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軌道交通

一個(gè)元件4000塊？航天級(jí)別MOSFET全球首拆！

我們都知道，一個(gè)普通的MOSFET也就幾元到十幾元，但筆者最近有幸得到一些“特別”的MOSFET，價(jià)格竟然達(dá)到4000以上，讓人不禁好奇，4000+的價(jià)格從何而來(lái)？特拆解之，一起來(lái)一探究竟吧！

2013-08-07

航天拆解 MOSFET

Molex推出Temp-Flex超低損耗柔性微波同軸電纜，VOP高達(dá)88%

Molex宣布已經(jīng)推出微波電纜組件，利用Temp-Flex空氣電介質(zhì)超低損耗柔性微波同軸電纜產(chǎn)品線，具有專利雙單絲空氣增強(qiáng)設(shè)計(jì)和螺旋形纏繞屏蔽層傳播速度(VOP)高達(dá)88%，超越嚴(yán)格的軍用和航天規(guī)范。

2013-07-25

Molex 同軸電纜微波電纜組件微波同軸電纜

實(shí)例解析：利用晶體三極管進(jìn)行雙路控制驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

開關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路具有改善電路性能，提高電路可靠性等特點(diǎn)，已廣泛用于快速開關(guān)動(dòng)作的三極管的各種電子電路中。本文從驅(qū)動(dòng)保護(hù)、抗干擾等方面設(shè)計(jì)了一種輸入脈寬可調(diào)信號(hào)的兩路驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有快速精確、高性能、小型化、實(shí)用性等特點(diǎn)，可滿足一些軍事、工業(yè)自動(dòng)控制系統(tǒng)需求。

2013-07-23

三極管驅(qū)動(dòng) 驅(qū)動(dòng)電路晶體三極管

Vishay新增超高容量液鉭電容器，75V下容量達(dá)1000 μF

Vishay日前宣布推出采用特殊密封的新型超高容量系列液鉭電容器---T18系列。新型液鉭電容器適用于航空和航天應(yīng)用，采用D外形尺寸，在75V下的容量高達(dá)1000 μF。

2013-07-20

Vishay 液鉭電容器超高容量液鉭電容器

機(jī)上WIFI技術(shù)：“空中上網(wǎng)”可不是空想

如果在飛機(jī)上也上網(wǎng)發(fā)郵件刷微博，無(wú)疑給枯燥的旅途注入了一股新鮮感，而機(jī)上WIFI技術(shù)讓這一期望變成了現(xiàn)實(shí)。那么飛機(jī)上的無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與陸地的無(wú)線網(wǎng)絡(luò)又有何異同？會(huì)不會(huì)影響到航空安全？本文都將一一解答。

2013-07-18

WIFI 無(wú)線飛機(jī) 機(jī)上WIFI

解讀軍用電子設(shè)備電磁兼容現(xiàn)狀和未來(lái)<br>——宏明專家在第十五屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)演講

解讀軍用電子設(shè)備電磁兼容現(xiàn)狀和未來(lái)
——宏明專家在第十五屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)演講

由CNT Networks攜手中國(guó)電子展與China Outlook Consulting主辦的第十五屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)，于2013年6月20日在成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心火熱召開。宏明電子專家出席并進(jìn)行了《軍用電子設(shè)備用電磁兼容》主題演講，受到西部觀眾熱烈歡迎。

2013-07-02

電磁兼容軍用設(shè)備電磁兼容宏明電子

占板面積僅3cm2的高集成度接收器設(shè)計(jì)

市場(chǎng)對(duì)高集成度的需求并沒有停止。Linear開發(fā)出占板面積僅3cm2 的接收器，不但擁有 UMTS 基站應(yīng)用所需的高性能，而且還提供了對(duì)于緊湊型設(shè)計(jì)而言必不可少的小尺寸和高集成度，本文將對(duì) LTM 9004微型模塊 (μModule)接收器進(jìn)行設(shè)計(jì)分析。

2013-06-25

接收器 LTM9004 Linear

AltiVec軟件庫(kù)助力飛思卡爾QorIQ T系列處理器實(shí)現(xiàn)卓越性能

飛思卡爾QorIQ T4240通信處理器采用由 Mentor Graphics Corporation提供的AltiVec軟件庫(kù)。新型軟件庫(kù)幫助使AltiVec技術(shù)優(yōu)于以往任何技術(shù)，使客戶能夠完全利用飛思卡爾AltiVec矢量處理技術(shù)的超高性能。

2013-06-21

處理器軟件庫(kù) AltiVec QorIQ 飛思卡爾

巧避兩大因素，延長(zhǎng)CMOS使用壽命

對(duì)于模擬CMOS而言，有兩大主要危害，其一是靜電，其二是過(guò)壓。因此，要做好CMOS的保護(hù)，就需從這兩大主要因素入手，避免錯(cuò)誤地使用CMOS，從而延長(zhǎng)CMOS的使用壽命。本文將介紹該如何有效應(yīng)對(duì)這兩大危害。

2013-06-19

CMOS 電路 CMOS器件靜電過(guò)壓

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