無線電發(fā)射器在經歷了若干年的發(fā)展后，逐步從簡單中頻發(fā)射架構過渡到正交中頻發(fā)送器、零中頻發(fā)送器。而這些架構仍然存在局限性，不過最新推出的RF直接變頻發(fā)送器能夠克服這些局限性。該變頻發(fā)送器采用高性能數/模轉換器(DAC)，比傳統(tǒng)技術具有明顯優(yōu)勢。雖然，R F直接變頻發(fā)送器也具有自身挑戰(zhàn)，但其為實現真正的軟件無線電發(fā)射架構鋪平了道路。

RF DAC，如14位2.3 Gsps MAX5879，是RF直接變頻架構的關鍵電路。這種DAC能夠在1GHz帶寬內提供優(yōu)異的雜散和噪聲性能。器件在第二和第三奈奎斯特頻帶采用創(chuàng)新設計，支持信號發(fā)射，能夠以高達3G H z的輸出頻率合成射頻信號，測量結果驗證了DAC的性能。
傳統(tǒng)的射頻發(fā)送器架構

過去數十年間，一直采用傳統(tǒng)的發(fā)送器架構實現超外差設計，利用本振(LO)和混頻器產生中頻(IF)。混頻器通常在LO附近產生兩個鏡頻(稱為邊帶)，通過濾除其中一個邊帶獲得有用信號。現代無線發(fā)射系統(tǒng)，尤其是基站(BTS)發(fā)送器大多對基帶數字調制信號進行I、Q正交調制。

正交中頻發(fā)送器

復數基帶數字信號在基帶有兩個通路：I和Q。采用兩個信號通路的好處是：使用模擬正交調制器(MOD)合成兩個復數IF信號時，其中一個IF邊帶被消除。而由于I、Q通路的不對稱性，不會非常理想地抵消調制器的鏡頻。這種正交I F架構如圖1(B)所示，利用數字正交調制器和LO數控振蕩器(NCO)對I、Q基帶信號進行內插(系數R)，并調制到正交I F載波。然后，雙DAC將數字I、Q I F載波轉換成模擬信號，送入調制器。為了進一步增大對無用邊帶的抑制，系統(tǒng)還采用了帶通濾波器(BPF)。

零中頻發(fā)送器

圖1(A)所示的零中頻(Z I F)發(fā)送器中，對基帶數字正交信號進行內插，以滿足濾波要求，然后將其送入DAC。同樣，基帶將DAC的正交模擬輸出送至模擬正交調制器。由于將整個已調制信號轉換到L O頻率的R F載波，所以Z I F架構真正凸顯了正交混頻的“魅力”。然而，考慮到I、Q通路并非理想通路，如LO泄漏和不對稱性，將會產生反轉的信號鏡像(位于發(fā)射信號范圍圖1 無線發(fā)送器架構之內)，從而造成信號誤碼。多載波發(fā)瑕疵。

RF直接變頻發(fā)送器

圖1 ( D ) 所示R F直接變頻發(fā)送器中，在數字域采用正交解調器，LO由NCO取代，從而在I、Q通路獲得幾乎完美的對稱性，基本沒有LO泄漏。所以數字調制器的輸出為數字R F載波，送入超高速DAC。由于DAC輸出為離散時間信號，產生與DAC時鐘頻率(CLK)等距的混疊鏡頻。由BPF對DAC輸出進行濾波，選擇射頻載波，然后將其送至可變增益放大器(VGA)。

高中頻發(fā)送器

RF直接變頻發(fā)送器也可利用這種方法產生較高中頻的數字載波，如圖1(C)所示。這里，DAC將數字中頻轉換為模擬中頻載波，轉換之后利用帶通濾波器的選頻特性濾除中頻鏡頻。然后，將該需要的中頻信號送入混頻器，產生IF信號與LO混頻的兩個邊帶，經過另外一個帶通濾波器濾波，獲得需要的RF邊帶。

