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SiC BJT:史上最高效率的1200V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)

發(fā)布時間:2013-03-29 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng) 責(zé)任編輯:abbywang

【導(dǎo)讀】飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術(shù),它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。它允許更高的開關(guān)頻率,但能保持相同或更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,從而允許使用更小的電感、電容和散熱器,不僅可降低系統(tǒng)BOM成本,而且可在相同外形因子下提高輸出功率,或以更小的外形尺寸提供相同輸出功率。

為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時間要求,工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而,在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域,要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計(jì)性能,設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度就會提高,同時還會導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。

為幫助設(shè)計(jì)人員解決這些難題,飛兆半導(dǎo)體公司開發(fā)成功了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案,進(jìn)而拓展了該公司在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

與IGBT相比,飛兆半導(dǎo)體最近開發(fā)出的碳化硅(SiC) BJT功率器件可實(shí)現(xiàn)效率和功率密度的大幅提升,無論在元件還是系統(tǒng)級,這可幫助設(shè)計(jì)工程師在其設(shè)計(jì)中滿足成本的要求,以及改善功率密度、可靠性和效率。

SiC BJT可提供更高的開關(guān)頻率和更低的損耗,從而可在相同系統(tǒng)尺寸下實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率,并降低無源元件的成本,因?yàn)樗试S使用更小的電感、電容和散熱器。

SiC BJT可提供目前市場上最低的傳導(dǎo)損耗,因?yàn)樗膶?dǎo)通電阻每平方厘米只有2.2毫歐姆,它的開關(guān)總損耗也是最低的,包括驅(qū)動器損耗。SiC BJT直流增益大于70。

SiC BJT可提供更高的開關(guān)頻率,它開與關(guān)之間的轉(zhuǎn)換時間只有20ns,而且這一性能與工作溫度無關(guān)。更重要的一點(diǎn)是,SiC BJT開關(guān)轉(zhuǎn)換時沒有尾流。

2KW SiC和IGBT升壓電路比較
2KW SiC和IGBT升壓電路比較

今天的很多電子應(yīng)用諸如可再生能源、工業(yè)控制系統(tǒng)和移動電源都要求高效率、小尺寸和重量輕。SiC BJT剛好可以滿足以上要求,與今天的任何其他晶體管(如MOSFET和IGBT)相比,它可提供業(yè)內(nèi)最高的效率,同時它還消除了許多尺寸、重量、溫度和效率方面的折中考慮。

在改善效率領(lǐng)域,SiC BJT針對的目標(biāo)應(yīng)用包括:太陽能逆變器、充電樁、移動電源、電機(jī)驅(qū)動、PFC輸入級、DC-AC轉(zhuǎn)換器、焊接系統(tǒng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。

與此同時,SiC BJT的另一大獨(dú)特性能優(yōu)勢是它可以在高溫下提供可靠的開關(guān)操作,這在油氣鉆探、能量收集、商業(yè)航空、特定的汽車和工業(yè)設(shè)計(jì)應(yīng)用中是至關(guān)重要的。在高溫應(yīng)用領(lǐng)域,SiC BJT針對的目標(biāo)應(yīng)用包括:馬達(dá)和渦輪控制、安全監(jiān)控、高溫馬達(dá)驅(qū)動、高溫執(zhí)行器控制和高溫DC轉(zhuǎn)換器。

飛兆8千瓦逆變器方案中SiC和IGBT的性能比較
飛兆8千瓦逆變器方案中SiC和IGBT的性能比較

飛兆SiC BJT的未來發(fā)展路線圖是:SiC BJT分立元件、SiC二極管、SiC電源模塊、SiC BJT IC驅(qū)動器、針對高溫應(yīng)用的SiC BJT。

先進(jìn)的SiC雙極結(jié)型晶體管(BJT)系列產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)更高的效率、電流密度和可靠性,并且能夠順利地在高溫下進(jìn)行可靠工作。 SiC BJT實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率,這是因?yàn)閭鲗?dǎo)和開關(guān)損耗較低(30-50%),從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。

這些強(qiáng)健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片,可將系統(tǒng)總體成本降低多達(dá)20%。 這些業(yè)界領(lǐng)先的SiC BJT性能出眾,可促進(jìn)更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區(qū),將在高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的功率管理優(yōu)化中發(fā)揮重大作用。

飛兆 SiC BJT是下一代功率器件技術(shù)
飛兆 SiC BJT是下一代功率器件技術(shù)

飛兆半導(dǎo)體還開發(fā)了即插即用的分立式驅(qū)動器電路板(15A和50A版本),作為整套碳化硅解決方案的一部分,與飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)SiC BJT配合使用時,不僅能夠在減少開關(guān)損耗和增強(qiáng)可靠性的條件下提高開關(guān)速度,還使得設(shè)計(jì)人員能夠在實(shí)際應(yīng)用中輕松實(shí)施SiC技術(shù)。飛兆半導(dǎo)體為縮短設(shè)計(jì)時間、加快上市速度,還提供了應(yīng)用指南和參考設(shè)計(jì)。應(yīng)用指南可供設(shè)計(jì)人員獲取SiC器件設(shè)計(jì)所必需的其他支持;參考設(shè)計(jì)有助于開發(fā)出符合特定應(yīng)用需求的驅(qū)動器電路板。

SiC BJT的特性可歸結(jié)為以下三點(diǎn):1)有史以來最高效的1200 V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)---最低的總損耗,包括開關(guān)、傳導(dǎo)及驅(qū)動器損耗。所有1200 V器件中最低的開關(guān)損耗(任意RON條件下);2)簡單直接的驅(qū)動----常關(guān)功能降低了風(fēng)險和復(fù)雜程度,并減少了限制性能的設(shè)計(jì)。穩(wěn)定的基極輸入,對過壓/欠壓峰值不敏感;3)強(qiáng)健且可靠---額定工作溫度高: Tj=175°C 。由于RON具有正溫度系數(shù),增益具有負(fù)溫度系數(shù),因此易于并聯(lián)。穩(wěn)定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力。

飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT采用TO-247封裝;符合條件的客戶從現(xiàn)在起即可獲取工程設(shè)計(jì)樣本。 
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