隨著電路尺寸和使用壽命的優(yōu)化,無電解電容已經(jīng)成為未來的趨勢,瓷片電容的ESR參數(shù)相對小很多,很難滿足芯片最小紋波的要求,另輸出端負(fù)載對輸出電壓紋波的要求也越來越高,因此D-CAP控制模式芯片就需要設(shè)計(jì)RCC紋波注入電路以保證整個(gè)電路的穩(wěn)定,那如何設(shè)計(jì)RCC紋波電路呢,又有哪些注意點(diǎn)呢?本文會做具體介紹。
TPS53355紋波注入電路的設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2020-10-01 來源:Frank Xiao 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】TPS53355作為D-CAP 模式的代表芯片,具有優(yōu)異的負(fù)載動態(tài)響應(yīng)性能,以及非常簡單的外部電路設(shè)計(jì)要求,被廣泛應(yīng)用于交換機(jī),路由器以及服務(wù)器等產(chǎn)品中。D-CAP模式不同于定頻電壓和電流控制模式,內(nèi)部沒有電壓誤差放大器,只有一個(gè)比較器,這樣做一方面可以實(shí)現(xiàn)變換器的快速動態(tài)響應(yīng),另一方面對輸出電容紋波就會有一定的要求,以滿足芯片內(nèi)部比較器的識別門限。
隨著電路尺寸和使用壽命的優(yōu)化,無電解電容已經(jīng)成為未來的趨勢,瓷片電容的ESR參數(shù)相對小很多,很難滿足芯片最小紋波的要求,另輸出端負(fù)載對輸出電壓紋波的要求也越來越高,因此D-CAP控制模式芯片就需要設(shè)計(jì)RCC紋波注入電路以保證整個(gè)電路的穩(wěn)定,那如何設(shè)計(jì)RCC紋波電路呢,又有哪些注意點(diǎn)呢?本文會做具體介紹。
圖1 TPS53355的RCC紋波注入電路
第一步:
設(shè)計(jì)要滿足電路的穩(wěn)定性條件判據(jù)公式(1)(其中Rr和Cr分別對應(yīng)圖1中R7和C1),這里需要考慮輸出電壓較高時(shí)輸出電容容值的衰減情況,比如5V輸出且選用6.3V耐壓的輸出電容時(shí),電容容值很可能會衰減為標(biāo)稱容值的20%左右。從而導(dǎo)致電路的不穩(wěn)定(如圖2),因此通過穩(wěn)定性判據(jù)公式可以得到芯片的最小紋波注入大?。ㄐ枰獙⒋思y波注入大小與芯片內(nèi)部比較器紋波需求、一般15mv進(jìn)行比較,選取二者中的更大值,不過一般這個(gè)值會比芯片內(nèi)部比較器紋波需求大)穩(wěn)定性判據(jù)公式(1)的具體推導(dǎo)過程本文不再贅述,有興趣可以評論區(qū)留言提問。
圖2 不穩(wěn)定時(shí)的開關(guān)波形
第二步:
設(shè)計(jì)中要判斷是否需要使用PG(power good)信號,以及是否需要使用FCCM模式,如果有以上的需求,設(shè)計(jì)時(shí)要保證芯片不觸發(fā)power good門限。因?yàn)橐坏┋B加紋波注入后的FB 觸發(fā)PG門限就會導(dǎo)致PG拉低,另使得芯片無法退出auto skip模式(如圖3)
圖3 芯片MODE 選擇設(shè)置
從圖4中我們可以判斷PG信號正常時(shí),最高FB點(diǎn)不能超過0.6V* (1+15%),鑒于15%有正負(fù)5%的變化,所以FB最大不能超過660mv,紋波注入不能超過60mv。
圖4 芯片內(nèi)部PG觸發(fā)邏輯
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