-
功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-21
-
功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-17
-
安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應商獎及年度最佳功率半導體獎
智能電源和智能感知技術的領導者安森美再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎，彰顯其在車用領域的卓越表現(xiàn)和領先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。
2024-12-06
-
功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
-
在逆變器應用中提供更高能效，這款IGBT模塊了解一下
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車(EV)在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農業(yè)車輛(CAV)改造成由電力驅動。
2024-11-27
-
功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-25
-
功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-23
-
功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-12
-
功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-11
-
車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT
車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉換為適合電池充電的直流電，從而實現(xiàn)電動汽車充電。隨著每年上市的電動汽車設計、架構和尺寸越來越豐富，車載充電器的實施也變得越來越復雜。
2024-11-11
-
采用IGBT5.XT技術的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案
鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用，以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關重要的舉措中，風力發(fā)電技術扮演了關鍵角色，并已處于領先地位。在過去的20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關。因此，先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內元件數(shù)量的情況下最大化功率輸出，我們需要采用高功率密度設計。鑒于需求的持續(xù)增長，我們的大規(guī)模生產能力顯得尤為關鍵通過對現(xiàn)有逆變器設計的升級，不僅能夠降低風險，還能縮短開發(fā)時間，最終達到優(yōu)化設計和開發(fā)流程的目的。
2024-10-27
-
用Python自動化雙脈沖測試
電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業(yè)領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測試，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
- AMTS 2025展位預訂正式開啟——體驗科技驅動的未來汽車世界，共迎AMTS 20周年！
- 貿澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
- 功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量
- 貿澤開售Nordic Semiconductor nRF9151-DK開發(fā)套件
- TDK推出用于可穿戴設備的薄膜功率電感器
- 日清紡微電子GNSS兩款新的射頻低噪聲放大器 (LNA) 進入量產
- 中微半導推出高性價比觸控 MCU-CMS79FT72xB系列
- 意法半導體推出首款超低功耗生物傳感器，成為眾多新型應用的核心所在
- 是否存在有關 PCB 走線電感的經驗法則？
- 智能電池傳感器的兩大關鍵部件: 車規(guī)級分流器以及匹配的評估板
- 功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
- AHTE 2025展位預訂正式開啟——促進新技術新理念應用，共探多行業(yè)柔性解決方案
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
