用最少零件、最簡(jiǎn)單便宜的方法,針對(duì)閘極驅(qū)動(dòng)、隔離感測(cè)與通訊電路,設(shè)計(jì)隔離式電源供應(yīng)電路。輸入電壓較低,壓差小于5%。
史上最簡(jiǎn)單隔離式偏壓電路
FET圖騰柱輸出會(huì)供應(yīng)電感電容濾波器,通過分壓器及誤差放大器負(fù)輸入調(diào)節(jié)濾波器輸出。誤差放大器控制FET的負(fù)載周期,讓DC電壓維持在感測(cè)點(diǎn)。
C6 的電壓相當(dāng)于負(fù)載率 (duty factor) 乘以輸入電壓。和降壓功率級(jí)一樣,電感的伏秒 (voltage-second) 必須等于零。但此電路在電感加入一個(gè)耦合繞組 (coupled winding) ,并且使用二極管修正低位 FET 啟動(dòng)時(shí)所反射的電感電壓。由于這段期間的電感電壓等于輸出電壓,因此電路的輸出將獲得調(diào)節(jié)。不過一次側(cè)及二次側(cè)的電壓降幅差異將降低調(diào)節(jié)的效果。在此電路中,負(fù)載的電壓調(diào)節(jié)將受到二極管 D1 正向電壓降幅的影響,若將二極管改換成 FET,即可提升負(fù)載調(diào)節(jié)的效果。
在導(dǎo)通時(shí)間內(nèi),電路狀況相當(dāng)良好,大部份的電流都流入耦合電感T1的磁化電感,使C6充電。輸出電容C3則供應(yīng)負(fù)載電流。不過,在關(guān)閉期間,兩個(gè)電容將透過電感的耦合繞組平行放置。這兩個(gè)電容具有不同的電壓,只有回路中的寄生組件會(huì)限制兩者之間的電流。這些寄生組件包括這兩個(gè)電容的ESR、耦合電感的繞組電阻、低位MOSFET與二極管的阻抗,以及耦合電感的漏損電感。