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這些功率器件撐起3,000億特高壓建設(shè)

發(fā)布時間:2022-10-31 來源:貿(mào)澤電子 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵,隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出,中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個關(guān)鍵問題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡,風(fēng)電、太陽能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部,用電則主要集中在中東部。并且風(fēng)電和太陽能(光伏)等發(fā)電方式波動性較大,在新能源布局較多的西北部地區(qū),由于用電負(fù)荷低于發(fā)電量,造成了較高比例的“棄風(fēng)”、“棄光”現(xiàn)象。


將大規(guī)模波動性新能源發(fā)電接入電網(wǎng),一方面要提高儲能技術(shù),另一方面也要改善輸配電狀況,“西電東送”是解決能源分布不均的重要途徑,而“西電東送”的實現(xiàn)則離不開特高壓技術(shù)。


特高壓具有輸電容量大、輸電距離遠(yuǎn)、傳輸損耗低、占地少、經(jīng)濟性明顯等特點?!笆奈濉逼陂g,中國國家電網(wǎng)規(guī)劃建設(shè)特高壓線路“24交14直”,涉及線路3萬余公里,變電換流容量3.4億千伏安,總投資3,800億元。2022年,中國國家電網(wǎng)再開工建設(shè)“四交四直”8項特高壓工程,總投資超過1,500億元,特高壓建設(shè)迎來新一輪高潮,也拉動了相應(yīng)產(chǎn)業(yè)鏈的成長。


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圖1:特高壓輸電示意圖

(圖源:中商產(chǎn)業(yè)研究院)


本文我們將重點討論特高壓技術(shù)的優(yōu)勢和挑戰(zhàn),以及應(yīng)用于特高壓系統(tǒng)的功率器件有哪些,并為大家推薦幾款貿(mào)澤電子平臺在售的、可用于特高壓系統(tǒng)的功率器件。


特高壓輸電的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)


輸電電壓按等級可以分為低壓、高壓、超高壓和特高壓幾種,低壓通常是220V和380V,也就是家用和一般工業(yè)用電的電壓;高壓指的是電壓等級在10KV-220KV,城市高壓電纜一般埋在地下,野外則是架在鐵塔上為主;超高壓范圍在330KV-750KV之間,通常是水力、火力發(fā)電等輸送的電壓;特高壓通常是指±1,000KV及以上交流和±800KV及以上的直流輸電。


如圖1所示,特高壓既有交流又有直流模式,具體哪種模式好,目前產(chǎn)業(yè)界尚無定論。交流模式的優(yōu)勢在于能夠和現(xiàn)階段的電網(wǎng)系統(tǒng)直接接入,直流模式的優(yōu)勢則在于損耗小,傳輸距離遠(yuǎn),抗故障能力強,同樣電壓等級能傳輸更大功率,不過直流模式和當(dāng)前的交流電網(wǎng)系統(tǒng)在融合時,需要額外增加換流系統(tǒng)。當(dāng)然,無論是交流還是直流模式,與高壓、超高壓輸電相比,特高壓的優(yōu)勢都是顯著的。


首先,特高壓傳輸效率高


1,000KV特高壓交流輸電線路輸送功率約為500KV輸電線路的5倍;±1,100KV特高壓直流輸電能力是±500KV輸電線路的4倍。


其次,特高壓輸電距離遠(yuǎn),線路損耗低


輸送相同功率時,1,000KV交流特高壓和±1,100KV直流特高壓的輸電距離分別是500KV輸電線路的4倍和5倍,而線路損耗只有500KV線路的四分之一。


第三,節(jié)約用地


在輸送功率相同的情況下,與500KV超高壓輸電線路相比,采用1,000KV線路輸電單位容量線路走廊占地減少30%,可節(jié)省60%的土地資源。


當(dāng)然,特高壓作為新型電力系統(tǒng)的核心技術(shù),在具體實施的過程中也面臨著很多挑戰(zhàn)。特高壓系統(tǒng)的柔性便是一個挑戰(zhàn),再回頭看圖1,并且我們開篇也提到了,新能源發(fā)電是特高壓系統(tǒng)的重要供電源之一,新能源發(fā)電的隨機性、波動性、間歇性需要特高壓系統(tǒng)具備智能、柔性的調(diào)節(jié)能力;特高壓系統(tǒng)帶來的另一個典型挑戰(zhàn)是系統(tǒng)檢修,對于人類巡檢員來說,特高壓系統(tǒng)檢修被定義為“終極挑戰(zhàn)”,非常危險,并且很多新能源發(fā)電設(shè)備地處偏遠(yuǎn),進(jìn)一步增加了巡檢的難度。


