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Dialog將非易失性電阻式RAM技術(shù)授權(quán)與格芯22FDX平臺,服務(wù)IoT和AI應(yīng)用

發(fā)布時間:2020-10-20 來源:Dialog 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】英國倫敦、美國圣克拉拉,2020年10月20日 – 領(lǐng)先的電池和電源管理、Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙(BLE)、工業(yè)邊緣計算解決方案供應(yīng)商Dialog半導(dǎo)體公司(德國證券交易所交易代碼:DLG)和全球領(lǐng)先特殊工藝半導(dǎo)體代工廠格芯® (GLOBALFOUNDRIES®) 今天聯(lián)合宣布,已就Dialog向格芯授權(quán)導(dǎo)電橋接RAM(CBRAM)技術(shù)達(dá)成協(xié)議。該基于電阻式RAM(ReRAM)的技術(shù)由Dialog半導(dǎo)體公司于2020年收購的Adesto Technologies首創(chuàng)。格芯首先將在其22FDX®平臺上以嵌入式非易失性存儲器(NVM)選項提供Dialog的CBRAM,后續(xù)計劃將該技術(shù)拓展到其他平臺。
 
Dialog將非易失性電阻式RAM技術(shù)授權(quán)與格芯22FDX平臺,服務(wù)IoT和AI應(yīng)用
 
Dialog獨(dú)有的且經(jīng)過生產(chǎn)驗證的CBRAM技術(shù)是一項低功耗的NVM解決方案,專為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、5G連接、人工智能(AI)等一系列應(yīng)用而設(shè)計。低功耗、高讀/寫速度、更低的制造成本、對惡劣環(huán)境的耐受能力使CBRAM特別適合消費(fèi)、醫(yī)療、和特定的工業(yè)及汽車等應(yīng)用。此外,CBRAM技術(shù)為這些市場中的產(chǎn)品所需的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供了具成本效益的嵌入式NVM。
 
Dialog半導(dǎo)體公司企業(yè)發(fā)展高級副總裁兼工業(yè)混合信號業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Mark Tyndall表示:“CBRAM是Adesto杰出的標(biāo)志性存儲技術(shù)之一,該技術(shù)加入到Dialog產(chǎn)品組合中具有重要的戰(zhàn)略意義。此次與格芯的授權(quán)合作恰好證明了Dialog和Adesto融合后開展業(yè)務(wù)的速度。展望未來,我對我們和格芯牢固的合作關(guān)系非常有信心。此次授權(quán)協(xié)議不僅為行業(yè)提供了最先進(jìn)的技術(shù),也為Dialog在下一代系統(tǒng)級芯片(SoC)中采用先進(jìn)CBRAM技術(shù)提供了機(jī)遇。”
 
格芯高級副總裁兼汽車、工業(yè)和多市場業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Mike Hogan表示:“我們與Dialog的合作彰顯了格芯在為客戶進(jìn)一步提供差異化優(yōu)勢和增值的領(lǐng)域加大投資的承諾。Dialog的ReRAM技術(shù)是對我們領(lǐng)先的eNVM解決方案系列非常好的補(bǔ)充。該存儲器解決方案結(jié)合我們的FDX平臺,將幫助我們客戶進(jìn)一步突破技術(shù)邊界,提供新一代安全的IoT和邊緣AI應(yīng)用。”
 
Dialog的CBRAM技術(shù)克服了ReRAM常見的集成和可靠性挑戰(zhàn),提供了可靠且低成本的嵌入式存儲器,同時保留了ReRAM的低電壓運(yùn)行能力。這意味著可以實(shí)現(xiàn)比標(biāo)準(zhǔn)嵌入式閃存更低功耗的讀寫操作。
 
CBRAM將于2022年在22FDX平臺上以嵌入式NVM選項供格芯的客戶使用。通過IP定制,客戶可以修改CBRAM單元以優(yōu)化其SoC設(shè)計,提升安全性,或?qū)卧M(jìn)行調(diào)整以適合新的應(yīng)用。此外,CBRAM作為一種“后道工序”技術(shù),可以相對容易地集成到其他技術(shù)節(jié)點(diǎn)中。
 
了解更多有關(guān)Dialog CBRAM技術(shù),敬請瀏覽網(wǎng)頁:https://www.dialog-semiconductor.com/products/memory/cbram-technology
 
了解更多有關(guān)格芯22FDX平臺,敬請瀏覽網(wǎng)頁:https://www.globalfoundries.com/technology-solutions/cmos/fdx/22fdx
 
 
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