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意法借力Soitec背光技術開發(fā)下一代影像傳感器

發(fā)布時間:2009-05-20

新聞事件:
  • 意法半導體與工程基板供應商Soitec宣布兩家公司簽訂一項排他性合作協(xié)議
  • 將合作開發(fā)300毫米晶圓級背光(BSI)技術,制造用于消費電子產(chǎn)品中的下一代影像傳感器
事件起因:
  • 在下一代影像傳感器開發(fā)過程中,背光(BSI)技術是應對這一挑戰(zhàn)的關鍵技術
  • 這項協(xié)議將加快具成本競爭力的先進影像傳感器制程工藝的發(fā)展進化
  • 進一步鞏固格勒諾布爾地區(qū)作為全球CMOS先進影像傳感器技術領導中心的地位
意法半導體與工程基板供應商Soitec宣布兩家公司簽訂一項排他性合作協(xié)議。根據(jù)此協(xié)議,兩家公司將合作開發(fā)300毫米晶圓級背光(BSI)技術,制造用于消費電子產(chǎn)品中的下一代影像傳感器。

當今的前沿影像傳感器技術的分辨率正在持續(xù)提高,同時也不斷要求縮減相機模塊的整體尺寸,特別是消費電子市場要求更為迫切。這意味著影像產(chǎn)業(yè)需要開發(fā)個別像素粒子更小、同時還能保持像素靈敏度和高畫質(zhì)的影像技術。在下一代影像傳感器開發(fā)過程中,背光(BSI)技術是應對這一挑戰(zhàn)的關鍵技術。

兩家公司的合作協(xié)議包括Soitec授權意法半導體在300毫米晶圓上使用Smart Stacking鍵合技術制造背光傳感器。這項技術是由Soitec集團中的Tracit事業(yè)部開發(fā)的,利用分子鍵合技術和機械以及化學薄化技術。意法半導體將開發(fā)新一代影像傳感器,利用先進的65納米以及65納米以下的衍生CMOS制程工藝技術,在法國南部Crolles的300毫米晶圓制造廠生產(chǎn)。結合意法半導體先進的晶圓制造能力,Smart Stacking技術將有助于意法半導體加強在高性能移動消費電子影像傳感器開發(fā)與供應的領先地位。

“對于尖端影像傳感器開發(fā)來說,背光技術是小像素、高畫質(zhì)競賽的一個要素,”意法半導體事業(yè)群副總裁兼影像產(chǎn)品部總經(jīng)理Eric Aussedat表示,“通過與Soitec合作,意法半導體可以在相機產(chǎn)品中快速部署Smart Stacking技術。這項協(xié)議將加快具成本競爭力的先進影像傳感器制程工藝的發(fā)展進化,進一步鞏固格勒諾布爾(Grenoble)地區(qū)作為全球CMOS先進影像傳感器技術領導中心的地位。”

“意法半導體選擇我們的Smart Stacking技術來發(fā)展背光產(chǎn)品,我們感到非常高興。”Soitec集團公司董事長兼總裁Andre-Jacques Auberton-Herve表示,“我們的Tracit事業(yè)部開發(fā)的這項技術,支持快速部署與工程基板和3D集成相關的先進制程工藝,我們非常高興能夠支持意法半導體以客戶利益為重的創(chuàng)新承諾。”
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