特高壓生態(tài)中的功率器件


下面,我們通過直流特高壓輸電系統(tǒng)具體看一下,整個生態(tài)中會用到哪些功率器件。


直流輸電核心器件主要由換流站(換流閥)和功率半導(dǎo)體(晶閘管/IGBT)組成。換流閥是直流輸電的核心,價值量集中、技術(shù)壁壘高。換流閥中的功率半導(dǎo)體組件是換流閥中價值量占比最高的部分,由大量晶閘管、IGBT組成。許繼電氣在投資者互動平臺表示,特高壓直流項目中,換流閥占整個建設(shè)成本的比例約為10%,占電力設(shè)備成本的比重約為30%,而IGBT則占據(jù)了柔性直流換流閥成本的近三分之一,常規(guī)直流換流閥采用晶閘管比較多,相對便宜一些。


隨著電力系統(tǒng)的電力電子柔性化進(jìn)程加快,焊接型IGBT模塊在容量、效率、電路拓?fù)浜涂煽啃缘确矫娑茧y以滿足應(yīng)用需求,而壓接型IGBT作為一種容量更大、更易串聯(lián)應(yīng)用的新型封裝形式,是特高壓柔性直流輸配電技術(shù)的關(guān)鍵核心器件。


為了克服特高壓系統(tǒng)巡檢難題,5G+特高壓深度融合,通過一種專門為特高壓電網(wǎng)系統(tǒng)建設(shè)的5G基站,承載密集通道智能運檢業(yè)務(wù)的電力5G虛擬專網(wǎng),幫助完成特高壓系統(tǒng)的無人機巡檢、高精度定位、智能AI操作等功能。在特高壓質(zhì)檢系統(tǒng)中,晶閘管、IGBT、IGBT模塊以及智能功率模塊的用量都不小。


當(dāng)前,功率半導(dǎo)體器件正朝著提升功率密度、提高開關(guān)速度、降低工作損耗、提高耐溫和增強可靠性等方向發(fā)展;但也面臨著器件結(jié)構(gòu)精細(xì)化、功能集成與智能化、熱管理與可靠性、新型材料與工藝等方面的技術(shù)挑戰(zhàn)。在特高壓輸電生態(tài)中對功率器件總體要求是高電壓、大功率、效率高、熱性能好、可靠性高,只有具備多年技術(shù)積累的功率器件廠商,才有機會成為特高壓生態(tài)的供應(yīng)商。


綜上所述,電子元器件在特高壓生態(tài)中發(fā)揮著重要作用,從特高壓輸電到發(fā)電、配電和用電,工程師都可以在貿(mào)澤電子官網(wǎng)上去查找所需元器件,以及相應(yīng)的技術(shù)資料。下面我們推薦幾款貿(mào)澤電子在售的,適用于特高壓電網(wǎng)生態(tài)的功率器件。


可用于光伏逆變器的SiC MOSFET


太陽能光伏發(fā)電是特高壓電力傳輸?shù)哪茉垂┙o來源之一。而逆變器作為光伏發(fā)電的關(guān)鍵設(shè)備,主要的作用是將光伏組件發(fā)出的直流電通過功率模塊轉(zhuǎn)變成可以并網(wǎng)的交流電,除此之外,逆變器還承擔(dān)著檢測組件、電網(wǎng)和電纜運行狀態(tài),以及通信等功能。傳統(tǒng)上,光伏逆變器利用IGBT來實現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換,但相比硅基工藝的IGBT,基于第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)工藝的功率管有更明顯的優(yōu)勢。


