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碳化硅如何革新電氣化趨勢
在相當(dāng)長的一段時間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢。
2023-02-03
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貿(mào)澤電子分銷豐富多樣的Samtec產(chǎn)品系列
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Samtec解決方案的全球授權(quán)分銷商，Samtec是電子互連解決方案的知名供應(yīng)商。貿(mào)澤庫存有超過25,000個Samtec產(chǎn)品系列（超過400,000種開放訂購），并且持續(xù)上新，不斷加入新的Samtec解決方案和產(chǎn)品。
2023-02-01
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貿(mào)澤電子2022年新增超55家供應(yīng)商 進一步擴大產(chǎn)品分銷陣容
2023年1月30日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 于2022年新增59家供應(yīng)商，產(chǎn)品分銷陣容進一步擴大，為廣大設(shè)計工程師與采購人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶提供各類先進的技術(shù)，以幫助設(shè)計人員避免代價高昂的重新設(shè)計、生產(chǎn)延誤甚至項目終止。
2023-02-01
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安森美與大眾汽車就下一代電動汽車的SiC技術(shù)達成戰(zhàn)略協(xié)議
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導(dǎo)體器件，以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。
2023-02-01
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還在為低電壓上電時的毛刺苦惱？這顆IC能搞定
有經(jīng)驗的工程師都知道，系統(tǒng)最危險的時刻之一是通電的時候。根據(jù)時間常數(shù)以及電源軌達到標(biāo)稱值的順利程度和速度，不同的 IC 和系統(tǒng)零件可能會開啟、鎖定或以不正確的模式開啟，因為這些器件試圖相互配合工作。面臨的更大挑戰(zhàn)是，上電時與時序和壓擺率相關(guān)的 IC 性能可能是溫度、相關(guān)電容器、機械應(yīng)力、老化和其他因素的函數(shù)。
2023-02-01
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通過轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級
由于能源價格在過去12個月中大幅攀升，無論是企業(yè)還是消費者都開始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021[1]期間，天然氣價格上漲了47%。以德國為例，六分之一的發(fā)電量依賴天然氣。而在美國，五分之二的電力來自于天然氣發(fā)電。在歐盟[2] ，各種空間和工業(yè)供暖消耗了約75%的能源，而制冷需求則占美國總電能消耗的10%[3]，因此，對更高效熱泵和空調(diào)解決方案的需求日益受到關(guān)注。
2023-01-31
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通過柵極驅(qū)動器提高開關(guān)電源功率密度
像許多電子領(lǐng)域一樣，進步持續(xù)發(fā)生。目前，在 3.3kW 開關(guān)電源 (SMPS)中，產(chǎn)品效率高達 98%，1U結(jié)構(gòu)尺寸，其功率密度可達 100 W/in3。這之所以可以實現(xiàn)是因為我們在 圖騰柱 PFC 級中明智地選擇了超結(jié) (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且還采用了氮化鎵 (GaN) 功率開關(guān)（例如 CoolGaN?）用于400V LLC 應(yīng)用。PFC 和 LLC 數(shù)字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先進的柵極驅(qū)動器 IC（如EiceDRIVER?）在實現(xiàn)高性能方面發(fā)揮著重要作用。
2023-01-29
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優(yōu)化汽車應(yīng)用的駕駛循環(huán)仿真
碳化硅（SiC）已經(jīng)改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動汽車（EV）充電和車載功率轉(zhuǎn)換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對 Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術(shù)，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準(zhǔn)確的預(yù)測性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓?fù)洹⑾到y(tǒng)和應(yīng)用。
2023-01-28
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簡化隔離式軟件可配置I/O通道設(shè)計的高集成度、系統(tǒng)級方法
本文介紹一種軟件可配置輸入/輸出(I/O)器件及其專用隔離電源和數(shù)據(jù)解決方案，該解決方案有助于應(yīng)對系統(tǒng)級工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計挑戰(zhàn)。本文闡述了在設(shè)計單個IC時從系統(tǒng)級角度進行思考的優(yōu)勢，并重點討論了建議解決方案的功耗優(yōu)化功能。
2023-01-27
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結(jié)構(gòu)，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。
2023-01-27
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SIMO PMIC：為可穿戴設(shè)備電源設(shè)計打開方便之窗！
我們生活在一個被電子設(shè)備包裹的時代，這些設(shè)備使我們的學(xué)習(xí)、工作、鍛煉、旅行和交流等變得非常方便，尤其是可穿戴設(shè)備正在成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。在醫(yī)療應(yīng)用中，可穿戴設(shè)備可用于監(jiān)測心率、血壓、血氧水平、運動中燃燒的卡路里、睡眠跟蹤等。為了提供更好的用戶體驗，高性能、小尺寸和低功耗是這些可穿戴設(shè)備的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)然，要想全部實現(xiàn)這些目標(biāo)通常需要在電路設(shè)計中進行一些權(quán)衡，比如為了滿足特定的功耗目標(biāo)，設(shè)計者就必須增加設(shè)備的尺寸。那么，有沒有辦法可以在不增加這些電池供電設(shè)備尺寸的情況下又能有效延長電池壽命呢？
2023-01-20
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太空互聯(lián)網(wǎng)：大容量、低延遲LEO衛(wèi)星用戶和地面終端中的RFIC進展
衛(wèi)星通信(satcom)是一種成熟的語音、視頻和數(shù)據(jù)傳輸方式，在所有主要軌道（包括地球同步赤道軌道GEO、中地球軌道MEO和LEO）上廣泛使用。衛(wèi)星通信被認(rèn)為是傳輸GPS導(dǎo)航信號、天氣信息、電視廣播、語音、數(shù)據(jù)的有效手段，同時也用于成像和科學(xué)應(yīng)用。承諾提供高速互聯(lián)網(wǎng)連接的新一波計劃已經(jīng)圍繞LEO衛(wèi)星星座展開，它將為下一代互聯(lián)網(wǎng)通信提供低延遲、高容量的寬帶連接。
2023-01-19
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