你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

針對電動馬達(dá)控制,在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時的考慮

發(fā)布時間:2023-06-28 來源:Bourns 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】針對所有的應(yīng)用,人們越來越注意電動馬達(dá)的運作效率;因此,對高效率驅(qū)動器的需求變得日益重要。此外,使用馬達(dá)驅(qū)動的設(shè)計,例如電動馬達(dá)、泵和風(fēng)扇,需要降低整體成本,且需要減低這些電動馬達(dá)應(yīng)用中的能耗;因此,為電動馬達(dá)及其的驅(qū)動指定高效率的設(shè)計,以適合每項特定應(yīng)用變得更加重要。


面對今日要求更高的電壓或更高的電流以及更低頻率的電動馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用,廣為人知且被廣泛使用的開關(guān)組件解決方案絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 即是一項絕佳的選擇。因為多數(shù)馬達(dá)在較低頻率運作,要求可靠的安全工作區(qū)(SOA)和短路額定值,且需要將效率最大化,因此具有共同封裝二極管的 IGBT 非常適合這些應(yīng)用。包括 IGBT 的電流處理能力和峰值電壓額定值等因素,決定一款特定的IGBT 是否能夠支持馬達(dá)的負(fù)載要求。


本應(yīng)用手冊說明在馬達(dá)控制上,采用 IGBT 的各項優(yōu)點,討論 IGBT 在工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動設(shè)計中所扮演的角色、開關(guān)和傳導(dǎo)性如何影響 IGBT 的選擇,以及了解短路耐受時間的重要性。文中以重點方式闡述為何使用 Bourns 先進的離散式 IGBT 進行設(shè)計,有助延長工業(yè)系統(tǒng)應(yīng)用中的驅(qū)動器和電動馬達(dá)的壽命,并可提高效率。


將工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動器的效率最大化


典型的馬達(dá)驅(qū)動器由若干部分組成。圖 1 顯示一個典型的馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用,這個馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用使用來自 AC電源線的電源,并依照用戶輸入,將電源用于電動馬達(dá)。使用 IGBT 制作出一個功率因子校正(PFC)整流器,如同不間斷電源 (UPS) 中的設(shè)計。馬達(dá)制動電路由 IGBT 組成,這些 IGBT 在馬達(dá)停止時耗散馬達(dá)的功率或?qū)⒍嘤嗟哪芰總魉突?AC 輸入,以實現(xiàn)再生制動。馬達(dá)驅(qū)動逆變器將儲存在電容器中的 DC 電壓能量轉(zhuǎn)換為指定的電壓和頻率的 AC 波形,以控制馬達(dá)到達(dá)所需要的速度和扭矩。 


1685242144672737.png

圖 1 典型的馬達(dá)驅(qū)動方塊圖,使用功率因子校正 (PFC) 輸入整流器


為了在不同的馬達(dá)驅(qū)動設(shè)計部分將 IGBT 維持在它的 SOA 額定值以下,必須移除晶體管封裝的熱能。Bourns? BID IGBT 系列采用更好的散熱 TO-247 功率封裝。對 IGBT 和 FRD 中的開關(guān)瞬態(tài)和正向傳導(dǎo)所引起的功率損耗,這些封裝提供了有效的散熱。在馬達(dá)控制應(yīng)用中,對環(huán)境溫度高,氣流減少或不可用的地方,設(shè)計人員需要思考功耗對整個系統(tǒng)的影響。因為 Bourns? IGBT 是專為高效率設(shè)計的,它們所產(chǎn)生需要消散的熱量較少。這樣有助于減小尺寸和成本,且可簡化熱管理設(shè)計。


開關(guān)和傳導(dǎo)表現(xiàn)


IGBT 的開關(guān)和傳導(dǎo)表現(xiàn)隨組件結(jié)構(gòu)相關(guān)。Bourns? IGBT 的非對稱結(jié)構(gòu)有助于優(yōu)化馬達(dá)控制應(yīng)用中的ON 狀態(tài)損耗和開關(guān)速度。這種結(jié)構(gòu)的重要特色是由一個 n+ 型緩沖區(qū)所產(chǎn)生的場停止層,這個 n+ 型緩沖區(qū)添加在 n- 漂移區(qū)下方,位在較低的 p-摻雜層的上方。這個緩沖區(qū)的用途是支持電場并允許更薄的 n-漂移區(qū),這大大有助于減少傳導(dǎo)損耗。


圖 2 顯示了開關(guān)損耗 (Eoff) 和傳導(dǎo)損耗 (VCE(sat)) 之間的整體折衷。這說明系統(tǒng)要求攸關(guān)和選定合適的組件,以符合特定馬達(dá)系統(tǒng)控制器的需求。Bourns 的新一代 IGBT 使用先進的 Trench-Gate FieldStop(TGFS)技術(shù),可提高單元密度來增強VCE(sat)/Eoff 曲線的性能。


