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什么是壓阻式壓力傳感器？
壓阻式傳感器（piezoresistance type transducer）是壓力式傳感器的一種。壓阻式壓力傳感器又稱擴散硅壓力傳感器，是指利用單晶硅材料的壓阻效應和集成電路技術制成的傳感器。單晶硅材料在受到力的作用后，電阻率發(fā)生變化，通過測量電路就可得到正比于力變化的電信號輸出。
2012-12-21
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什么是步進電動機？
步進電動機（stepping motor）是將電脈沖激勵信號轉換成相應的角位移或線位移的離散值控制電動機。在自動控制裝置中作為執(zhí)行元件。每輸入一個脈沖信號，步進電動機前進一步，故又稱脈沖電動機。步進電動機多用于數(shù)字式計算機的外部設備，以及打印機、繪圖機和磁盤等裝置。
2012-12-20
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工作電源電壓低至1.1V的超低功耗電壓比較器
ST推出超低功耗器件，可大幅提升醫(yī)療、安全、保安等諸多領域的便攜技術性能。首款新系列電壓比較器產(chǎn)品實現(xiàn)市場領先的功耗及速度，工作電源電壓低至1.1V，進一步提高設備性能和電池使用壽命。
2012-12-19
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什么是晶體二極管？
晶體二極管（crystaldiode），簡稱二極管（diode）；它只往一個方向傳送電流的電子零件，是固態(tài)電子器件中的半導體兩端器件。這些器件主要的特征是具有非線性的電流-電壓特性。此后隨著半導體材料和工藝技術的發(fā)展，利用不同的半導體材料、摻雜分布、幾何結構，研制出結構種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極管。制造材料有鍺、硅及化合物半導體。
2012-12-18
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什么是靜電耳機？
靜電耳機又稱為靜電平面振膜，是將導電體(一般為鋁)線圈直接電鍍或印刷在很薄的塑料膜上，精確到幾微米級(目前STAX新一代的靜電耳機振膜已精確到1.35微 米);將其置于強靜電場中(通常由直流高壓發(fā)生器和固定金屬片(網(wǎng))組成)，信號通過線圈的時候切割電場，帶動振膜振動發(fā)聲。
2012-12-17
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什么是電熱器？
電熱器(heater-type thermistor): 用導體制成具有一定電熱性的元件. 電熱是導體的一種基本性質,與通電導體的尺寸、材料、粗細程度有關。電熱器都有一定的阻值，而它的電阻是又根據(jù)設定的功率來選用的，功率越大，總電阻就越小。
2012-12-16
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第四屆智能手機工作坊：教您設計與眾不同
在智能手機競爭高度同質化和利潤低下的今天，該如何捕捉下一代移動手持設備的行業(yè)前景和發(fā)展規(guī)律，選擇和利用好下一代智能手機平臺開發(fā)出有獨特賣點的 差異化產(chǎn)品？聽聽ST-Ericsson、Micron、Torex、Lecroy、風揚高科、UBM Techinsight專家的觀點吧！
2012-12-15
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什么是電聲器件？
電聲器件（electroacoustic device）：指電和聲相互轉換的器件，它是利用電磁感應、靜電感應或壓電效應等來完成電聲轉換的，包括揚聲器，耳機，傳聲器，唱頭等。
2012-12-15
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無電池NFC/RFID設計平臺：將無線電波轉化為電能
ST能量收集平臺M24LR加速無電池NFC/RFID內(nèi)存應用開發(fā)，其射頻接口能夠將 RFID 讀寫器、 NFC 手機或平板計算機發(fā)射的情境無線電波轉化為電能，為內(nèi)存電路供電，因而實現(xiàn)完全無電池的讀寫作業(yè)，現(xiàn)已上市。
2012-12-14
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飽嘗高壓MOSFET缺貨之苦，晶片商搶推整合LED驅動器
為了讓LED照明系統(tǒng)客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦，包括恩智浦、意法半導體(ST)、包爾英特(PI)等晶片制造商，已紛紛推出整合高壓MOSFET的LED照明驅動IC方案，以確?？蛻鬖ED照明產(chǎn)品出貨無虞，同時借機壯大在LED照明驅動IC的市場版圖。
2012-12-14
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MEMS傳感器應用看漲，ST持續(xù)領先地位
隨著行動裝置的銷售量快速成長，無論是剛問世的Windows 8平版、手機，還是蘋果電腦已經(jīng)推出多年的iPhone、iPad等智能產(chǎn)品，都大量使用了多種感測元件，進而提供更多附加價值的應用模式，如體感游戲、羅盤、導航等等，以吸引消費者購買的意愿。在MEMS應用持續(xù)增長的同時，ST也不斷創(chuàng)新，保持其全球領先的地位。
2012-12-13
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MOS晶體管
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開通和關斷特性，可望具有優(yōu)良的自關斷動態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開展對MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結構：MOS場控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開關晶閘管(EST)。
2012-12-13
- 國產(chǎn)濾波技術突破：金升陽FC-LxxM系列實現(xiàn)寬電壓全場景覆蓋
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