（1）：等效電路

 

 

（2）：說明：

 

功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。

 

功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）

 

（1）：等效電路（門極不加控制）

 

 

（2）：說明：

 

即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。

 

功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）

 

（1）：等效電路（門極加控制）

 

 

（2）：說明：

 

功率 MOSFET 在門級控制下的反向?qū)?，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開關電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。

 

功率MOSFET的正向截止等效電路

 

（1）：等效電路

 

 

（2）：說明：

 

功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關，大小可從制造商的手冊中獲得。

 

功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結

 

（1）：功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時的電流/電壓曲線

 

 

（2）：說明：

 

功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩(wěn)態(tài)工作點：

 

 

當門極不加控制時，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點同二極管。

 

（3）：穩(wěn)態(tài)特性總結：

 

-- 門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態(tài)；當Vgs<Vth時，器件處于斷開狀態(tài)，Vth一般為 3V；當Vgs>Vth時，器件處于導通狀態(tài)；器件的通態(tài)電阻與Vgs有關，Vgs大，通態(tài)電阻??；多數(shù)器件的Vgs為 12V-15V ，額定值為+-30V；

 

-- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的；只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值，保證散熱沒問題，則器件就是安全的；

 

-- 器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù)，故原理上很容易并聯(lián)擴容，但實際并聯(lián)時，還要考慮驅(qū)動的對稱性和動態(tài)均流問題；

 

-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很??；

 

-- 器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態(tài)電阻非常?。壳白钚〉臑?-4 毫歐），在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關鍵的器件；

 

包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路

 

（1）：等效電路

 

 

（2）：說明：

 

實際的功率MOSFET 可用三個結電容，三個溝道電阻，和一個內(nèi)部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結電容均與結電壓的大小有關，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態(tài)電阻。

 

功率MOSFET的開通和關斷過程原理

 

（1）：開通和關斷過程實驗電路

 

 

（2）：MOSFET 的電壓和電流波形：

 

 

（3）：開關過程原理：

 

開通過程[ t0 ~ t4 ]：

 

-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時，MOSFET 被驅(qū)動開通；

 

-- [t0-t1]區(qū)間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電；

 

-- [t1-t2]區(qū)間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電影響不大；

 

-- [t2-t3]區(qū)間，至t2 時刻，MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅(qū)動電壓對Millier 電容進行充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)減?。?/div>