1685242129192543.png

圖 2 開關(guān)損耗 (Eoff) 和傳導(dǎo)損耗 (VCE(sat) )的權(quán)衡


工業(yè)環(huán)境中的短路


在馬達(dá)控制應(yīng)用中,從 DC 電壓總線到地面(如 DC 電流)或從一個馬達(dá)相位到另一個相位或接地,IGBT開關(guān)可能經(jīng)歷短路路徑。IGBT 必須能夠在終端應(yīng)用檢測這些異常所需要的時間間隔內(nèi)承受這些異常。馬達(dá)通常能夠在相對較長的時間內(nèi)(幾毫秒到幾秒)吸收非常高的電流水平;但是,經(jīng)常指定用于馬達(dá)驅(qū)動逆變器的 IGBT 通常具有微秒級的短路耐受時間。某些 Bourns? IGBT 型號具有 10 μs 的短路耐受能力。

馬達(dá)控制應(yīng)用需要高度的 健性和可靠性,因為它們在嚴(yán)厲的條件下運作,對 IGBT 施加高度的應(yīng)力,並知這會導(dǎo)致瞬態(tài)短路狀況。


具有更高短路電流水平和 5 μs 范圍內(nèi)的必要短路耐受時間的 IGBT(例如, Bourns? BIDNW30N60H3)是降低傳導(dǎo)損耗的權(quán)衡,亦有助于降低整個 BOM 成本。一個好消息是在短路耐受時間上,某些差異被IGBT 設(shè)計和封裝技術(shù)的改善所抵消。較高的跨導(dǎo)性和較低的熱阻力會減低傳導(dǎo)損耗,提高應(yīng)用效率,為馬達(dá)控制應(yīng)用設(shè)計帶來好處,即使所選擇的 IGBT 的短路耐受時間較短。


IGBT 權(quán)衡


若所選擇的組件因為開關(guān)損耗較低而提供高水平的開關(guān)頻率,這會產(chǎn)生較高的傳導(dǎo)損耗。傳導(dǎo)損耗若較高,會導(dǎo)致較高的功耗,因而需要更大且往往是大體積的散熱器,這會增加系統(tǒng)成本及空間。


相反地,傳導(dǎo)損耗較低的組件可以在較低頻率有效率地運作,但它的短路耐受能力會減低。圖 3 說明了這種權(quán)衡。


3.png

圖 3 參考有關(guān)的安全工作區(qū),傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗和短路耐受能力的馬達(dá)控制設(shè)計權(quán)衡


安全工作區(qū) (SOA) 的考慮


對在電流和電壓最大值附近工作的 IGBT,需要仔細(xì)思考如何安全地將這些參數(shù)維持在數(shù)據(jù)表的規(guī)定值內(nèi)。主要的重點是將集電極的電流維持在最大值以下,且同時將集電極到發(fā)射極的電壓維持在數(shù)據(jù)表規(guī)定的數(shù)值以下。當(dāng)在正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)的正向偏置條件下工作時,需要依據(jù)脈沖寬度和熱設(shè)計的阻抗來額外思考最大脈沖集電極電流。對最大集電極-發(fā)射極電壓,F(xiàn)BSOA 定義了最大飽和集電極電流,通常用于感性負(fù)載。在反向偏置安全工作區(qū)(RBSOA)的反向偏置條件中,最大電流隨關(guān)斷期間集電極和發(fā)射極之間的峰值電壓有關(guān)。遵守最大限制是必要的,以在最大的結(jié)點溫度來保護快速恢復(fù)二極管。


結(jié)論


對電動馬達(dá)控制應(yīng)用中的逆變器使用 IGBT 有助設(shè)計人員實現(xiàn)系統(tǒng)成本縮減目標(biāo),因為這些組件有較小的芯片尺寸,可實現(xiàn)更高的電流密度設(shè)計。尤其是,Bourns? 離散式 IGBT 支持更高溫的運作,并提供更好的能力,可移除 IGBT 封裝的熱能。Bourns? IGBT 采用具有熱效率的設(shè)計,提供更低的運作損耗、更大的過載,以及更高的短路電流耐受能力等優(yōu)點,可提供優(yōu)越的開關(guān)設(shè)計解決方案。


此外,優(yōu)化是必要的,以在傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間平衡 IGBT,并依據(jù)最終產(chǎn)品所使用的馬達(dá)類型來調(diào)整特定的應(yīng)用需求。對于馬達(dá)控制應(yīng)用,在 TO-247足跡中,被共同封裝的 600 V/650 V Trench-Gate Field-Stop (TGFS) IGBT+FRD 被認(rèn)為是理想的組件解決方案。由于總功耗較低,這些 IGBT 組件提供更高的熱性能、低 VCE(sat) 和高效能,與上一代的平面 IGBT 相比,具有很高的可靠性。



免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進行處理。


推薦閱讀:


未來的車內(nèi)設(shè)計:3D數(shù)據(jù)將大顯身手

1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用

單個MCU即可實現(xiàn)多電機控制!基于RX72T的4電機控制示例

TC2 100BASE-T1信道基本概念及連接器級別測試解讀(上篇)

您真的了解睡眠模式對超低功耗無線MCU有多重要嗎?

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