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原創(chuàng)經(jīng)典:開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)圖解

發(fā)布時(shí)間:2013-08-07 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)論壇 責(zé)任編輯:Cynthiali

【導(dǎo)讀】MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)管,已經(jīng)是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件,其驅(qū)動(dòng)表面上看來(lái)是非常簡(jiǎn)單,但是詳細(xì)分析起來(lái)并不簡(jiǎn)單。什么叫驅(qū)動(dòng)能力?驅(qū)動(dòng)的快慢對(duì)MOS的開(kāi)關(guān)有什么影響?驅(qū)動(dòng)電阻到底選多大?如果開(kāi)通和關(guān)斷的速度要分別調(diào)節(jié),怎么辦?……解析MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù),這些問(wèn)題都可以在本文工程師的原創(chuàng)經(jīng)典中找到答案。

首先,來(lái)做一個(gè)實(shí)驗(yàn),把一個(gè)MOSFET的G懸空,然后在DS上加電壓,那么會(huì)出現(xiàn)什么情況呢?很多工程師都知道,MOS會(huì)導(dǎo)通甚至擊穿。這是為什么呢?因?yàn)楦緵](méi)有加驅(qū)動(dòng)電壓,MOS怎么會(huì)導(dǎo)通?用下面的圖,來(lái)做個(gè)仿真:

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去探測(cè)G極的電壓,發(fā)現(xiàn)電壓波形如下:

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G極的電壓居然有4V多,難怪MOSFET會(huì)導(dǎo)通,這是因?yàn)镸OSFET的寄生參數(shù)在搗鬼。

這種情況有什么危害呢?實(shí)際情況下,MOS肯定有驅(qū)動(dòng)電路的么,要么導(dǎo)通,要么關(guān)掉。問(wèn)題就出在開(kāi)機(jī)或者關(guān)機(jī)的時(shí)候,最主要是開(kāi)機(jī)的時(shí)候,此時(shí)驅(qū)動(dòng)電路還沒(méi)上電。但是輸入上電了,由于驅(qū)動(dòng)電路沒(méi)有工作,G級(jí)的電荷無(wú)法被釋放,就容易導(dǎo)致MOS導(dǎo)通擊穿。那么怎么解決呢?

在GS之間并一個(gè)電阻

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那么仿真的結(jié)果呢:

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幾乎為0V。

下頁(yè)內(nèi)容:什么叫驅(qū)動(dòng)能力和驅(qū)動(dòng)電阻?
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什么叫驅(qū)動(dòng)能力?

很多PWM芯片或者專門的驅(qū)動(dòng)芯片都會(huì)說(shuō)驅(qū)動(dòng)能力,比如384X的驅(qū)動(dòng)能力為1A,其含義是什么呢?

假如驅(qū)動(dòng)是個(gè)理想脈沖源,那么其驅(qū)動(dòng)能力就是無(wú)窮大,想提供多大電流就給多大。但實(shí)際中,驅(qū)動(dòng)是有內(nèi)阻的,假設(shè)其內(nèi)阻為10歐姆,在10V電壓下,最多能提供的峰值電流就是1A,通常也認(rèn)為其驅(qū)動(dòng)能力為1A。

什么叫驅(qū)動(dòng)電阻呢?

通常驅(qū)動(dòng)器和MOS的G極之間,會(huì)串一個(gè)電阻,就如下圖的R3。

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驅(qū)動(dòng)電阻的作用,如果驅(qū)動(dòng)走線很長(zhǎng),驅(qū)動(dòng)電阻可以對(duì)走線電感和MOS結(jié)電容引起的震蕩起阻尼作用。但是通常,現(xiàn)在的PCB走線都很緊湊,走線電感非常小。

第二個(gè),重要作用就是調(diào)解驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)能力,調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)速度。當(dāng)然只能降低驅(qū)動(dòng)能力,而不能提高。

對(duì)上圖進(jìn)行仿真,R3分別取1歐姆,和100歐姆。下圖是MOS的G極的電壓波形上升沿。

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紅色波形為R3=1歐姆,綠色為R3=100歐姆??梢钥吹剑?dāng)R3比較大時(shí),驅(qū)動(dòng)就有點(diǎn)力不從心了,特別在處理米勒效應(yīng)的時(shí)候,驅(qū)動(dòng)電壓上升很緩慢。

下圖,是驅(qū)動(dòng)的下降沿

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下頁(yè)內(nèi)容:驅(qū)動(dòng)的快慢對(duì)MOS的開(kāi)關(guān)有什么影響
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那么驅(qū)動(dòng)的快慢對(duì)MOS的開(kāi)關(guān)有什么影響呢?下圖是MOS導(dǎo)通時(shí)候DS的電壓:

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紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢?jiàn)R3越大,MOS的導(dǎo)通速度越慢。

下圖是電流波形

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紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢?jiàn)R3越大,MOS的導(dǎo)通速度越慢。

可以看到,驅(qū)動(dòng)電阻增加可以降低MOS開(kāi)關(guān)的時(shí)候得電壓電流的變化率。比較慢的開(kāi)關(guān)速度,對(duì)EMI有好處。下圖是對(duì)兩個(gè)不同驅(qū)動(dòng)情況下,MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到

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紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆??梢?jiàn),驅(qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候,高頻諧波明顯變小

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但是驅(qū)動(dòng)速度慢,又有什么壞處呢?那就是開(kāi)關(guān)損耗大了,下圖是不同驅(qū)動(dòng)電阻下,導(dǎo)通損耗的功率曲線。

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紅色的是R3=1歐姆,綠色的是R3=100歐姆。可見(jiàn),驅(qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候,損耗明顯大了。

結(jié)論:驅(qū)動(dòng)電阻到底選多大?還真難講,小了EMI不好;大了效率不好。所以只能一個(gè)折中的選擇了。

那如果,開(kāi)通和關(guān)斷的速度要分別調(diào)節(jié),怎么辦?就用以下電路。

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