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GaN晶體管熱管理指南

發(fā)布時間:2020-11-13 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】GaN晶體管越來越多地用于各個領(lǐng)域:汽車領(lǐng)域中的電源供應(yīng)以及電流的轉(zhuǎn)換和使用。這些基于GaN的組件將很快取代之前的產(chǎn)品。讓我們看一下如何更好地管理包括臨界條件在內(nèi)的不同工作條件,以優(yōu)化電路性能并獲得出色的散熱效果。
 
GaN晶體管是當(dāng)今存在的“最冷”組件之一。它的低結(jié)電阻即使在高溫和極端條件下也可實現(xiàn)低溫和低能量損耗。這是該材料廣泛用于許多關(guān)鍵領(lǐng)域的主要原因之一,在這些關(guān)鍵領(lǐng)域中,這些領(lǐng)域往往都需要大電流。為了進(jìn)行有效的熱管理,當(dāng)然在設(shè)計和結(jié)構(gòu)層面上都需要使用適當(dāng)?shù)募夹g(shù)。
 
這些參數(shù)取決于溫度
 
在功率GaN晶體管中,元件的兩個參數(shù)在溫度上起著重要作用:RDS(on) 具有相關(guān)的工作損耗,跨導(dǎo)具有相關(guān)的開關(guān)損耗。
 
維持低溫的原因很多:
 
在最惡劣的工作條件下防止熱失控
 
減少能量損失
 
提高系統(tǒng)性能和效率
 
增加電路的可靠性
 
良好的散熱設(shè)計也會對功率密度的變化產(chǎn)生積極影響。選擇良好的基板肯定會通過減少散熱器表面(特別是在功率應(yīng)用中)減少散熱面,從而有助于更好地散熱。
 
切換方式
 
不同開關(guān)方法的實施不可避免地意味著設(shè)計上的差異,尤其是最終性能上的差異。主要的是“ ZVS軟切換模式”和“硬切換模式”。傳熱以三種不同方式發(fā)生:
 
直接接觸
 
借助空氣或水等流體
 
通過輻射,電磁波
 
圖1 清楚地總結(jié)了傳熱過程。系統(tǒng)的各個組件的行為就像電阻一樣,通過電流遇到障礙的不是電流,而是熱量。從結(jié)到散熱器,熱量通過傳導(dǎo)發(fā)生,而從散熱器到周圍環(huán)境,則通過對流發(fā)生。
 
GaN晶體管熱管理指南
圖1:熱量通過各種方式從結(jié)點傳遞到周圍環(huán)境。
 
安裝技巧
 
GaN在PCB上的物理安裝位置,電氣和戰(zhàn)略層面的散熱程度具有決定性的影響。在相同的工作條件下,組件和散熱器的不同位置決定了整個系統(tǒng)的熱性能差異。要使用兩個GaN晶體管,建議使用帶有M3型螺孔中心孔的小型散熱器。這樣,兩個組件上的壓力達(dá)到平衡(圖2a)。但是,我們絕不能增大GaN上散熱器的擠壓,因為這會導(dǎo)致機(jī)械應(yīng)力的危險增加。如果必須使用更大的散熱器,則必須鉆兩個或多個孔,以最大程度地減少安裝支架的彎曲或扭曲(圖2b))。SMD組件是最容易彎曲的組件。應(yīng)在開關(guān)組件附近開孔,以增加對較冷表面的附著力。
 
GaN晶體管熱管理指南
圖2:GaN散熱器的使用
 
盡管電源電路的設(shè)計是成熟的技術(shù),但應(yīng)始終牢記法規(guī)。使用散熱器時,必須滿足有關(guān)散熱的標(biāo)準(zhǔn)以及電路上組件和走線的最小距離所規(guī)定的要求。在距離必須符合法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的區(qū)域,必須使用熱界面材料(TIM)覆蓋散熱器的邊緣。這是為了改善兩個部分之間的熱耦合。還要避免在GaN器件附近放置通孔組件(THC)。為了優(yōu)化空間,可以使用基座來抬起散熱器,以允許將表面安裝(SMT)組件放置在散熱器本身的正下方(請參見圖3)。
 
GaN晶體管熱管理指南
圖3:升高散熱器可優(yōu)化空間。
 
GaN的并聯(lián)
 
為了顯著提高電路的功率,可以并聯(lián)連接多個GaN晶體管,如圖4所示。負(fù)載可能非常大,并且開關(guān)電流會大大增加。使用這些方法,即使冷卻系統(tǒng)也必須非常有效。不同的實驗可能有不同的散熱系統(tǒng),其中包括以下測試:
 
自然對流,無散熱器
 
帶獨立散熱器的強(qiáng)制冷空氣
 
與普通散熱器并聯(lián)的強(qiáng)制冷空氣
 
通過將設(shè)備的最佳特性與最佳散熱解決方案相結(jié)合,可以增加系統(tǒng)可以達(dá)到的最大功率。實際上,通過減小GaN晶體管之間的并聯(lián)連接的熱阻,可以實現(xiàn)該結(jié)果。
 
GaN晶體管熱管理指南
圖4:并聯(lián)連接GaN晶體管會增加功率并降低電阻。
 
SPICE模型
 
GaN Systems提供兩種不同的SPICE模型,即L1和L3模型(見圖5)。為了在熱實現(xiàn)下運行,必須使用第二個模型。然而,在這種情況下,寄生電感將更高。讓我們詳細(xì)了解兩種類型的模型之間的區(qū)別:
 
L1模型具有四個端子(G,D,S,SS)。它用于一般開關(guān)仿真,其中仿真器的處理速度是最重要的。
 
L3模型具有六個端子(G,D,S,SS,Tc,Tj)。加上了熱模型和寄生電感模型。
 
該模型基于組件的物理特征和設(shè)備的結(jié)構(gòu)。根據(jù)模擬的目的,引腳Tj可用作輸入或輸出。通過這種方式,可以執(zhí)行兩種不同類型的研究:
 
用作輸入時,可以將引腳Tj設(shè)置為恒定值,以檢查特定Tj值下的E(開)/ E(關(guān))比。
 
用作輸出時,可以在靜態(tài)和瞬態(tài)模式下驗證引腳Tj。
 
GaN晶體管熱管理指南
圖5:GaN晶體管的SPICE模型
 
結(jié)論
 
GaN晶體管可提供出色的結(jié)果以及出色的散熱性能。為了獲得最大的功率性能,甚至以千瓦為單位,必須最大化項目的電氣和熱量。如果對系統(tǒng)進(jìn)行了適當(dāng)?shù)姆治龊蛯嵤?,它實際上可以在相對較低的溫度下處理非常高的功率。要使用的技術(shù)涉及各種參數(shù),例如散熱器的位置,形狀和高度,焊縫的形狀和尺寸,GaN器件的平行度以及開關(guān)頻率。GaN晶體管的使用案例在市場上越來越多,其特點是支持更高的電壓和電流以及更低的結(jié)電阻,以滿足高功率領(lǐng)域公司的所有要求和需求。
 
 
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