fairchild的屏蔽閘極技術(shù)，改進(jìn)了電阻并降低了電容。 該器件提供比最接近競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低 20% 的 RDS(ON)值，同時(shí)具備低 Qg值，可降低了功率損耗并最終提高整體效率。 FDB9403 MOSFET 產(chǎn)品作為基本的電流控制開(kāi)關(guān)，有效地控制了電力，無(wú)任何浪費(fèi)，因此非常適合于電力操控系統(tǒng)、懸架控制及動(dòng)力傳動(dòng)管理應(yīng)用。
特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)：
在 VGS= 10V 和ID = 80A時(shí)，更低功率損耗的典型值 RDS(ON)= 1mΩ，從而實(shí)現(xiàn)更高效率
在 VGS = 10V和ID = 80A 時(shí)，典型值 Qg(tot) = 164nC，功耗更低，從而實(shí)現(xiàn)更高效率
UIS 能力
符合 RoHS 及 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)
封裝
FDB9403 采用 D2PAK TO-263AB 封裝。
Fairchild在功率半導(dǎo)體器件及模塊封裝方面的專業(yè)知識(shí)，結(jié)合大量測(cè)試、仿真及高質(zhì)量制造經(jīng)驗(yàn)，使該公司提供的產(chǎn)品在最苛刻的汽車環(huán)境中亦能可靠地工作。 由于擁有世界各地的設(shè)計(jì)、制造、組裝及測(cè)試基地，F(xiàn)airchild具有良好的裝備，從而滿足了汽車制造商在質(zhì)量、可靠性及可用性方面的需求。
