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意法半導(dǎo)體披露 2027-2028 年財務(wù)模型及2030年目標(biāo)實現(xiàn)路徑
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于前天在法國巴黎舉辦了資本市場日活動。在公司戰(zhàn)略保持不變的框架內(nèi)，意法半導(dǎo)體重申了200億+美元的營收目標(biāo)和相關(guān)財務(wù)模型，預(yù)計將在 2030 年實現(xiàn)這一目標(biāo)。意法半導(dǎo)體還制定了一個中期財務(wù)模型，預(yù)計2027-2028年營收約為180 億美元，營業(yè)利潤率在 22% 至 24% 之間。
2024-11-25
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【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測試應(yīng)用助力功率器件研究及性能評估
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動汽車領(lǐng)域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰(zhàn)。同時，隨著SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時也帶來了新的測試需求。如何在保證測試效率的同時，準(zhǔn)確評估這些先進(jìn)功率器件的性能和壽命，成為了行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。
2024-11-23
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-23
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
2024-11-19
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韌性與創(chuàng)新并存，2024 IIC創(chuàng)實技術(shù)再獲獎分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長
11月5日-6日，由全球電子行業(yè)知名媒體AspenCore主辦的國際集成電路展覽會暨研討會（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會展中心7號館圓滿落幕。作為業(yè)界頗具影響力的系統(tǒng)設(shè)計峰會，IIC Shenzhen 2024再次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搭建了一個專業(yè)的交流平臺，聚集國內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、管理人員、設(shè)計精英及決策者，聚焦重大前沿新興技術(shù)及產(chǎn)品、市場應(yīng)用以及供應(yīng)鏈發(fā)展變遷和趨勢，以此助推產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新穩(wěn)健發(fā)展。
2024-11-19
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貿(mào)澤電子與Analog Devices聯(lián)手推出新電子書探討電子設(shè)計中的電源效率與穩(wěn)健性
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 聯(lián)手推出一本新電子書，重點介紹優(yōu)化電源系統(tǒng)的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（面向未來的供電：兼顧效率與穩(wěn)健性的先進(jìn)電源解決方案）這本電子書中，ADI和貿(mào)澤的主題專家對電源系統(tǒng)中的重要組件、架構(gòu)和應(yīng)用進(jìn)行了深入分析。
2024-11-15
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兆易創(chuàng)新MCU新品重磅揭幕，以多元產(chǎn)品和方案深度解鎖工業(yè)應(yīng)用場景
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日在上海舉辦了以“勇躍?芯征程”為主題的新品發(fā)布會，來自工業(yè)和數(shù)字能源等領(lǐng)域的行業(yè)伙伴齊聚一堂，共襄盛舉。本發(fā)布會中，兆易創(chuàng)新展現(xiàn)了其在工業(yè)自動化、數(shù)字能源等領(lǐng)域的最新成果，不僅重磅揭幕了兩款MCU新品——EtherCAT?從站控制芯片和GD32G5系列Cortex?-M33內(nèi)核的高性能MCU，還同步推出一系列搭載全新MCU產(chǎn)品的電機(jī)控制和數(shù)字能源方案。與此同時，眾多合作伙伴也于發(fā)布會首次推出基于GD32 MCU的創(chuàng)新解決方案。這不僅彰顯了兆易創(chuàng)新在工業(yè)及數(shù)字能源領(lǐng)域的持續(xù)關(guān)注與堅定承諾，也體現(xiàn)出公司與行業(yè)伙伴之間緊密的合作關(guān)系和堅實的市場基礎(chǔ)。
2024-11-14
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功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-12
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采用能量收集技術(shù)為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計永續(xù)供電
許多無法連接市電的嵌入式系統(tǒng)通常會采用電池供電，但當(dāng)電池電量用完時，更換電池的維護(hù)成本相對較高，并造成相當(dāng)多的困擾，若能通過能量收集技術(shù)來為系統(tǒng)永續(xù)供電，便可解決這個問題。本文將為您介紹如何利用能量收集技術(shù)來建立永久運行的嵌入式系統(tǒng)，以及由Silicon Labs（芯科科技）推出的相關(guān)解決方案。
2024-11-12
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下簡稱宜普公司）今日宣布美國國際貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會維持此前的初步裁定，確認(rèn)英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術(shù)專利。該相關(guān)專利對人工智能、衛(wèi)星、快速充電器、仿人機(jī)器人、自動駕駛以及其他許多技術(shù)的發(fā)展均至關(guān)重要。美國國際貿(mào)易委員會決定禁止英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司（以下簡稱英諾賽科）在未獲宜普公司授權(quán)的情況下將相關(guān)氮化鎵產(chǎn)品進(jìn)口至美國。
2024-11-11
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高精度時間管理，賦能汽車電子新體驗
瑞士微晶Micro Crystal是全球領(lǐng)先的高精度石英晶體和實時時鐘模塊（RTC）制造商，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子領(lǐng)域，憑借高穩(wěn)定性和低功耗特性，在各類汽車關(guān)鍵系統(tǒng)中為時間管理、同步控制及節(jié)能運行提供了可靠的支持。瑞士微晶Micro Crystal的產(chǎn)品以卓越的質(zhì)量和性能，滿足了現(xiàn)代汽車對精準(zhǔn)計時和復(fù)雜系統(tǒng)同步的嚴(yán)格需求。
2024-11-11
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-11
- 詳解超級電容器與電池在儲能解決方案的對比 (上)
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