寬帶隙器件

 

與傳統(tǒng)硅技術相比，寬帶隙半導體制程技術［例如碳化硅（SiC）］的開關速度更高，因而能夠使用更小的電感器和電容器，從而降低物料成本，縮小所需的電路板空間（圖2）。碳化硅MOSFET的RDS(ON)較低，因而開關損耗也較低，通常比硅MOSFET低100倍?？傮w而言，由于碳化硅器件的導電帶隙較寬，其擊穿電壓也較高，通常可達硅器件介電強度的10倍。碳化硅還能在更高的溫度下維持導電性，從而使設備能夠運行在更高溫的環(huán)境中?？傊?，將碳化硅二極管和MOSFET用于三級充電樁可以帶來諸多優(yōu)勢，讓充電樁結構更緊湊、效率和性能更高。它不僅能夠讓充電樁的電路更加輕量化，更有可能降低組件的成本。

 

圖2：比較碳化硅器件和傳統(tǒng)硅器件的材料特性和應用優(yōu)勢（來源：安森美半導體）

 

安森美半導體碳化硅產(chǎn)品組合

 

安森美半導體是一家具備先進技術的碳化硅器件供應商，可提供適用于三級充電樁的碳化硅寬帶隙二極管和MOSFET，其中二極管產(chǎn)品系列包含適用于650V和1200V電壓的產(chǎn)品，并且提供多種封裝形式，包括Decawatt封裝（DPAK）、TO-220、直接敷銅（DBC）和基板安裝模塊。以FFSH50120A為例，這是一款采用TO-247-2封裝制造的50A、1200V反向電壓肖特基碳化硅二極管，耗散功率達到730W，能夠在溫度高達+175°C的環(huán)境下工作。

 

其碳化硅MOSFET系列包括通過1200V車用級AEC-Q101認證的N溝道NVHL080N120SC1通孔安裝器件，該器件可以連續(xù)提供高達44A的電流，最大RDS(ON)為110m?。

 

基于碳化硅的寬帶隙二極管和MOSFET具有諸多優(yōu)異的特性，非常適合用于三級充電樁。其高速開關能力、緊湊的尺寸和穩(wěn)健的屬性使之成為設計大功率、節(jié)能和緊湊型充電樁的理想選擇。

 

本文轉載自貿(mào)澤電子。