你的位置:首頁(yè) > 電源管理 > 正文

通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

發(fā)布時(shí)間:2023-11-10 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案,可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案,改善 BESS 的性能。


電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案,可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案,改善 BESS 的性能。


BESS的優(yōu)勢(shì)


最常用的儲(chǔ)能方法有四種,分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外,鋰離子電池技術(shù)成熟,因此非??煽壳页杀据^低。隨著鋰離子電池價(jià)格的持續(xù)下降,其在儲(chǔ)能系統(tǒng)中的使用不斷增加。


使用帶有儲(chǔ)能電池的并網(wǎng)/離網(wǎng)太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng),為住宅和商業(yè)用戶帶來(lái)諸多好處, 包括以下幾個(gè)方面。


●   價(jià)格:當(dāng)公用事業(yè)提供商的電價(jià)較高時(shí),儲(chǔ)存能量可以降低電費(fèi)。

●   自給自足:儲(chǔ)存能量可以減少(或消除)對(duì)電網(wǎng)的依賴。

●   備用電源:儲(chǔ)存的電力可在主電源出現(xiàn)故障時(shí)用作替代電源。


通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

圖1 BESS實(shí)施概覽


BESS主要構(gòu)建模塊


BESS通常包括四大構(gòu)建模塊。


●   可充電電池模塊:其中包括機(jī)架式電池單元,其標(biāo)稱電壓從50 V 到 1000 V 以上不等。

●   電池管理系統(tǒng) (BMS):BMS 用于‘保護(hù)和管理可充電電池,確保電池在安全工作參數(shù)范圍內(nèi)運(yùn)行。

●   變流器 (PCS):PCS 將電池組連接到電網(wǎng)和負(fù)載,是影響 BESS 成本、尺寸和整體性能的一個(gè)重要因素。

●   能源管理系統(tǒng) (EMS):EMS 軟件用于監(jiān)測(cè)、控制和優(yōu)化發(fā)電或輸電系統(tǒng)。


通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

圖2 住宅交流耦合(上)和直流耦合(下)ESS


住宅BESS


與BESS搭配使用的變流器可以按照耦合能量的方式(交流或直流)分類,也可以按照功率等級(jí)(住宅或商業(yè))分類。直流耦合系統(tǒng)或混合逆變器僅需要一個(gè)電源轉(zhuǎn)換步驟。然而,對(duì)于現(xiàn)有太陽(yáng)能或風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)而言,雖然交流耦合儲(chǔ)能是一種簡(jiǎn)單的升級(jí)方案,但它需要額外的電源轉(zhuǎn)換步驟來(lái)對(duì)電池充電和放電,因此可能會(huì)損失更多功率。例如,住宅變流器可以添加到現(xiàn)有太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)中,以使用產(chǎn)生的能量為備用電池充電或?yàn)榧矣秒娖鞴╇姟?/p>


雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器用于連接電池組和直流鏈路。單相系統(tǒng)的母線電壓通常小于600 V,而充放電功率不會(huì)超過(guò)10 kW。在這種情況下,降壓- 升壓轉(zhuǎn)換器是最常見(jiàn)的雙向DC-DC 拓?fù)?,因?yàn)樗枰慕M件少且易于控制。在此類雙向系統(tǒng)中,兩個(gè)帶有并聯(lián)二極管的650 V IGBT 或MOSFET 就足夠了。例如,安森美的650 V FS4 IGBT FGH4L75T65MQDC50 集成了SiC 二極管,可在這種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗。


隔離可以確保BESS 用戶的安全,雙有源橋轉(zhuǎn)換器 (DAB) 或CLLC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為BESS 提供了隔離型雙向DC-DC 轉(zhuǎn)換器方案。如果電池電壓發(fā)生顯著變化,級(jí)聯(lián)前端降壓- 升壓電路可以提供更寬范圍的輸入和輸出電壓。這種方法還降低了無(wú)功功率,并增加了軟開(kāi)關(guān)區(qū)的大小。NTP5D0N15MC 150 V N 溝道屏蔽柵極PowerTrench MOSFET 非常適合這些拓?fù)洹?/p>


