你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

基于DRV824X-Q1系列的TEC控制系統(tǒng)

發(fā)布時間:2022-11-09 來源:TI 責任編輯:wenwei

【導讀】在聚合酶鏈式反應(Polymerase chain reaction, PCR)設備中,需要通過控制試管內的溫度使得管內的DNA進行高溫變性(將DNA解螺旋為雙鏈DNA)、低溫退火(將引物與模板DNA進行互補配對)、中溫延伸(在恒溫的作用下進行擴增)。圖1展示了NDA復制的溫度控制周期。


15.png

圖1 PCR的溫度控制曲線


PCR設備中設備升降溫速度和溫度控制精度是很重要的指標。不同于傳統(tǒng)的水浴加熱,風扇制冷的方式,基于半導體制冷片(Thermo Electric Cooler, TEC,也叫Peltier或帕爾貼)溫度控制系統(tǒng)具有體積小,重量輕,制冷速度快,控制方式簡單靈活等優(yōu)勢。TEC的制冷原理如圖2所示,當電壓正向偏置的時候TEC制冷,當電壓反向偏置的時候,TEC發(fā)熱。


16.png

圖2 TEC溫度控制原理


由于TEC制冷和發(fā)熱的速率和電流的大小有關。為了快速升溫一般幾個帕爾貼級聯(lián),此時需要高于能夠承受10A的電流驅動電路。傳統(tǒng)的TEC控制電路使用分立元件搭建H橋驅動,如圖3所示,這種方案設計復雜,尺寸大,但是能夠承受大電流。高度集成節(jié)省布板空間和成本。


17.png

圖3 基于H橋的TEC控制電路


DRV824X-Q1在TEC控制中的應用


TI現(xiàn)推出DRV824X-Q1系列的高集成度直流電機驅動方案,其采用BiCMOS高功率工藝技術,可提供出色的功率處理和熱性能,該系列引腳兼容,一旦完成一個設計,容易擴展到這個系列其他的料號。以DRV8245-Q1為例,該器件作為TEC的H橋控制芯片具有以下優(yōu)勢。


一.超高集成度且支持高達32A的輸出驅動電流,并支持100%占空比PWM


其集成了H橋驅動所需的預驅加MOSFET,超高的集成度可以節(jié)約布板空間以及簡化設計。DRV8245-Q1的內部結構如圖4所示。該器件使用TI的HotRodTM QFN (FCOL QFN)封裝,該封裝具有小尺寸、低寄生效應以及支持高電流等優(yōu)勢。HotRodTM QFN封裝技術將這些大功率驅動器的封裝尺寸減小了一半以上、同時仍保持了TEC應用中所需的高電流驅動能力。在H橋驅動中可支持高達32A的峰值電流、在半橋驅動中可支持高達46A的峰值電流。由圖可看出該器件內部集成電荷泵穩(wěn)壓器,可以支持具有100%占空比運行的N溝道MOSFET。表1總結了DRV824X-Q1系列的Ron(LS+HS)參數(shù)。由表可見該系列Ron(LS+HS)最小可達32mΩ。


18.png

圖4 DRV8245-Q1內部功能框圖


1666265036689502.png

表1 DRV824X系列的Ron(LS+HS)


二.可配置的壓擺率和SSC(Spread Spectrum Clocking)優(yōu)化EMI


該器件在SPI版本,其SR有8-level的可調設置。由表1可知,通過寫入寄存器S_SR,可隨時更改壓擺率設置。同時SPI版本里面也支持SSC(Spread Spectrum Clocking)。


20.png

表2 DRV8245-Q1 SR Table


三.集成各種保護功能


DRV824X-Q1系列集成各種保護功能、以確保器件穩(wěn)健性。


1. 過流保護(OCP)和過溫保護


在發(fā)生硬短路事件時,每個MOSFET上的模擬電流限制電路也會限制器件的峰值電流。如果輸出電流超過過流閾值IOCP的時間超過tOCP,則會檢測到過流故障。


該器件在裸片周圍有多個溫度傳感器。如果任何傳感器檢測到TTSD設置的過熱事件、時間大于tTSD,則檢測到過熱故障。


2. Off-State的負載監(jiān)控功能(OLP)


當功率FET關斷時,可以待機狀態(tài)下確定OUTx節(jié)點的阻抗。通過此診斷、可以被動檢測待機狀態(tài)下的以下故障情況,如圖5所示:


●    輸出對VM或GND短路,阻抗< 100 Ω

●    對于全橋負載或低側負載開路,負載阻抗> 1K Ω

●    在VM=13.5V時,高側開路,負載阻抗> 10k Ω

 

21.png

圖5 全橋狀態(tài)下的Off-State診斷示意圖


3. On-state的負載診斷(OLA)


在PWM開關轉換期間,當LS FET關斷時,感性負載電流通過HS體二極管流入VM。該器件會在OUTx上查找到高于VM的電壓尖峰。當負載電流高于FET驅動器發(fā)出的下拉電流(IPD_OLA),可以觀察到該電壓尖峰。在3個連續(xù)再循環(huán)開關周期內不存在此電壓尖峰表示負載電感損耗或負載電阻增加、并被檢測為OLA故障。


22.png

圖6 On-State診斷示意圖


相關的資料:


●    Reference design

DRV824x-Q1 Automotive Side Mirror Fold Demo – YouTube


●    Technical blog content or white paper

How integrated brushed-DC solutions can reduce size, enhance protection and simplify design in automotive motors


Benefits of flip chip on leadframe packaging for motor-drive applications


●    Selection and design tools and models

DRV8243-Q1, DRV8244-Q1, DRV8245-Q1


Full Bridge Driver Junction Temperature Estimator (Rev. B) can be found under “Design tools & Simulation” on product pages.


●    Development tool or evaluation kit

DRV8243H-Q1EVM, DRV8243S-Q1LEVM, DRV8244H-Q1EVM, DRV8244S-Q1LEVM, DRV8245H-Q1EVM, DRV8245S-Q1LEVM


參考資料:


●    How integrated brushed-DC solutions can reduce size, enhance protection and simplify design in automotive motors

●    DRV8245-Q1 Automotive H-Bridge Driver with Integrated Current Sense and Diagnostics datasheet (Rev. B)

●    PCR反應中的強大新技術:讓基因分析變得更快更便宜


來源:TI

作者:Holly Hong



免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請聯(lián)系小編進行處理。


推薦閱讀:


Interlock互鎖電路在不同驅動器下的實現(xiàn)

射頻微波晶體管的發(fā)展現(xiàn)狀及分析

滿足數(shù)據(jù)中心和服務器 SMPS 發(fā)展趨勢需求的封裝和熱解決方案

詳解高壓熱插拔控制器SGM25701A

軸流式風扇vs離心式風扇:電子系統(tǒng)散熱,該選誰?

特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