【導讀】加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12月 7日 – 全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)宣布與為運動控制和節(jié)能系統(tǒng)提供電源及傳感半導體技術(shù)的全球領先企業(yè)Allegro MicroSystems, Inc.(Allegro)(Nasdaq: ALGM)開展合作,使用Transphorm 的 SuperGaN? 場效應晶體管和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅(qū)動器,針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統(tǒng)設計。
Transphorm 的 SuperGaN FET可用于各種拓撲結(jié)構(gòu),并能夠提供多種封裝形式,支持廣泛的功率級,滿足不同終端市場應用要求。SuperGaN FET已應用于各種商業(yè)產(chǎn)品,并在高功率系統(tǒng)中顯著提升可靠性、功率密度和效率。
Allegro的自供電型單通道隔離式柵極驅(qū)動IC,在多種應用和電路中專為驅(qū)動氮化鎵場效應晶體管進行了優(yōu)化。經(jīng)驗證,與友商同類柵極驅(qū)動器相比,AHV85110驅(qū)動效率提高了50%。與市場上其它解決方案相比,這款獨特的解決方案大大簡化了系統(tǒng)設計,將電路干擾降低10倍,共模電容減小了15倍。
Transphorm 全球銷售和現(xiàn)場應用副總裁 Tushar Dhayagude 表示:“Allegro 的 AHV85110 高壓柵極驅(qū)動提供高度緊湊和高效的電源應用方案,僅需為Transphorm功率器件配置最少的外部電路組件和偏置電源,因此將占板面積減小約30%,加上SuperGaN極高的可靠性和優(yōu)于同類競爭技術(shù)的出色動態(tài)開關性能,最終將為服務器、數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車等關鍵應用提供更高效、更穩(wěn)健和功率密度更高的解決方案?!?/p>
Allegro MicroSystems 高壓電源業(yè)務部副總裁兼總經(jīng)理 Vijay Mangtani 表示:“我們很高興能與 Transphorm 開展合作,幫助Allegro更好地為客戶優(yōu)化基于氮化鎵的系統(tǒng)開發(fā)和設計。我們期待能夠?qū)llegro的高壓隔離式柵極驅(qū)動器 AHV85110 與 Transphorm 的 SuperGaN 場效應晶體管結(jié)合,從而以更小的尺寸實現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率以及更高的功率輸出,為Allegro 和Transphorm的客戶帶來價值?!?/p>
感興趣的用戶可使用Allegro的APEK85110KNH-06-T評估板測試Transphorm和Allegro的這一合作解決方案。該評估板集成了適用于不同應用的AHV85110驅(qū)動以及Transphorm近期發(fā)布的三款TOLL封裝器件,這三款Transphorm器件的導通電阻分別為 35、50 和 72 毫歐。
關于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者,致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一,持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項,在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業(yè)務模式,公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個階段進行創(chuàng)新:設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子設備突破硅的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm總部位于美國加州戈利塔,并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。請訪問https://transphormusa.cn了解更多信息。歡迎關注官方微信:TransphormGaN氮化鎵。