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【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場(chǎng)的熱門選擇。然而,由于工作電壓和長(zhǎng)期可靠性的制約,這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮,主要在消費(fèi)電子領(lǐng)域內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)價(jià)格。近期,隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出,我們看到了它們?cè)诟鼜V泛市場(chǎng)應(yīng)用中的潛力。
2024-10-20
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開關(guān)模式電源問題分析及其糾正措施:晶體管時(shí)序和自舉電容問題
本文是系列文章中的第三篇,該系列文章將討論常見的開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的功率級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題,重點(diǎn)關(guān)注功率晶體管和自舉電容。功率晶體管具有最小和最大占空比,如果違反限值,將會(huì)導(dǎo)致SMPS性能下降。此外,如果忽略自舉電容,晶體管將無法正常工作。
2024-10-20
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電源中的分壓器
在電源設(shè)計(jì)中,可以手動(dòng)設(shè)置所需的輸出電壓。大多數(shù)集成電源電路以及開關(guān)和線性穩(wěn)壓器 IC 都是通過分壓器來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的。兩個(gè)電阻值的比率必須合適才能設(shè)置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個(gè)分壓器。
2024-10-18
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使用差分來測(cè)試開關(guān)模式電源
在從墻壁插座到被供電設(shè)備的過程中,電力通常通過開關(guān)模式電源,其中交流信號(hào)在到達(dá)設(shè)備之前被整流為直流。之后,直流信號(hào)(通常為 5 V)被傳遞到設(shè)備 PC 板上的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,以將各種電壓饋送到設(shè)備供電網(wǎng)絡(luò)的分支。讓我們看一下與測(cè)試開關(guān)模式電源相關(guān)的一些測(cè)量技術(shù)和注意事項(xiàng)。
2024-10-14
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IGBT 脈沖測(cè)量方法的優(yōu)點(diǎn)?正確選擇脈沖測(cè)量
采用快速 IGBT 開關(guān)的脈沖測(cè)量方法應(yīng)用范圍非常廣泛。它適用于幾乎所有類型的電感功率元件,從小型 SMD 電感器到重達(dá)幾噸的 MVA 范圍的功率扼流圈。
2024-10-12
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面向新太空應(yīng)用的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
小型衛(wèi)星收集的能量較少,隨著運(yùn)營(yíng)商越來越多地使用更快速的板載處理,應(yīng)盡可能多地將電力預(yù)算分配給有效載荷。傳統(tǒng)的配電架構(gòu)包括一個(gè)隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器(用來降低外部母線輸入電壓),然后是本地化的負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器;但由于 I2R 損耗較大,這種架構(gòu)變得效率低下。為了完成新一代太空任務(wù),需要在轉(zhuǎn)換損耗、功率密度、物理尺寸以及與最新超深亞微米器件開關(guān)速度相匹配的瞬態(tài)響應(yīng)等方面做出改進(jìn)。
2024-10-10
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超小型VCSEL*反射式光電傳感器的應(yīng)用潛力
反射式光電傳感器是一種利用光的反射來檢測(cè)物體有無的傳感器,其應(yīng)用非常廣泛。在可穿戴設(shè)備等與我們?nèi)粘I蠲芮邢嚓P(guān)的產(chǎn)品中,反射式光電傳感器的應(yīng)用不斷增加。但是,如果要更方便地將其應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域,則需要精度更高、響應(yīng)速度更快的反射式光電傳感器產(chǎn)品。一般來說,反射式光電傳感器多被用于開關(guān)用途,但如果能夠?qū)⑵涮匦愿行У乩闷饋?,那么這類器件還有很大的應(yīng)用潛力。本文將會(huì)介紹這種光學(xué)器件的最新信息,并探討其未來的發(fā)展前景。
2024-10-09
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高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析,一文get√
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(HVIC)是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)集成電路,驅(qū)動(dòng)高壓、高速M(fèi)OSFET 而設(shè)計(jì)。
2024-10-08
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開關(guān)模式電源問題分析及其糾正措施:檢測(cè)電阻器違規(guī)
本文是系列文章中的第二篇,該系列文章將討論常見的開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的反饋級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題,重點(diǎn)關(guān)注檢測(cè)電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對(duì)于確保反饋網(wǎng)絡(luò)(負(fù)責(zé)維持輸出電壓)接收來自電感電流的準(zhǔn)確信號(hào)而言至關(guān)重要。失真的信號(hào)可能會(huì)使電感紋波看起來比實(shí)際更大或更小,從而導(dǎo)致反饋網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)意外行為。
2024-09-10
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干簧管的外形與符號(hào),如何檢測(cè)干簧管
干簧管是一種利用磁場(chǎng)直接磁化觸點(diǎn)而讓觸點(diǎn)開關(guān)產(chǎn)生接通或斷開動(dòng)作的器件。當(dāng)干簧管未加磁場(chǎng)時(shí),內(nèi)部?jī)蓚€(gè)簧片不帶磁性,處于斷開狀態(tài)。若將磁鐵靠近干簧管,內(nèi)部?jī)蓚€(gè)簧片被磁化而帶上磁性,一個(gè)簧片磁性為N,另一個(gè)簧片磁性為S,兩個(gè)簧片磁性相異產(chǎn)生吸引,從而使兩簧片的觸點(diǎn)接觸。
2024-09-03
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ADI的智能工廠專業(yè)知識(shí)助您選擇合適的IO-Link從站收發(fā)器
選擇IO-Link從站收發(fā)器時(shí),我們先要考慮該器件支持的連接器引腳功能的數(shù)量和類型。有些智能工廠器件可能只需要一個(gè)C/Q引腳來進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸/切換,MAX22514非常適合此類任務(wù)。有些器件可能需要IO-Link連接,其中包括額外的數(shù)字輸入(DIN),以傳輸來自基本傳感器或按鈕開關(guān)的信號(hào)。在這種情況下,MAX22515是更好的選擇。還有些器件可能還需要將DIN配置為數(shù)字輸出(DO),而MAX22513提供了這種額外的自由度。
2024-09-03
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當(dāng)輸入和輸出電壓接近時(shí),為什么難以獲得穩(wěn)定的輸出電壓?
本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的功率級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題,重點(diǎn)關(guān)注功率晶體管和自舉電容。降壓轉(zhuǎn)換器用于演示忽視功率晶體管時(shí)序規(guī)范的影響,以及移除自舉電容時(shí)會(huì)發(fā)生什么情況。功率晶體管具有最小導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間要求,以確保FET柵極電容正確充電和放電,從而保證晶體管完全導(dǎo)通和關(guān)斷。如果忽略這些要求(例如為了獲得更快的開關(guān)速度),就會(huì)出現(xiàn)輸出不穩(wěn)定和開關(guān)頻率錯(cuò)亂等問題。此外,自舉電容對(duì)于維持這些晶體管的運(yùn)行至關(guān)重要,若沒有自舉電容,晶體管就不會(huì)有足夠的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,導(dǎo)致無法完全導(dǎo)通。
2024-08-28
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