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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設計。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)砀嘤袃r值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。
2023-04-24
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如何通過優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰(zhàn)
在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當你縮小尺寸時，你不可避免地會降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對熱性能的影響，以及如何通過優(yōu)化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響。現(xiàn)在，讓我們來看看我們?nèi)绾文軌蚋纳齐姎庑阅?。同樣，我們將以采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術的新型1200V、600A EconoDUAL? 3模塊為例，該模塊針對通用驅(qū)動（GPD）、商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛（CAV）、不間斷電源（UPS）和太陽能等應用進行了優(yōu)化。
2023-04-10
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如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)
尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業(yè)中不斷強調(diào)的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。
2023-04-06
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為什么逆導型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路
對于功率因數(shù)校正（PFC），通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓撲結(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調(diào)、加熱、通風和空調(diào)（HVAC）以及熱泵。
2023-02-20
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計算
與大多數(shù)功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
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具有集成反激式控制器的智能柵極驅(qū)動光耦合器
通過集成反激式控制器，ACPL-302J 器件允許在器件旁邊放置更少的分立元件和更小的變壓器和電容器，從而減少設計的整體尺寸并限度地減少電磁干擾 (EMI) 和 IGBT 通道之間的噪聲耦合。通過減少設計中的這些元素，設計人員可以實現(xiàn)顯著的成本節(jié)約。
2023-02-17
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MOS管開通過程的米勒效應及應對措施
在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關電源應用中，所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應的成因、表現(xiàn)、危害及應對方法。
2023-02-10
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如何手動計算IGBT的損耗
現(xiàn)今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節(jié)省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數(shù)學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數(shù)學知識。
2023-02-07
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優(yōu)化汽車應用的駕駛循環(huán)仿真
碳化硅（SiC）已經(jīng)改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動汽車（EV）充電和車載功率轉(zhuǎn)換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對 Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準確的預測性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓撲、系統(tǒng)和應用。
2023-01-28
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結(jié)構(gòu)，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。
2023-01-27
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低電感ANPC拓撲結(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術，滿足光伏應用的需求
本文介紹了新型950V IGBT和二極管技術。950V IGBT結(jié)構(gòu)基于微溝槽理念，與典型1200V技術相比，新型950V IGBT和二極管的靜態(tài)損耗和/或開關損耗顯著降低。通過分析應用需求與功率模塊設計的相互作用，本文確定了功率模塊的應用結(jié)果和優(yōu)化路徑。得益于經(jīng)優(yōu)化的功率模塊設計和采用950V技術，近期推出的無基板Easy3B解決方案實現(xiàn)了全集成1500V ANPC拓撲結(jié)構(gòu)。該拓撲結(jié)構(gòu)的額定電流達到400A，而雜散電感低至僅15nH。
2023-01-16
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