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保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計(jì)的角度來(lái)看，單個(gè)MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬(wàn)個(gè)MOSFET時(shí)，極小的故障都可能帶來(lái)極大的影響。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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在自動(dòng)駕駛汽車中實(shí)現(xiàn)5G和DSRC V2X
很顯然，車輛通信是實(shí)現(xiàn)更高的自動(dòng)駕駛水平的重要推動(dòng)因素。但是，長(zhǎng)期以來(lái)，汽車廠商一直在研究分析所需的無(wú)線接入技術(shù)應(yīng)基于蜂窩技術(shù)（也稱為C-V2X）還是基于直接接入技術(shù)（稱為DSRC）。在本文中，我們將展示未來(lái)的自動(dòng)駕駛場(chǎng)景需要協(xié)調(diào)或組合使用這兩種技術(shù)。先進(jìn)的多無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備需要集成分別采...
2022-06-10
自動(dòng)駕駛汽車 5G DSRC V2X
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安霸CV2FS/CV22FS獲得ASIL C芯片功能安全認(rèn)證，超越市場(chǎng)同類芯片水平
2022年6月7日，美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市，Ambarella (下稱“安霸”，納斯達(dá)克股票代碼：AMBA，專注AI視覺感知的半導(dǎo)體公司) 于今天宣布，其汽車AI視覺感知芯片（SoC）CV2FS/CV22FS成功通過(guò)exida的ASIL C芯片功能安全認(rèn)證，獲得證書，并且其內(nèi)置的功能安全島為ASIL D級(jí)別。CV2FS/CV22FS這一功能安全...
2022-06-08
安霸 CV2FS/CV22FS 芯片
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異步DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器（包含續(xù)流二極管）還能實(shí)現(xiàn)低輻射嗎？
本文嘗試展示帶分立式續(xù)流二極管的異步轉(zhuǎn)換器如何還能實(shí)現(xiàn)低輻射。其中將會(huì)介紹不同類型的轉(zhuǎn)換器、布局和封裝，以及為何受控開關(guān)非常有效，還會(huì)詳細(xì)介紹在CISPR 25 5類輻射測(cè)試中，低EMI評(píng)估電路的通過(guò)測(cè)試結(jié)果。
2022-06-08
DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器 低輻射 ADI
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25 kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第三部分)：PFC仿真
在本系列的前幾篇文章中，我們介紹了電動(dòng)車快充系統(tǒng)的主要系統(tǒng)要求，概述了系統(tǒng)開發(fā)過(guò)程中的關(guān)鍵階段以及認(rèn)識(shí)了參與設(shè)計(jì)25 kW SiC直流快充系統(tǒng)的工程師團(tuán)隊(duì)。
2022-06-07
SiC 直流快充 PFC仿真
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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀
IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì)無(wú)奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)...
2022-06-03
IGBT 窄脈沖
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瑞薩電子為加速電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)開發(fā)推出復(fù)合驅(qū)動(dòng)軟件
2022 年 6 月 2 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，面向電動(dòng)汽車（EV）車載電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)人員推出符合AUTOSAR標(biāo)準(zhǔn)的復(fù)合驅(qū)動(dòng)程序（CDD）軟件模塊。此款全新軟件與廣受業(yè)界好評(píng)的瑞薩ISL78714鋰離子電池管理IC配合使用，以加速下一代系統(tǒng)的設(shè)計(jì)并...
2022-06-02
瑞薩電子 電池管理系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)軟件
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汽車級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器應(yīng)該怎么用？首款唯一車硅認(rèn)證柵極驅(qū)動(dòng)板簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
就在德國(guó)紐倫堡PCIM Europe展會(huì)的最后一天，Power Integrations（PI）在線上舉辦新品溝通會(huì)，PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan講解了一個(gè)汽車級(jí)IGBT/SiC（碳化硅）模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅(qū)動(dòng)板。
2022-06-02
IGBT/SiC 柵極驅(qū)動(dòng)板 設(shè)計(jì)
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如何計(jì)算驅(qū)動(dòng)芯片的desat保護(hù)時(shí)間
SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來(lái)具體看一下這個(gè)短而精的程度。
2022-06-02
驅(qū)動(dòng)芯片 desat 保護(hù)時(shí)間
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