【導(dǎo)讀】富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。
前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅(qū)動電壓，以及SiC器件驅(qū)動設(shè)計中的寄生導(dǎo)通問題。本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設(shè)計工程師在選擇功率開關(guān)器件時參考！
電力電子行業(yè)功率器件的不斷發(fā)展，第三代半導(dǎo)體（SiC，GaN）代替硅半導(dǎo)體已經(jīng)是大勢所趨。
由于Si MOSFET其輸入阻抗高，隨著反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了在高壓大電流場合的應(yīng)用。為了進一步提高開關(guān)電源的效率，迫切需要一種能承受足夠高耐壓和極快開關(guān)速度，且具有很低導(dǎo)通電阻和寄生電容的功率半導(dǎo)體器件。
SiC MOSFET有極其低的導(dǎo)通電阻RDS（ON），導(dǎo)致了極其優(yōu)越的正向壓降和導(dǎo)通損耗, 并且具有相當(dāng)?shù)偷臇艠O電荷和非常低的漏電流，能適合超快的開關(guān)速度，更適合高電壓大電流高功率密度的應(yīng)用環(huán)境。
我們都知道開關(guān)電源的頻率越高，每秒開關(guān)管改變狀態(tài)的次數(shù)就越多，開關(guān)損耗和與開關(guān)頻率成正比。
富昌電子在長期的電源電路研究中發(fā)現(xiàn)：開關(guān)電源中所有與開關(guān)頻率有關(guān)的損耗，最顯著的往往是開關(guān)管自身產(chǎn)生的損耗。
本文從MOSFET的寄生電容的角度，結(jié)合BOOST PFC電路對Si MOSFET和SiC MOSFET展開討論。
對于功率MOSFET寄生電容,在開關(guān)轉(zhuǎn)換的階段，MOSFET柵極表現(xiàn)為一個簡單的輸入電容。通過驅(qū)動電阻 充電或放電。實際上，柵極對漏極和原極之間發(fā)生的事情“漠不關(guān)心”。功率MOSFET可等效為下圖：
從驅(qū)動信號角度去觀察柵極，有效輸入充電電容Cg是Cgs與Cgd并聯(lián)：
因此，柵極電容充放電循環(huán)的時間常數(shù)為：
從這個公式來看，似乎暗示著MOSFET導(dǎo)通和關(guān)斷時的驅(qū)動電阻是一樣，實際上兩者有比較大的差別，那是因為，我們希望導(dǎo)通時的速率稍慢，而關(guān)斷時的速率稍快的原因。
MOSFET的寄生電容在交流系統(tǒng)中的表示方法為：有效輸入電容Ciss，輸出電容Coss，反向傳輸電容Crss. 它們都與MOSFET寄生電容有關(guān)：
通常也會寫成：
為了在同條件下比較Si MOSFET 和 SiC MOSFET的寄生結(jié)電容對高頻電源效率的影響。我們用全電壓輸入，輸出500w，工作頻率75kHz的PFC電路來做比較，選擇onsemi, SI MOSFET FQA6N90C 和 SiC MOSFET NTHL060N090SC1來完成該對比。
富昌電子在研究過程中了解到，輸出功率達到500W，Si MOSFET 需要兩個MOS 并聯(lián)才能滿足設(shè)計要求，本文中我們暫且忽略這個差別，先從單個的SI MOSFET和SiC MOSFET來做比較。
靜態(tài)寄生參數(shù)對比：
FQA6N90C (SI MOSFET)
NTHL060N090SC1（SiC MOSFET）：
在實際MOSFET 工作過程中的電壓和電流波形如下：
MOSFET的導(dǎo)通過程中的驅(qū)動損耗在 t1+ t2+ t3 +t4時間內(nèi)產(chǎn)生，而交叉時間僅為：t2+ t3，關(guān)斷過程中的驅(qū)動損耗在 t6+ t7+ t8 +t9時間內(nèi)產(chǎn)生，而交叉時間僅為：t7+ t8 。
假設(shè)MOSFET門極的驅(qū)動電阻為10歐姆，關(guān)斷電阻為5歐姆，可得FQA6N90C時間常數(shù)Tg：
導(dǎo)通過程T2的周期時間為：
導(dǎo)通過程T3的周期時間為：
因此導(dǎo)通過程中的交叉時間為：
導(dǎo)通過程的交叉損耗為:
同理關(guān)斷過程交叉損耗為：
總的交叉損耗為:
寄生電容C_ds，因為它不和柵極相連，因此不影響到MOSFET導(dǎo)通過程中的V-I交叉損耗。但是，該電容在MOSFET關(guān)斷時充電，在MOSFET導(dǎo)通時把儲能全部傾瀉到MOSFET中。因此在計算MOSFET的損耗時，該電容不能忽略，特別在離線式的AC-DC的電源中，該寄生電容嚴(yán)重影響到電源的效率。在低壓輸入的電源中，該電容對效率的影響表現(xiàn)的不是很明顯。
可得FQA6N90C寄生電容總損耗為：
相同的計算過程可得，NTHL060N090SC1 SIC MOSFET寄生電容總損耗為：
富昌電子研究結(jié)論：在同樣輸入和輸出的電參數(shù)，封裝幾乎相同的條件下，比較Si Mosfet和SiC Mosfet寄生電容帶來的損耗可知，SiC節(jié)省了60%的寄生損耗。如果采取兩顆Si MOFET并聯(lián)，達到輸出500W PFC的設(shè)計目的，Si MOFET寄生電容的損耗是SiC的3.07倍。
總結(jié)
本文針對MOS的寄生電容做出了分析，并選用onsemi同等功率的SiC與SiMOST進行了設(shè)計比較。這部分的損耗，只是電路實際工作過程中MOSFET損耗的一部分，MOSFET的損耗分析稍顯復(fù)雜， 此處沒有展開探討，富昌電子后續(xù)會連載文章，剖析電路設(shè)計中的難點。敬請期待！
來源：FUTURE
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