顯然，RF直接變頻架構需要最少的有源元件。由于采用帶數字正交調制器和NCO的FP GA或AS IC取代模擬正交調制器和LO，RF直接變頻架構避免了I、Q通道的不平衡誤差及LO泄漏。此外，由于DAC的采樣率非常高，更容易合成寬帶信號，同時可保證滿足濾波要求。

高性能DAC是RF直接變頻架構取代傳統(tǒng)無線發(fā)送器的關鍵元件，該DAC需要產生高達2GHz甚至更高的射頻載波，動態(tài)性能要達到其他架構提供的基帶或中頻性能。MAX5879就是一款這樣的高性能DAC。
[page]
利用MAX5879 DAC實現RF直接變頻發(fā)送器

MAX5879是一款14位、2.3G s p sRF DAC，輸出帶寬大于2GHz，具有超低噪聲和低雜散性能，設計用于R F直接變頻發(fā)送器。其頻率響應(見圖2) 可通過更改其沖激響應進行設置，不歸零(N R Z)模式用于第一奈奎斯特頻帶輸出。R F模式集中第二、第三奈奎斯特頻帶的輸出功率。歸零(RZ)模式在多個奈奎斯特頻帶提供平坦響應，但輸出功率較低。

MAX5879的獨特之處在于RFZ模式。RFZ模式為“零填充”射頻模式，所以，DAC輸入采樣率為其他模式的一半。該模式對于采用較低帶寬合成信號非常有用，并可輸出高階奈奎斯特頻帶的高頻信號。所以MAX5879 DAC可用于合成超出其采樣率的調制載波，僅受限于2+GHz模擬輸出帶寬。

MAX5879 性能測試表明：940M H z下，4載波GSM信號的交調失真大于74d B(見圖3)；2.1GHz下，4載波WCDMA信號的鄰道泄漏功率比(ACLR)為67dB(見圖4)；2.6GHz下，2載波LTE的ACLR為65dB(見圖5)。這種性能的DAC能夠支持多奈奎斯特頻帶中各種數字調制信號的直接數字合成，可作為多標準、多頻帶無線基站發(fā)送器的公共硬件平臺。
[page]
RF直接變頻發(fā)送器應用

MAX5879 DAC也可以同時發(fā)送奈奎斯特頻帶的多個載波。該功能目前用于有線電視下行發(fā)射鏈路，發(fā)送50MHz至1000MHz頻帶的多個QAM調制信號。對于該應用，R F直接變頻發(fā)射器可以支持的載波密度是其他發(fā)射架構的20～30倍。此外，由于單個寬帶R F直接變頻發(fā)送器取代了多個無線發(fā)送器，從而大大減小了有線電視前端的功耗和面積。 基于MAX5879的RF直接變頻發(fā)送器可利向用于寬帶、高頻輸出的應用，例如，隨著智能手機和平板電腦的日益普及，無線基站將需要更寬頻帶。毫無疑問，當前支持此類裝置的發(fā)射器將逐步由基于高性能RF DAC(例如，MAX5879)的RF直接變頻發(fā)送器所取代。

總結

基于RF DAC的發(fā)送器具有遠遠超出傳統(tǒng)架構的發(fā)射帶寬，而且不會損失動態(tài)性能，可利用FPGA或ASIC實現，省去了模擬正交調制器和LO合成器，從而提高無線發(fā)送器的可靠性。這種方案也大大減少了元件數量，多數情況下也會降低系統(tǒng)功耗。

相關閱讀：
RFID技術原理及其射頻天線設計
http://anotherwordforlearning.com/rf-art/80005888
RF電路板分區(qū)設計中PCB布局布線技巧
http://anotherwordforlearning.com/emc-art/80009703
LTE頻段多，3G/4G手機RF射頻前端如何破？
http://anotherwordforlearning.com/rf-art/80021124