商業(yè)和企業(yè)場(chǎng)所及具有較大功率需求的家庭通常采用標(biāo)準(zhǔn)的三相電源。在三相應(yīng)用中,電源開(kāi)關(guān)必須能夠承受所需的工作電壓和電流,以提供高達(dá)15 kW 的輸出功率,而且還要能夠承受高于住宅裝置所用的直流鏈路電壓(高達(dá)1 000 V)。為此,可以將之前考慮的650 V開(kāi)關(guān)替換為1 200 V 器件,作為三電平對(duì)稱降壓- 升壓拓?fù)涞囊徊糠?。這樣,開(kāi)關(guān)損耗會(huì)更低,因?yàn)橹挥幸话氲妮敵鲭妷撼霈F(xiàn)在開(kāi)關(guān)和二極管上。它的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是所需的電感更小,并且EMI 性能得到改善。遺憾的是,這種方法需要更多組件,導(dǎo)致設(shè)計(jì)復(fù)雜性、控制難度和系統(tǒng)成本增加。


商用BESS


商用儲(chǔ)能系統(tǒng)的輸入和輸出功率范圍通常在100 kW至2 MW 之間。這些大型裝置可能由若干個(gè)三相子系統(tǒng)組成,功率范圍從幾十千瓦到超過(guò)100 kW 不等。在這類應(yīng)用中,最大直流電壓是一項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù),它取決于現(xiàn)有太陽(yáng)能系統(tǒng)的母線電壓或電池電壓。標(biāo)準(zhǔn)商用太陽(yáng)能逆變器的直流母線電壓通常為1 100 V,但在公用事業(yè)規(guī)模系統(tǒng)中可能高達(dá)1 500 V。對(duì)于給定功率水平,提高直流母線電壓會(huì)降低電流,從而降低互連電纜的成本。


通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

圖3 雙向DC-DC的降壓-升壓


交流耦合系統(tǒng)更常用于商用BESS,因?yàn)樗梢暂p松添加到現(xiàn)有設(shè)計(jì)中。直流耦合系統(tǒng)對(duì)電氣改造的要求相對(duì)較高,尤其是商用場(chǎng)合,因?yàn)楸仨殞⑵溥B接到直流母線,而直流母線通常位于原系統(tǒng)內(nèi)部,具有高電壓和高電流。三電平I-NPC 是大功率工業(yè)應(yīng)用中常常與逆變器配合使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它有四個(gè)開(kāi)關(guān)、四個(gè)反向二極管和兩個(gè)鉗位二極管,擊穿電壓低于實(shí)際直流鏈路電壓,這意味著650 V 開(kāi)關(guān)在1 100 V 系統(tǒng)中就足夠了。


通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

圖4 三相I-NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)


使用三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。首先,其開(kāi)關(guān)損耗較低(與施加到開(kāi)關(guān)和二極管的電壓的平方成正比)。其次,其電流紋波較低,并且峰峰值電壓為總輸出的一半,因而更容易利用較小、成本較低的電感進(jìn)行濾波。最后,與電流紋波相關(guān)的傳導(dǎo)EMI 更低,電磁輻射也更低。升級(jí)到A-NPC 拓?fù)淇商峁└玫男阅?,因?yàn)樗脙蓚€(gè)更低損耗的有源開(kāi)關(guān)取代了兩個(gè)鉗位二極管。然而,對(duì)于這種架構(gòu),驅(qū)動(dòng)器配對(duì)和延遲匹配至關(guān)重要,但這在某些應(yīng)用中可能是一個(gè)不利因素。


SiC方案有助于改善BESS性能


SiC具有比硅更優(yōu)越的性能特征,例如:更寬的帶隙、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)和更高的熱導(dǎo)率。這些特性使SiC器件能夠在更高的頻率下工作,而無(wú)需權(quán)衡輸出功率與電感尺寸。憑借 SiC 帶來(lái)的更高工作效率,在某些情況下,可使用自然散熱來(lái)代替強(qiáng)制風(fēng)冷。安森美的650 V EliteSiC MOSFET NTH4L015N065SC1和NTBL045N065SC1是取代儲(chǔ)能系統(tǒng)應(yīng)用中硅基開(kāi)關(guān)的理想選擇。同時(shí),EliteSiC 功率集成模塊采用1 200 VNXH40B120MNQ0 雙升壓和 NXH010P120MNF1 2 件裝半橋,可以在公用事業(yè)規(guī)模系統(tǒng)中提供更高的功率密度。安森美還提供其他幾種組件,包括柵極驅(qū)動(dòng)器、電流檢測(cè)放大器和 MACPHY 以太網(wǎng)控制器,都可用于BESS應(yīng)用。

(本文來(lái)源于EEPW 2023年10月期)


免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:

滿足工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需求的低功耗Wi-Fi無(wú)線連接解決方案

近距離了解電動(dòng)汽車中的諧振電容器

高通高級(jí)副總裁卡圖贊:手機(jī)市場(chǎng)仍在緩慢復(fù)蘇 第三代驍龍8適逢其時(shí)

隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

MPS全系列電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更好的智能化


特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