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如何設(shè)計(jì)出滿足實(shí)際要求的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源？
國(guó)內(nèi)的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源大部分都有分立性器件組成，因此結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)在靜態(tài)壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源的研制上取得了突破，但是其復(fù)雜的結(jié)構(gòu)還是會(huì)致其產(chǎn)生自激振蕩，對(duì)電源的穩(wěn)定性產(chǎn)生影響。如果驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷制動(dòng)器適合采用高壓運(yùn)放的驅(qū)動(dòng)電源，輸出波紋小，分辨率高，電路及成都大幅度提升...
2015-04-15
壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源 電源設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)電源
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方案解讀：如何提高LED照明的顯色指數(shù)？
LED技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對(duì)LED光源的需求也也逐漸增多。光源在照明燈具中對(duì)顯色指數(shù)有著嚴(yán)格的要求，由于白光技術(shù)在顯色方面的不成熟制約了LED光源的發(fā)展。如何提高LED照明的顯色指數(shù)成為新一代照明方案研究的熱點(diǎn)，本文就這一課題提出了解決方案并加以解析。
2015-04-15
LED照明 顯色指數(shù) LED光源 LED
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跨分割換層是否是YES——設(shè)計(jì)先生之回流設(shè)計(jì)系列（4）
在PCB設(shè)計(jì)實(shí)際運(yùn)用中，控制電源噪聲的關(guān)鍵就是降低電源回路的阻抗。本節(jié)讓我們來(lái)探討下我們?cè)O(shè)計(jì)中經(jīng)常遇到的麻煩問(wèn)題，這種問(wèn)題往往帶來(lái)的就是大量工作量的修改，我們跨分割是否允許，信號(hào)換層是否能夠接受以及如何改善它們？
2015-04-15
回流設(shè)計(jì) 電源設(shè)計(jì)
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直通車(chē)：直擊直流電源模塊的設(shè)計(jì)“壁壘”
電路設(shè)計(jì)一直都是工程師必備課程，直流電源模塊的設(shè)計(jì)一直都是困擾工程師的難點(diǎn)，因?yàn)樵谠O(shè)計(jì)過(guò)程有兩個(gè)“壁壘”，一是熱處理，二是電流最大化。這兩個(gè)難點(diǎn)只要處理成功，那么直流電源模塊的設(shè)計(jì)就不是問(wèn)題了，下面我們一起直擊直流電源模塊的設(shè)計(jì)難點(diǎn)。
2015-04-14
直流電源 直流電源模塊 電路設(shè)計(jì)
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光伏發(fā)電的“利器”——微型逆變器詳析
逆變器在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中起到至關(guān)重要的作用。太陽(yáng)能綠色能源普及的今天，交流和直流之間的轉(zhuǎn)換需求度逐漸增大，這就需要逆變器發(fā)揮作用?，F(xiàn)如今所有的設(shè)備都向著微型化方向發(fā)展，逆變器也不例外，本文就來(lái)著重分析光伏發(fā)電中微型逆變器的作用及優(yōu)點(diǎn)。
2015-04-14
光伏發(fā)電 微型逆變器 逆變器 逆變電源
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提升PFC性能的共源共柵結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵：減小米勒效應(yīng)
米勒效應(yīng)想比眾所周知，即在反相電路中，輸入輸出之間的寄生電容或分布電容經(jīng)由放大器后的放大作用。單位增益放大器中并不具備米勒效應(yīng)，雖然其具有較大的輸出電容，且經(jīng)由輸出電容后導(dǎo)致隨后出現(xiàn)了后端變形、尖端變形的情況。
2015-04-14
米勒效應(yīng) PFC 共源共柵 MOSFET
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電子變壓器微小變革中，軟磁鐵芯的功過(guò)是非在哪？
電子變壓器的生產(chǎn)工藝面臨一場(chǎng)巨大的變革，電子變壓器向高頻化、低損耗、重量輕、體積小方向發(fā)展是必然的趨勢(shì)，作為電子變壓器核心部件的軟磁鐵芯將是這場(chǎng)變革的首當(dāng)其沖元件。
2015-04-14
電子變壓器 變壓器 軟磁鐵芯
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Vishay新款NTC熱敏電阻裸片為設(shè)計(jì)者提供與IGBT相同的安裝方式
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布兩款新無(wú)引線NTC熱敏電阻裸片---NTCC300E4與NTCC200E4，分別與上表面和下表面接觸，使設(shè)計(jì)者得以實(shí)現(xiàn)與IGBT半導(dǎo)體相同的安裝方式。
2015-04-13
熱敏電阻 裸片
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硅器件改變砷化鎵一統(tǒng)局面，據(jù)說(shuō)已成定局？
如今硅器件技術(shù)已經(jīng)有所改進(jìn)，再加上優(yōu)化的設(shè)計(jì)，注定了硅器件能夠在高性能射頻和系統(tǒng)中取代砷化鎵器件。在半導(dǎo)體器件快速發(fā)展的今天，工程師會(huì)在設(shè)計(jì)射頻微波電路時(shí)自動(dòng)選擇砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，因其噪聲系數(shù)和線性度較之硅器件要更加優(yōu)良。應(yīng)用中硅器件注定要被砷化鎵取代，是否已成定局？
2015-04-13
硅器件 砷化鎵器件 可變?cè)鲆娣糯笃?nbsp; 元器件選型
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