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IGBT在客車(chē)系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)
2009-08-24
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新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能
在實(shí)際的開(kāi)關(guān)中，存在大量的正向和開(kāi)關(guān)損耗。因而設(shè)計(jì)中的熱阻對(duì)模塊性能來(lái)說(shuō)是至關(guān)重要的。本文討論IGBT2、IGBT3以及SEMITRANS?模塊采用的新IGBT4半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來(lái)的性能提升。
2009-07-28
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逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)
本文通過(guò)分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="ugnopvh" class='red'>IGBT 采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2009-07-15
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IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出計(jì)算
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件，驅(qū)動(dòng)器的合理設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹 了一些計(jì)算用于開(kāi)關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)器輸出性能的方法。
2009-07-15
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節(jié)能技術(shù)研討會(huì)閉幕 低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)
2010年4月15日，深圳—電子元件技術(shù)網(wǎng)攜手第75屆中國(guó)電子展和China Outlook Consulting在深圳會(huì)展中心牡丹廳舉辦的“第三屆新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(huì)”已圓滿(mǎn)結(jié)束。低碳經(jīng)濟(jì)及其技術(shù)實(shí)現(xiàn)，成為了研討會(huì)探討的焦點(diǎn)話(huà)題，LED照明電源設(shè)計(jì)、新型IGBT、儲(chǔ)能電容、MCU的節(jié)能應(yīng)用，作為滿(mǎn)足當(dāng)前新型節(jié)能減碳設(shè)計(jì)的最熱門(mén)技術(shù)，收到與會(huì)者的關(guān)注。有300名左右的專(zhuān)業(yè)聽(tīng)眾參加了研討會(huì)的活動(dòng)。
2009-07-14
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混合動(dòng)力汽車(chē)前景看好 IGBT成驅(qū)動(dòng)核心
混合動(dòng)力汽車(chē)是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車(chē)的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動(dòng)力汽車(chē)中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動(dòng)力汽車(chē)還需要在電池、電動(dòng)、傳動(dòng)及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。
2009-07-01
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ACPL-312U：安華高可在延伸溫度范圍下工作的2.5A 門(mén)極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
安華高科技推出業(yè)內(nèi)第一款可以在延伸溫度范圍下工作的 2.5A 門(mén)極驅(qū)動(dòng)光電耦合器ACPL-312U。它具有高速響應(yīng)，低功耗，-40°C 到 125°C 的延伸工業(yè)溫度范圍，采用標(biāo)準(zhǔn) DIP-8 封裝?？芍苯油苿?dòng)達(dá) 1200V/100A 的 IGBT 晶體管。
2009-05-27
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STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）開(kāi)發(fā)出了用于配備太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
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滿(mǎn)足可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用 英飛凌擴(kuò)產(chǎn)功率模塊
近日，英飛凌科技股份公司宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的功率模塊生產(chǎn)工廠(chǎng)，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的對(duì)于可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的需求。2012年英飛凌計(jì)劃使Cegléd工廠(chǎng)的IGBT模塊達(dá)到年產(chǎn)近600萬(wàn)塊。
2009-02-12
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TIG058E8：三洋半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出面積縮小60％的手機(jī)閃光燈用IGBT
三洋半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出了面積比原產(chǎn)品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機(jī)的拍照功能?？赏ㄟ^(guò)IGBT的開(kāi)關(guān)操作瞬間釋放電容器內(nèi)存儲(chǔ)的電力，使氙氣管發(fā)光。
2009-02-02
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IGBT模塊的并聯(lián)：從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法
IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題是個(gè)關(guān)鍵的問(wèn)題，之前采用的方法是最壞情況分析方法，英飛凌公司現(xiàn)在推出蒙特卡羅模擬工具。最差情況分析結(jié)果僅僅表明最高結(jié)溫可能達(dá)到IGBT的溫度限值，蒙特卡羅分析則提供更詳細(xì)的信息。
2009-02-01
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1200V IGBT4：具備優(yōu)化特性的英飛凌新一代功率半導(dǎo)體
對(duì)于采用先進(jìn)、高效的變頻器的工業(yè)節(jié)能應(yīng)用市場(chǎng)而言，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的各種功率半導(dǎo)體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對(duì)高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿(mǎn)足現(xiàn)代化變頻器的要求。
2009-01-22
- 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)演進(jìn)：從基礎(chǔ)驅(qū)動(dòng)到智能閉環(huán)控制
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