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制備超低靜態(tài)電流電荷泵
電池供電的便攜式設(shè)備在大部分使用壽命內(nèi)常常處在備用狀態(tài)。在這種備用狀態(tài)下，內(nèi)部升壓變換器的靜態(tài)電流仍然不斷消耗電池能量。本電路能使你實現(xiàn)一個超低靜態(tài)電路穩(wěn)壓電荷泵。在現(xiàn)成電荷泵買到之前，它為尋求不使用電感器實現(xiàn)低成本電荷泵的設(shè)計師提供了一種替代品。
2008-10-04
靜態(tài)電流 電荷泵 vbatt vout
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增強DC/DC變換器動態(tài)響應的新方法
DRC電路可以大幅降低DC/DC變換器負載瞬變失真的幅度和持續(xù)時間。DRC電路參數(shù)必須與DC/DC變換器的特性以及負載電流瞬變的最大幅度相匹配。應小心選擇輔助充電電壓和儲能電容器,以便與DC/DC輸出電流轉(zhuǎn)換速率和負載電流階躍的振幅相匹配。
2008-10-04
DC/DC 負載動態(tài)響應 DRC ESR
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開關(guān)電源電磁干擾濾波器
隨著開關(guān)電源的發(fā)展，其中的電磁干擾問題倍受重視，開關(guān)電源電磁干擾濾波器也就隨之產(chǎn)生。本文介紹了開關(guān)電源電磁干擾(EMI)的特點，電磁干擾濾波器設(shè)計原則和電磁干擾濾波器的電路結(jié)構(gòu)與參數(shù)選擇，以及電磁干擾濾波器的安裝。
2008-10-04
開關(guān)電源 電磁干擾 濾波器
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動及保護研究
絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動器的設(shè)計進行討論，并提出一種具有完...
2008-10-02
IGBT 門極電阻 EXB841 驅(qū)動電路
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南方芯源推出全新A系列MOSFET
南方芯源(Samwin)開始向市場推廣全新A系列MOSFET。Samwin A系列采用先進的6寸片0.6um生產(chǎn)線，產(chǎn)品的品質(zhì)因子處于國內(nèi)領(lǐng)先地位，與Fairchild uniFET產(chǎn)品一致。在民用級開關(guān)電源產(chǎn)品上完全可替代國外品牌。
2008-10-01
A系列MOSFET 開關(guān)電源
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用于功率變換器的IGBT驅(qū)動核心電路
用于IGBT功率模塊上的驅(qū)動電路必須能夠完成門極驅(qū)動和模塊保護功能。它們還必須能為控制部分和功率半導體之間提供電氣隔離，并滿足多種不同型號IGBT的驅(qū)動要求。為了滿足上述要求，必須對現(xiàn)有的門極驅(qū)動電路進行優(yōu)化。具體地說，就是必須在諸多因素如功能，靈活性以及性價比之間尋求最優(yōu)平衡，所幸...
2008-10-01
IGBT SKYPER 電源隔離 dv/dt
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選擇正確的DC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲
基于電子設(shè)備的處理器系統(tǒng)設(shè)計人員經(jīng)常會在為他們的應用選擇最佳電源架構(gòu)時遇到困難。有時最佳的解決方案是插入式電源。而有時采用由分立的元件組成的電源才是最佳的解決方案。選擇插入式電源解決方案相對來說比較直接,但對于缺乏電源設(shè)計經(jīng)驗的數(shù)字設(shè)計人員來說,設(shè)計一個分立電源解決方案可能會使...
2008-10-01
DC/DC 轉(zhuǎn)換器 感應器 IC
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低功耗電源的電感選擇
對于低功耗開關(guān)電源的電感選取有許多特殊注意之處。對于低功耗、高效率的開關(guān)電源設(shè)計，一般的器件資料或者選型表提供的參數(shù)是遠遠不夠的。通常的電感都是鐵氧體磁芯(非低損耗材料)，必將逐步在低功率、高效率的應用中淘汰。一種相對簡單的電感損耗測試設(shè)備可以在設(shè)計的頻點測試電感的損耗，對比不...
2008-10-01
BUCK 趨膚效應 磁芯損耗 電感
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傳導式EMI的測量技術(shù)
EMI是指部分的電磁（射頻）能量透過外部纜線、電源線、I/O互連介面，形成傳導波被傳送出去。本文將說明射頻能量經(jīng)由電源線傳送時，所產(chǎn)生的傳導式雜訊對PCB的影響，以及如何測量傳導式EMI和FCC、CISPR的EMI限制規(guī)定。
2008-09-30
EMI FCC 雜訊電流 返回路徑
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