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0.001Ω的極低阻值的高性能應(yīng)用電阻
2010外形尺寸的Vishay新款Power Metal Strip電阻具有2W功率等級和0.001Ω的極低阻值，新器件使工程師能夠用盡可能小的電阻設(shè)計(jì)出高功率電路，用于更高性能的最終產(chǎn)品。
2013-01-09
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探測距離可達(dá)1米的接近傳感器發(fā)布
Vishay發(fā)布探測距離可超過1米，同時(shí)具有優(yōu)異的抵御環(huán)境光能力的全集成接近傳感器，該傳感器把紅外發(fā)射器、光電二極管、信號處理IC和16位ADC集成進(jìn)小尺寸4.85mm x 2.35mm x 0.83mm的封裝，是目前最具市場潛力的小尺寸，全集成產(chǎn)品。
2013-01-08
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針對高溫汽車應(yīng)用的新款I(lǐng)HLP電感器
Vishay推出新款低外形、高電流電感器，器件的頻率范圍達(dá)到1MHz，可用作電壓調(diào)節(jié)模塊和DC/DC轉(zhuǎn)換器的解決方案，既高效，又節(jié)約空間和能源。新電感器可處理高瞬態(tài)電流尖峰而不會硬飽和。
2012-12-26
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具有0.001Ω極低阻值的2010尺寸新款電阻
Vishay推出新款Power Metal Strip電阻，該器件具有2010外形尺寸、2W功率等級和0.001Ω的極低阻值，并且能夠幫助工程師用盡可能小的電阻設(shè)計(jì)出高功率電路，用于更高性能的最終產(chǎn)品。
2012-12-21
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40V功率MOSFET：針對汽車電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用
Vishay推出針對汽車電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的40V功率MOSFET，在10V和4.5V下實(shí)現(xiàn)了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，將傳導(dǎo)損耗最小化，并能在更低的溫度下工作。
2012-12-21
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Vishay推出新型8787尺寸的高電流電感器
Vishay公司近日推出采用8787外形尺寸的新款I(lǐng)HLP低外形、高電流電感器IHLP-8787MZ-5A，它具有9.7A～180A高額定電流，可在+150℃高溫下工作。該器件具有很高的效率，最大DCR為0.17mΩ～28.30mΩ，感值范圍0.22μH～100μH。
2012-12-19
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頻率范圍達(dá)1MHz的IHLP電感器：可用作電壓調(diào)節(jié)模塊
Vishay推出新款低外形、高電流電感——IHLP電感器，采用8787外形尺寸，額定電流達(dá)180A，可在+155℃高溫下工作，能夠很好地抵御熱沖擊、潮濕、機(jī)械沖擊和振動。將在2013年1季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2012-12-17
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耐潮、高精度匹配的車用MPMA精密配對電阻網(wǎng)絡(luò)
Vishay發(fā)布新款車用MPMA精密配對電阻網(wǎng)絡(luò),阻分壓器采用小尺寸表面貼裝SOT-23封裝并通過AEC-Q200認(rèn)證，具有±0.05%的嚴(yán)格比例容差和±2ppm/℃的TCR跟蹤。
2012-12-14
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20個(gè)電阻的精密MELF套件：電阻的精度達(dá)0.1%
Vishay推出新款精密樣品套件，方便易用的原型助手提供了MMA 0204和MMB 0207封裝的E96系列中四分之一器件的阻值，電阻的精度為0.1%，溫度系數(shù)為±25ppm/K。
2012-12-13
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高功率車用電機(jī)驅(qū)動的40V N溝道MOSFET
Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET，改器件采用7腳D2PAK封裝并具有1.1mΩ的低導(dǎo)通電阻和200A的連續(xù)漏極電流，可在溫度范圍-55?C～+175?C下工作。
2012-12-11
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用于智能手機(jī)充電器的新款45V整流器，現(xiàn)已量產(chǎn)
Vishay發(fā)布采用SlimSMA封裝的新款45V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器，高電流密度的器件具有5A正向電流和低至0.37V的VF?？稍谥悄苁謾C(jī)充電器等空間受限應(yīng)用的極性保護(hù)中減少功率損耗，并提高效率。
2012-12-07
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探測距離能超1米的接近傳感器，明年3月量產(chǎn)
Vishay推出集成了紅外發(fā)射器、光電二極管、信號處理IC和16位ADC的接近傳感器，器件采用4.85mm x 2.35mm x 0.83mm封裝，待機(jī)電流只有1.5μA，如使用集成的發(fā)射器驅(qū)動來驅(qū)動，探測距離可超過1米，同時(shí)可極大降低功耗。
2012-12-04
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