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日本知名半導體制造商羅姆
亮相“第十一屆慕尼黑上海電子展”日本知名半導體制造商羅姆（ROHM）于2012年3月20日-22日參加了業(yè)內最具影響力的綜合性電子展覽會“慕尼黑上海電子展”。此次，羅姆在“相乘戰(zhàn)略”注1、“功率器件戰(zhàn)略”注2、“LED戰(zhàn)略”注3、“傳感器戰(zhàn)略”注4這四大戰(zhàn)略的立足點上展示了符合中國市場的、滿足客戶需求的眾多產品與技術，展現(xiàn)了羅姆集團強大的綜合技術實力。
2012-03-22
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高壓變頻器的散熱與通風設計
高壓變頻器在正常工作時，熱量來源主要是隔離變壓器、電抗器、功率單元、控制系統(tǒng)等，其中作為主電路電子開關的功率器件的散熱、功率單元的散熱設計、及功率柜的散熱與通風設計最為重要。
2012-02-21
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RJQ6020/1/2DPM:瑞薩電子宣布推出低損耗SiC功率器件系列
全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產品在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調）、PC服務器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產品。
2012-02-13
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三菱電機獎學金頒獎禮暨三菱功率器件研討會在四大高校舉行
2011年12月12日至17日，三菱電機分別走訪了清華大學、浙江大學、合肥工業(yè)大學以及華中科技大學，聯(lián)合各大高校舉行了三菱電機獎學金頒獎儀式和三菱電機功率模塊技術研討會，引起了各大高校的熱烈反響。
2012-01-18
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提高同步整流應用的系統(tǒng)效率和功率密度
基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓撲結構，引進新技術高性能的功率器件，同時通過良好的系統(tǒng)設計來保證，以上幾點我們會在接下來的內容中給出進一步的討論
2011-11-21
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恩智浦與華為攜手成立射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心
恩智浦半導體與華為技術有限公司攜手成立的首個射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心正式落戶上海。恩智浦射頻功率產品部總經理Reiner Beltman 和華為技術有限公司無線產品線中射頻與基站平臺部部長酈舟劍出席了實驗中心的開幕慶典，宣布即日起實驗中心正式投入使用。這標志著恩智浦和華為技術有限公司的業(yè)務聯(lián)系與技術合作進入了新的階段，恩智浦在射頻功率器件領域的領導地位獲得廣泛認可。
2011-10-08
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高頻脈沖交流環(huán)節(jié)逆變器控制策略
為克服高頻脈沖交流環(huán)節(jié)逆變器存在的電壓過沖現(xiàn)象，本文提出和研究了單極性、雙極性移相控制策略。兩類控制策略可分別使得逆變器功率器件實現(xiàn)ZVS或ZVZCS軟開關，仿真和實驗結果表明了控制策略的可行性。
2011-09-06
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Vishay 技術專場華麗登陸成都和西安！
受環(huán)保意識高漲和日本核泄漏的影響，太陽能發(fā)電和風力發(fā)電越發(fā)成為新能源利用的核心。太陽能發(fā)電風電實現(xiàn)并網(wǎng)的核心組件是光伏逆變器和風電變流器。效率和可靠性是逆變器、變流器設計的關鍵，而新型功率器件和被動元件的使用可以有效降低逆變器/變流器損耗，提高效率和可靠性。針對這一需求，國際知名分立器件和被動元件供應商威世公司（Vishay）推出包括電容、電源管理、二極管與功率模塊、光耦等全方位的元器件解決方案。
2011-08-25
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威世全方位元器件解決方案助力新能源逆變器設計
受環(huán)保意識高漲和日本核泄漏的影響，太陽能發(fā)電和風力發(fā)電越發(fā)成為新能源利用的核心。太陽能發(fā)電風電實現(xiàn)并網(wǎng)的核心組件是光伏逆變器和風電變流器。效率和可靠性是逆變器、變流器設計的關鍵，而新型功率器件和被動元件的使用可以有效降低逆變器/變流器損耗，提高效率和可靠性。針對這一需求，國際知名分立器件和被動元件供應商威世公司（Vishay）推出包括電容、電源管理、二極管與功率模塊、光耦等全方位的元器件解決方案。
2011-07-22
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大功率半導體激光器驅動電源保護電路方案
半導體激光器本身的性質決定其抗浪涌沖擊能力差，這就要求驅動電源的穩(wěn)定度高，浪涌沖擊小，因此驅動電源中需要各種保護電路以滿足實際要求。通常用慢啟動電路、TVS（瞬態(tài)抑制器）吸收電路、限流電路等來防止浪涌沖擊及電流過大。本文在參考各種實用的保護電路基礎上，設計出應用大功率器件強制吸收或隔離浪涌沖擊和雙限流保護電路，有效地保護半導體激光器不被損傷
2011-07-14
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科銳首推的碳化硅肖特基二極管在功率應用上推廣
科銳公司日前宣布推出一新型產品系列。該系列產品由七款1200V Z-Rec 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極管產品系列，科銳不斷將碳化硅功率器件向主流功率應用中推廣
2011-07-12
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影響IGBT驅動電路性能參數(shù)的因素分析
在硬開關橋式電路中，功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關重要的作用。驅動電路就是將控制電路輸出的PWM信號進行功率放大，以滿足驅動IGBT的要求，所以，驅動電路設計的是否合理直接關系到IGBT的安全、可靠使用。為了確保驅動電路設計的合理性，使用時必須分析驅動電路中的參數(shù)。
2011-06-29
- 毫秒級響應：新一代數(shù)字音頻遠距離實時傳輸方案解析
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