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深度剖析柵極驅(qū)動(dòng)器IC在半橋拓?fù)潆娫崔D(zhuǎn)換中的選型指南與隔離設(shè)計(jì)
半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換器件中。這種開關(guān)模式配置的核心是柵極驅(qū)動(dòng)器IC，其主要功能是使用脈寬調(diào)制信號(hào)向高端和低端MOSFET功率開關(guān)提供干凈的電平轉(zhuǎn)換信號(hào)。
2025-03-19
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電子保險(xiǎn)絲選型要點(diǎn)全解析
盡管變化很大，但保險(xiǎn)絲的基本功能始終如一。保險(xiǎn)絲始終都是保護(hù)電路免受過電流影響的保護(hù)器件，無論過電流是數(shù)百安培，還是僅僅幾毫安。通常情況下，采取的保護(hù)措施是將電路與電源斷開。對(duì)于傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲來說，這意味著保險(xiǎn)絲會(huì)熔斷，需要實(shí)際更換保險(xiǎn)絲。而電子保險(xiǎn)絲則是通過半導(dǎo)體開關(guān)來斷開連接，因而可以進(jìn)行復(fù)位，而且通常能夠自動(dòng)復(fù)位。
2025-03-19
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LDO穩(wěn)壓器核心知識(shí)點(diǎn)全解析：掌握這些，你就是專家！
現(xiàn)代電子設(shè)備正變得越來越小，越來越便攜。智能手表、健身追蹤器、安防系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備越來越多地采用電池供電。因此，這些設(shè)備需要高效率電源穩(wěn)壓器，能夠從每次充電中炸盡每一毫瓦的功率，以確保設(shè)備工作更長的時(shí)間。此外，這些設(shè)備的總過溫升必須極小。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器和開關(guān)模式電源穩(wěn)壓器無法輕易地滿足這些便攜式設(shè)備的效率要求。此外，開關(guān)模式電源穩(wěn)壓器也會(huì)受到噪聲和瞬態(tài)電壓的影響。
2025-03-18
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三種常見人體感應(yīng)傳感器的區(qū)別與實(shí)戰(zhàn)方案
人體感應(yīng)傳感器能檢測(cè)人體和物體接近，并給出變化的電平信號(hào)，實(shí)現(xiàn)開關(guān)和喚醒的功能，實(shí)現(xiàn)人體存在、微動(dòng)、近距喚醒等多種低功耗雷達(dá)傳感器的場景應(yīng)用。在設(shè)備智能化，低碳節(jié)能和改善用戶體驗(yàn)方面，移動(dòng)感應(yīng)器市場需求顯著增加。
2025-03-18
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ST 新款微型單片降壓轉(zhuǎn)換器，用于智能電表、家電和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器提供低電壓電源
意法半導(dǎo)體新款微型單片降壓轉(zhuǎn)換器DCP3601集成大量的功能，具有更高的設(shè)計(jì)靈活性，可以簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)，降低物料清單成本。這款芯片內(nèi)置功率開關(guān)與補(bǔ)償電路，構(gòu)建完整的輸出電壓設(shè)置電路，僅需電感器、自舉電容、濾波電容、反饋電阻等6個(gè)外部元件。
2025-03-05
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基于 MHz 開關(guān)頻率的器件助力實(shí)現(xiàn) DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 EMI 濾波器的小型化
對(duì)于 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器而言，使系統(tǒng)小型化并提高整體功率密度的一種顯著方法是通過更高頻率的開關(guān)。然而，盡管開關(guān)頻率超過 1.3 MHz 的系統(tǒng)具有潛在優(yōu)勢(shì)，但迫于技術(shù)挑戰(zhàn)，許多設(shè)計(jì)人員直到現(xiàn)在仍在使用較低的頻率，例如 100 kHz 或更低……。閱讀本文了解使用高密度電源模塊進(jìn)行設(shè)計(jì)如何改變這一現(xiàn)狀。
2025-03-04
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STSPIN32G0上新兩款低壓產(chǎn)品，design win見證卓越
意法半導(dǎo)體 (ST) 的STSPIN32系列產(chǎn)品集成了MCU與功率開關(guān)管柵極驅(qū)動(dòng)器，不僅節(jié)省了成本，還簡化了設(shè)計(jì)流程，整個(gè)系統(tǒng)的體積最多可縮小65%，這些特性讓它在市場上脫穎而出備受青睞。
2025-02-27
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硅基功率開關(guān)已經(jīng)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？
在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問道：現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？
2025-02-26
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自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案
人工智能(AI)應(yīng)用對(duì)高性能內(nèi)存，尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求不斷增長，芯片設(shè)計(jì)因此變得更加復(fù)雜。自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)廠商是驗(yàn)證這些芯片的關(guān)鍵一環(huán)，目前正面臨著越來越大的壓力，需要不斷提升自身能力以滿足這一需求。傳統(tǒng)上，在存儲(chǔ)器晶圓探針電源應(yīng)用中，PhotoMOS開關(guān)因其良好的低電容乘電阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于減少信號(hào)失真，改善開關(guān)關(guān)斷隔離度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更低的插入損耗。
2025-02-23
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第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性
本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗(yàn)證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。
2025-02-20
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設(shè)計(jì)高壓SIC的電池?cái)嚅_開關(guān)
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）提供動(dòng)力，可以通過固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_連接開關(guān)時(shí)，需要考慮一些基本的設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)，設(shè)備類型，熱包裝，設(shè)備堅(jiān)固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，并為高壓，高電流電池?cái)嚅_開關(guān)定義了半導(dǎo)體包裝，以及表征系統(tǒng)寄生電感和過度流動(dòng)保護(hù)限制的重要性。
2025-02-16
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低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)
低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過程中的功率損失，從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開時(shí)，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對(duì)于效率至關(guān)重要，因?yàn)榈蚏D（ON）意味著在傳導(dǎo)過程中降低電阻損失高開關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。
2025-02-14
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