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半導(dǎo)體：中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)戰(zhàn)略機(jī)遇期
半導(dǎo)體行業(yè)在危機(jī)中進(jìn)行變革：2009年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模2197億美元，同比衰退13.9%，是半導(dǎo)體歷史上的第二大衰退。與2001年相比，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)此次衰退的反應(yīng)速度要快很多。我們認(rèn)為最根本的原因是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由重資產(chǎn)、重規(guī)模的發(fā)展模式逐步向輕資產(chǎn)、重市場(chǎng)的輕晶圓模式轉(zhuǎn)變，產(chǎn)業(yè)對(duì)市場(chǎng)的反應(yīng)速度...
2010-06-01
IC設(shè)計(jì) 晶圓 半導(dǎo)體
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2010年中國(guó)數(shù)字機(jī)頂盒銷量將達(dá)3950萬(wàn)臺(tái)
幾年來(lái)中國(guó)機(jī)頂盒市場(chǎng)的強(qiáng)勁表現(xiàn)，與中國(guó)液晶電視市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)也有很大關(guān)系。雖然面臨全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)， 2009年中國(guó)液晶電視市場(chǎng)達(dá)到2800萬(wàn)臺(tái)，比2008年的1300萬(wàn)臺(tái)大增115%，預(yù)計(jì)今年將達(dá)到3950萬(wàn)臺(tái)。
2010-06-01
數(shù)字 機(jī)頂盒 數(shù)字電視
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無(wú)源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ?硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成無(wú)源元件(IPD)工藝
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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無(wú)源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ?硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成無(wú)源元件(IPD)工藝
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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無(wú)源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ?硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成無(wú)源元件(IPD)工藝
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飛兆半導(dǎo)體USB技術(shù)實(shí)現(xiàn)移動(dòng)產(chǎn)品設(shè)計(jì)差異化
USB業(yè)已成為移動(dòng)應(yīng)用設(shè)備的通用接口，USB端口從單純的數(shù)據(jù)接口已經(jīng)演變?yōu)橐环N文件傳輸、電池充電、收聽(tīng)音樂(lè)和設(shè)備工廠編程的方法。為了更好地支持單一連接器上的功能融合，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)提供全新的USB收發(fā)器和USB附件檢測(cè)開(kāi)關(guān)，可以實(shí)現(xiàn)更豐富功能，且不會(huì)增加設(shè)計(jì)復(fù)雜性...
2010-06-01
micro-USB開(kāi)關(guān)(FSA9280A) USB收發(fā)器(FUSB2500)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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