硅基功率器件耐壓值越高,其單位面積導(dǎo)通電阻就越大,IGBT就是為耐高壓器件減少導(dǎo)通電阻而出現(xiàn)的,通過控制電導(dǎo)率,IGBT向漂移層內(nèi)注入少數(shù)載流子空穴,因而導(dǎo)通電阻比MOSFET還小,但由于少數(shù)載流子的聚積,IGBT在關(guān)斷時會產(chǎn)生尾電流,從而造成較大的開關(guān)損耗。SiC器件在漂移層的阻抗比硅器件低,因而不用調(diào)制電導(dǎo)率就能以MOSFET實現(xiàn)高耐壓與低阻抗,而且MOSFET不會產(chǎn)生尾電流,所以用SiC MOSFET替換IGBT時,能夠明顯減少開關(guān)損耗,而且SiC MOSFET的高頻特性更好,可以在IGBT不能工作的高頻開關(guān)條件下去驅(qū)動電路,從而減少電源模塊中電感的體積。


我們?yōu)榇蠹彝扑]的第一款元器件來自制造商安森美(onsemi),是一款SiC MOSFET,貿(mào)澤電子網(wǎng)站上的物料號為NTH4L022N120M3S,大家可以通過查詢此物料號快速了解該器件的相關(guān)信息。


NTH4L022N120M3S屬于安森美 M3S 1200V 碳化硅(SiC)MOSFET,針對快速開關(guān)應(yīng)用做了優(yōu)化。該器件支持安森美的M3S技術(shù),漏源導(dǎo)通電阻為22毫歐,且降低了EON和EOFF損耗。該器件由18V柵極驅(qū)動時可提供最佳性能,但也可與15V柵極驅(qū)動配合使用。此系列SiC MOSFET具有低開關(guān)損耗,采用TO247-4LD封裝,降低了寄生電感。


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圖2:NTH4L022N120M3S結(jié)構(gòu)與封裝

(圖源:安森美)


利用NTH4L022N120M3S,可實現(xiàn)直流到交流、交流到直流,以及直流到直流的轉(zhuǎn)換,應(yīng)用方式廣泛,因而在電網(wǎng)設(shè)施中,NTH4L022N120M3S既可以用于光伏發(fā)電中的逆變器,也可以用于儲能系統(tǒng)。


光伏逆變器中的半橋SiC模塊


光伏逆變器的主逆變電路有半橋和全橋電路等類型。半橋逆變器由兩個功率器件開關(guān)串聯(lián)組成,輸出端位于兩個開關(guān)的中點,由上下兩個開關(guān)的開通、關(guān)斷來決定輸出的電壓。半橋逆變器配合兩個分壓電容,可以輸出雙端之間的高頻交流電。開關(guān)旁一般需要并聯(lián)續(xù)流二極管,以便在感性負(fù)載時起到續(xù)流作用。半橋逆變器配合正負(fù)雙電壓源,可以輸出雙端的完全交流、含有直流分量的交流以及完全直流信號。


半橋逆變電路的功率開關(guān)元器件少,結(jié)構(gòu)簡單,但主電路交流輸出的電壓幅值僅為輸入電壓的一半,在同等容量下,其功率開關(guān)的額定電流為全橋逆變電路中的功率元器件額定電流的2倍,由于分壓電容的作用,該電路還具有較強的抗電壓輸出不平衡能力。


接下來,我們就推薦一款貿(mào)澤電子官網(wǎng)在售的安森美半橋SiC模塊,在貿(mào)澤電子的物料號為NXH006P120MNF2PTG。


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圖3:NXH006P120MNF2PTG

(圖源:貿(mào)澤電子)


NXH006P120MNF2PTG半橋SiC模塊由兩個工作電壓1200V的SiC MOSFET開關(guān)和1個熱敏電阻構(gòu)成,采用F2封裝。兩個SiC MOSFET開關(guān)采用M1技術(shù),由18V至20V柵極驅(qū)動,導(dǎo)通電阻僅為6mΩ。該模塊采用平面技術(shù),裸片熱阻低,因此可靠性高,配合熱敏電阻,可以滿足逆變器工作時對于溫度控制的要求。


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圖4:NXH006P120MNF2PTG系統(tǒng)電路

(圖源:安森美)


NXH006P120MNF2PTG支持的工作結(jié)溫范圍從-40°C至+175°C,在結(jié)溫175℃時能承受的最大連續(xù)漏級電流為304A,最大功耗為950W,是一款高性能、低損耗的半橋模塊,非常適合太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)和UPS等電力電子應(yīng)用,也可用于電動汽車充電樁領(lǐng)域。


