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意法半導(dǎo)體1600V IGBT新品發(fā)布:精準(zhǔn)適配大功率節(jié)能家電需求
針對(duì)高性價(jià)比節(jié)能家電市場(chǎng)對(duì)高效、可靠功率器件的迫切需求,意法半導(dǎo)體近日推出STGWA30IH160DF2 IGBT,該產(chǎn)品以1600V額定擊穿電壓為核心,融合優(yōu)異熱性能與軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涓咝н\(yùn)行特性,專為電磁爐、微波爐、電飯煲等大功率家電設(shè)計(jì),尤其適配需并聯(lián)使用的場(chǎng)景,助力家電產(chǎn)品在節(jié)能與性能間實(shí)現(xiàn)平衡。
2025-07-16
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從IGBT到GaN:10kW串式逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要點(diǎn)與性能優(yōu)勢(shì)解析
隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性與安全性的關(guān)注升溫,住宅太陽(yáng)能儲(chǔ)能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當(dāng)前市場(chǎng)上,2kW級(jí)微型逆變器已實(shí)現(xiàn)集成儲(chǔ)能功能,而更高功率場(chǎng)景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì),探討其技術(shù)優(yōu)勢(shì)與核心設(shè)計(jì)要點(diǎn),為住宅太陽(yáng)能應(yīng)用提供高能效、高密度的解決方案參考。
2025-07-16
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厚膜電阻在工業(yè)控制裝備中的核心應(yīng)用與選型實(shí)踐
厚膜電阻憑借其高可靠性、耐環(huán)境性及成本優(yōu)勢(shì),已成為工業(yè)控制裝備中不可或缺的被動(dòng)元件。本文圍繞 PLC模擬信號(hào)調(diào)理 和 變頻器IGBT驅(qū)動(dòng) 兩大場(chǎng)景,結(jié)合具體技術(shù)參數(shù)與真實(shí)案例,解析厚膜電阻的選型策略及頭部原廠解決方案。
2025-05-25
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功率器件新突破!氮化鎵實(shí)現(xiàn)單片集成雙向開(kāi)關(guān)
氮化鎵(GaN)單片雙向開(kāi)關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件(如MOSFET或IGBT)僅支持單向主動(dòng)導(dǎo)通,反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動(dòng)式反向?qū)ú粌H缺乏門(mén)極控制能力,更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實(shí)現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo),工程師常采用背對(duì)背(B2B)拓?fù)浼?jí)聯(lián)兩個(gè)器件,卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復(fù)雜度。
2025-05-11
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驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(七)——自舉電源在5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用
隨著功率半導(dǎo)體IGBT,SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)景越來(lái)越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動(dòng)芯片電流可達(dá)+/-2.3A,可驅(qū)動(dòng)中功率IGBT,包括Easy系列模塊。目標(biāo)10kW+應(yīng)用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)。本文就來(lái)介紹一個(gè)設(shè)計(jì)案例,采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiC MOSFET 5kW交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱PFC評(píng)估板。
2025-05-07
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能效升級(jí)新引擎!拆解IGBT的三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)
在消費(fèi)電子市場(chǎng)高速發(fā)展的當(dāng)下,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)已成為現(xiàn)代家電設(shè)備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗及出色的熱管理能力,IGBT技術(shù)正持續(xù)推動(dòng)家電產(chǎn)品能效升級(jí)。安世半導(dǎo)體推出的650 V G3 IGBT平臺(tái)產(chǎn)品,通過(guò)性能優(yōu)化與可靠性提升,為家電設(shè)備的高效化、節(jié)能化發(fā)展提供了關(guān)鍵解決方案。
2025-05-07
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第18講:SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性
SiC MOSFET的閾值電壓(VGS(th))通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET需要對(duì)柵極施加負(fù)偏壓,并仔細(xì)設(shè)計(jì)控制電路布線,這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外,閾值電壓隨著溫度升高而降低(圖1),因此建議在高溫運(yùn)行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
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第15講:高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作,與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn),本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)指南,拿下!
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化,會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。
2025-01-24
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第14講:工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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IGBT的并聯(lián)知識(shí)點(diǎn)梳理:靜態(tài)變化、動(dòng)態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化,會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要了解這些,才能設(shè)計(jì)出可靠的系統(tǒng)。
2025-01-16
- 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)演進(jìn):從基礎(chǔ)驅(qū)動(dòng)到智能閉環(huán)控制
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