光伏逆變器中的SiC二極管


在光伏逆變器市場,SiC二極管由于耐高壓、耐高溫、抗輻射強、小尺寸、功率密度高、容易冷卻等優(yōu)點,非常受市場青睞,尤其是在光伏逆變器的前級MPPT電路中,SiC二極管的這些優(yōu)勢更加被重視。根據(jù)光伏逆變器從業(yè)人士分享的數(shù)據(jù),相較于使用Si二極管,使用SiC二極管的光伏逆變器,在系統(tǒng)損耗上能夠減少30%,在產(chǎn)品體積和重量上能夠減少40%-60%。


下面,我們?yōu)榇蠹彝扑]一款安森美SiC二極管,貿(mào)澤電子網(wǎng)站上該器件的物料號為NDC100170A。


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圖5:NDC100170A器件橫截面示意圖

(圖源:安森美)


NDC100170A基于安森美全新技術(shù)打造,最高結(jié)溫+175°C,Vrrm(重復(fù)反向電壓)為1.7kV,并具有出色的高浪涌電流能力。與硅器件相比,可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。該二極管無反向恢復(fù)電流,并具有溫度獨立的開關(guān)特性以及出色的熱性能。


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圖6:NDC100170A正向特性

(圖源:安森美)


綜合而言,NDC100170A能夠為光伏逆變器系統(tǒng)提高系統(tǒng)效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI、減小系統(tǒng)尺寸并降低成本。此外,除了適用于光伏逆變器市場,NDC100170A也可用于工業(yè)電源以及風(fēng)力發(fā)電逆變器領(lǐng)域。


可用于基站UPS的IGBT


如上文所述,5G+特高壓已經(jīng)成為智能電網(wǎng)里面的一對黃金組合,既提高了特高壓系統(tǒng)的運維效率,也對人類巡檢員起到了保護(hù)作用。不過,當(dāng)我們對比用于特高壓系統(tǒng)的5G基站和普通通信用5G基站時,前者所處的環(huán)境更加惡劣,溫濕度變化更大,且遭遇暴雨雷擊的概率也更高,那么配備UPS就是系統(tǒng)的必然選擇。


下面,我們?yōu)榇蠹彝扑]的這款器件依然是來自安森美,貿(mào)澤電子網(wǎng)站上該器件的物料號為FGHL50T65MQDT,是一顆可用于UPS系統(tǒng)的IGBT。


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圖7:FGHL50T65MQDT

(圖源:貿(mào)澤電子)


FGHL50T65MQDT是場終止溝槽型IGBT,為第4代中速IGBT技術(shù),最高工作結(jié)溫為+175°C,具有正溫度系數(shù),便于并聯(lián)工作。


如下圖8所示,F(xiàn)GHL50T65MQDT具備出色的大電流能力,此外該器件出色的特征還包括平滑和優(yōu)化的開關(guān)以及緊密的參數(shù)分布,再加上該器件100%經(jīng)過ILM測試,能夠從容應(yīng)對特高壓系統(tǒng)下5G基站對于UPS的巨大挑戰(zhàn)。


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圖8:FGHL50T65MQDT典型輸出特性

(圖源:安森美)


當(dāng)然,除了用于UPS設(shè)備,F(xiàn)GHL50T65MQDT也可用于太陽能逆變器、ESS、PFC和轉(zhuǎn)換器等豐富場景。


“雙碳”目標(biāo)拉動功率器件創(chuàng)新


以新能源、特高壓為代表的新型電網(wǎng)正在逐漸改變中國能源結(jié)構(gòu),在實現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的過程中,電網(wǎng)建設(shè)領(lǐng)域有大量功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用場景,電網(wǎng)創(chuàng)新發(fā)展給功率器件提供了難得的發(fā)展機遇,類似于特高壓或光伏逆變器元器件廠商及電力模塊設(shè)計者都需要針對電網(wǎng)具體應(yīng)用方向來優(yōu)化技術(shù)方案,為工程師提供更好的技術(shù)選擇。


而貿(mào)澤電子官網(wǎng)就像一個巨大的“儲能基地”,為工程師提供了電網(wǎng)解決方案中需要用到的功率器件、功率模塊和各種周邊元器件,還有各種技術(shù)教程和相關(guān)資料。貿(mào)澤電子這樣的“儲能基地”正在為工程師在電力電子技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新提供源源不斷的動力。


來源:貿(mào)澤電子



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